计组期末复习-第三章存储系统(白中英教材)

这章cache是重点,必须会cache和主存的三种映射。

推荐题目:【考研】计组习题:存储器_某计算机主存按字节编址,由4个-优快云博客

目录

一、根据存储容量计算地址数和数据位数

二、SRAM和DRAM

三、存储器容量的扩展

四、cache命中率计算

五、多模块交叉存储器

六、主存与Cache地址映射【必须会!!!】

1. 块冲突

2.计算装入的组号,行号等

3. 大题【一定要注意按字编址还是按字节编址】

七、虚地址与主存地址转换

八、页表容量大小计算

九、TLB

十、LRU最近最久未使用算法


一、根据存储容量计算地址数和数据位数

存储单元个数决定地址线个数(2^N个单元,对应N个地址线),字长决定数据线个数。

 由于cache存放的是主存活跃块的副本,所以不能认为总容量为两个层次容量的简单相加。

二、SRAM和DRAM

  1. SRAM主要用于构成cache
  2. DRAM主要用于构成主存,必须定期刷新。采用地址复用技术,地址线是原来的一半。
  3. SRAM和DRAM的主要区别在于基本存储元不同
  4. 刷新方式:集中式刷新(存在死区时间)和分散式刷新。

例题:

8位对应8根数据线,4M对应22根地址线,但这是DRAM,采用地址复用技术,地址线减半,11根地址线。8+11=19

分散刷新例题:(我们作业题只考了这个分散刷新,没考集中式刷新)

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