编一个通过屏幕选择命令的文件管理系统,每屏要为用户提供足够的选择信息,不需要打入冗长的命令。...

编一个通过屏幕选择命令的文件管理系统,每屏要为用户提供足够的选择信息,不需要打入冗长的命令。

题目要求:

 

编一个通过屏幕选择命令的文件管理系统,每屏要为用户提供足够的选择信息,不需要打入冗长的命令。

代码:

#include <iostream>
#include <string>
#include <conio.h>

using namespace std;

struct UFD //用户目录文件
{
    string File_Name; //文件名
    bool R,W,X; // 读写执行
    int Len_File; //文件大小
};

struct MFD //主文件夹目录
{
    string User_Name; //用户名
    UFD * Pointer; //用户文件目录指针
};

struct AFD //运行文件目录
{
    int File_ID;// 文件号
    bool R, W, X;
    int Pointer;//读写指针
};

class FILE_SYSTEM
{
public:
    void Inital();
    void Start();
private:
    int Num_User; //用户数量
    int Num_File; //每个用户可保存的文件数
    int MAX_Open_File; //打开的最大文件数

    MFD * Mfd; // 主文件目录
    UFD * Ufd; // 用户文件目录
    AFD * Afd; //运行文件目录
};

int main()
{
    FILE_SYSTEM FS;
    FS.Inital();
    FS.Start();
    return 0;
}

void FILE_SYSTEM::Inital()
{
    Num_File = 10;
    Num_User = 10;
    MAX_Open_File = 5;

    //UFD
    Ufd = new UFD[Num_User*Num_File];
    //MFD
    Mfd = new MFD[Num_User];
    for(int i = 0 ; i < Num_User; i++)
    {
        Mfd[i].Pointer = &(Ufd[i*Num_File]);
    }
    //AFD
    Afd = new AFD[MAX_Open_File];

    Mfd[0].User_Name="wzn";
    Ufd[0].File_Name="1.txt";
    Ufd[0].Len_File=10;
    Ufd[0].R=true;
    Ufd[0].W=false;
    Ufd[0].X =false;

    Ufd[1].File_Name="2.txt";
    Ufd[1].Len_File=15;
    Ufd[1].R=false;
    Ufd[1].W=false;
    Ufd[1].X =true;

    for(int i = 2; i < Num_File; i++) //其他人没有文件存在
    {
        Ufd[i].File_Name="";
        Ufd[i].Len_File=-1;
        Ufd[i].R=false;
        Ufd[i].W=false;
        Ufd[i].X =false;
    }
}

void showOrder()
{
    cout << "Order list" << endl;
    cout << "\t1. dir\t";
    cout << "\t2. diropen" << endl;
    cout << "\t3. create";
    cout << "\t4. delete" << endl;
    cout << "\t5. open\t";
    cout << "\t6. logout" << endl;
    cout << "\t7. close";
    cout 
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供
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