芯片可靠性验证项简单汇总

最新推荐文章于 2025-02-19 11:07:37 发布
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1. 芯片形态

晶圆wafer - 芯片颗粒die - 封装片package
wafer 生产出来后经过 CP 测试，标记出Good die后，进行切割、封装，得到封装芯片，也就是我们常用到的芯片形态，芯片进行 FT 测试后包装出货。
然后在芯片设计和开发过程中会对芯片进行大量的验证确保芯片功能、性能、可靠性都没有问题才可以批量生产。

2. 电气可靠性ESD

ESD：HBM/CDM/MM
EOS：Power Pin/Product External Pin
TLP
Latch-up

3. 寿命可靠性HTOL

工作条件（消费类）：芯片结温（近似表面温度）125度，工作电压设置为芯片spec上限。
HTOL168
HTOL500
HTOL1000

4. 制程工艺偏差TT&Corner

TT和SS/FF/SF/FS 4种Corner在高低温/高低压环境下进行CP/FT测试，对芯片数据进行分析。
一般Corner指PMOS和NMOS的工艺偏差，有时候会引入电阻电容的偏差进来进行验证。

5. 封装可靠性

PreCON/bHAST/TCT/等

IC可靠性
rrerre的专栏
02-24 2202
IC可靠性IC可靠性 软错误 温度 功耗 制程偏移 参考文献 IC的可靠性受诸多因素的影响。 软错误（soft error） 温度 功耗 制程偏移（process variation） 1. 软错误软错误是指，外界环境（比如宇宙高能粒子）对于IC干扰，可能造成bit位的翻转，进而可能影响系统的正确性，是一种瞬时性故障。2. 温度 高温涉及很多硬件故障过程。比如，高温会加剧电子迁移效应，进而导致设备损
HTOL集成电路老化测试学习总结-20250510
最新发布
时间最不自私，给每个人都是二十四小时；时间也是偏私的，给任何人都不是二十四小时；
05-11 1093
电子元器件的可靠性在产品开发中至关重要，尤其是在微电子技术迅速发展的今天。电子元器件的失效率通常遵循“浴盆曲线”，分为早期失效期、可使用期和老化期。为了评估芯片的可靠性，常采用高温操作寿命测试（HTOL），通过高温和高压加速芯片老化，以筛选出早期失效的芯片并评估其长期可靠性。HTOL测试中，芯片在高温下运行并监控其性能变化，通过阿伦尼乌斯公式计算加速因子，预测芯片的失效率和寿命。此外，Burn-in测试用于加速芯片老化，提前发现并剔除不合格产品，而早期失效率测试（ELFR）则用于评估产品初期使用阶段的可靠性
可靠性测试
weixin_48387686的博客
02-08 4428
软件可靠性概述可靠性（reliability）是指产品在规定的条件下和规定的时间内完成规定功能的能力。固有可靠性是通过设计、制造赋予产品的可靠性；使用可靠性既受设计、制造的影响，又受使用条件的影响。一般使用可靠性总低于固有可靠性。软件可靠性定义：在规定的条件下，在规定的时间内，软件不引起系统失效的概率，该概率是系统输入和系统使用的函数，也是软件中存在缺陷的函数；系统输入将确定是否会遇到已存在的缺陷（如果缺陷存在的话）。在规定的时间周期内，在所述条件下程序执行所要求的功能的能力。
可靠性验证试验（ＭＴＢＦ相关）
12-10
可靠性验证试验（ＭＴＢＦ相关）excel文档，各种相关信息
芯片的可靠性测试项目有哪些？
weixin_45614159的博客
05-03 3194
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：封装的可靠性测试都测哪些项目呢？将样品置于控制的高温环境中一定时期，然后进行电气和物理性能测试，检查性能退化或物理变化。模拟在功率变化下芯片受到的热循环影响，评估其在功率和温度双重影响下的可靠性。Precon，预处理，简写为PC，也有叫MSL湿度敏感试验的，目的。在高温高湿环境下对芯片施加电压，测试其长时间运行的可靠性和稳定性。芯片的可靠性测试是针对芯片进行的一系列严格的测试，对锡球施加水平剪切力，记录剪切前的最大力量。
系统可靠性验证方法及过程总结
weixin_46067014的博客
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一、明确系统可靠性要求二、可靠性验证计划制定三、可靠性验证实施四、可靠性验证结果评估五、可靠性验证报告编制
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2021-6-8集成电路可靠性试验项目、方法及标准汇总
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一般是第一个字母代表nmos，第二个字母代表pmos t代表typical s代表slow（电流小） f代表fast（电流大）9 s7 Y: 比如说tt表示nmos和pmos都是typical型 ss表示nmos和pmos都是slow型 ff当然类似了nmos和pmos都是fast型 snfp是slow nmos和fast pmos ...
数模混合芯片之可靠性设计
初心不忘产学研的博客
06-01 1757
数模混合芯片设计之所以需要可靠性设计，主要原因有以下几点：工艺与环境影响：半导体制造工艺存在着不可避免的随机和系统性偏差，这可能导致芯片内部的模拟电路和数字电路参数发生变化，影响性能和一致性。可靠性设计能够通过校准和补偿技术抵消这些影响，确保芯片在不同批次、不同工作条件下都能达到预期性能。温度和电源变化：芯片在工作期间会受到温度变化和电源电压波动的影响，这可能导致模拟信号的失真、增益变化和噪声增加。通过热稳定设计、电源稳压和温度补偿等可靠性设计手段，可以使芯片在宽温度范围和电源波动下保持稳定工作。
SRAM HTOL 测试
02-19
### SRAM HTOL 测试的方法、要求和标准 #### 方法 HTOL (High Temperature Operating Life) 测试旨在评估半导体器件在高温环境下的可靠性和寿命。对于SRAM来说，这种测试非常重要，因为其内部结构容易受到温度影响而发生故障。 为了执行有效的HTOL测试，通常会将待测设备放置在一个受控温湿度环境中，在指定的工作条件下持续运行一段时间。具体操作如下： - 将被测件置于设定好的高温箱内； - 应用规定的电源电压范围内的典型值供电； - 对存储器施加连续读写访问模式或其他特定的应用场景模拟实际使用情况；[^1] #### 要求 根据行业惯例，HTOL测试应满足以下基本条件： - **温度**：常见的高温设置为85°C至125°C之间，这取决于目标应用领域的要求。 - **时间长度**：一般建议至少保持900小时以上不间断运作，某些情况下可能延长至数千小时不等。 - **工作状态**：在整个过程中要维持正常的功能性活动，比如周期性的数据刷新、地址线扫描等动作。 - **监控机制**：需配备必要的监测手段记录可能出现的异常现象及其发生的时刻点。[^2] #### 标准 国际电工委员会(IEC) 和美国军方标准(MIL-STD) 提供了一系列有关电子组件可靠性验证的标准文档，其中涉及到了HTOL测试的规定。例如 MIL-STD-883K Method 108.7 描述了一种适用于微电路的老化筛选流程，其中包括了详细的HTOL试验指南。同样地，JEDEC 组织也发布了JESD22-A108B文件专门针对集成电路制定了类似的规范说明。[^3] ```python # Python伪代码展示如何实现简单的HTOL测试框架 class SramHtolTestFramework: def __init__(self, temperature=85, duration_hours=900): self.temperature = temperature self.duration_seconds = duration_hours * 3600 def run_test(self): start_time = time.time() while True: current_time = time.time() if current_time - start_time >= self.duration_seconds: break # Simulate read/write operations on the SRAM here time.sleep(1) test_framework = SramHtolTestFramework() test_framework.run_test() ```
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