PAT乙级(Basic Level)真题-1016. 部分A+B (15)

本文介绍了一个程序设计问题,即如何计算两个大整数中特定数字出现的所有位置组成的子整数之和。通过字符串操作和遍历,文章详细阐述了实现这一功能的具体步骤。

题目描述
正整数A的“DA(为1位整数)部分”定义为由A中所有DA组成的新整数PA。例如:给定A = 3862767,DA =
6,则A的“6部分”PA是66,因为A中有2个6。

现给定A、DA、B、DB,请编写程序计算PA + PB。

输入描述: 输入在一行中依次给出A、DA、B、DB,中间以空格分隔,其中0 < A, B < 1010。

输出描述: 在一行中输出PA + PB的值。

输入例子: 3862767 6 13530293 3

输出例子: 399

#include <iostream>
#include <stdio.h>
#include <stdlib.h>
#include <string>    //C++11可用stoi 

using namespace std;

int main(){
    string a,b;
    char da,db;
    string pa,pb;
    int sum;
    while(cin>>a>>da>>b>>db){
        sum=0;
        int len_a=a.length();   
        int len_b=b.length();
        for(int i=0;i<len_a;i++){
            if(a[i]==da) pa+=a[i];    //运算符重载 
        }
        for(int j=0;j<len_b;j++){
            if(b[j]==db) pb+=b[j];    //运算符重载 
        }
        //cout<<pa<<","<<pb<<endl;
        sum=atoi(pa.c_str())+atoi(pb.c_str());    //使用atoi()将string转化为整形,同时一定注意使用c_str(),原因不清。。。
        cout<<sum<<endl;
    } 
    return 0;
}
hspice仿真设计* 0.35um Logic Salicide Dual-gate Process with PLDD structure - THIN gate pMOS transistor .model pmos_3p3 PMOS +Level= 53 * * GENERAL PARAMETERS * *+lmin=3.5e-7 lmax=1.0e-5 wmin=4.0e-7 wmax=2.0e-5 +Tnom=25.0 +version =3.2 hspver=98.2 paramchk=1 *+Tox= 8.69E-09 *+Toxm= 8.69E-09 +Tox= toxp_tn +Toxm= toxp_tn +Xj= 1.0000000E-07 +Nch= 6.9300000E+16 +lln= 1.0000000 +lwn= 0.9690366 +wln= 1.1131999 +wwn= 0.1000000 *+lint= -2.5225001E-08 +lint= lintp_tn +ll= 0.00 +lw= -3.5000000E-15 +lwl= 2.5025000E-20 *+wint= 4.9900000E-08 +wint= wintp_tn +wl= 5.4900000E-14 +ww= -3.7500000E-09 +wwl= -1.2000000E-14 +Mobmod= 1 +binunit= 2 +Dwg= -2.0000000E-08 +Dwb= 0.00 wDwb= 6.0000000E-15 pDwb= -5.0000000E-22 * DIODE PARAMETERS +ACM= 12 +ldif=0.00 +hdif=3.5e-7 +rd= 0 +rs= 0 +rsc= 0 +rdc= 0 +calcacm= 1 +rsh= 0 * * THRESHOLD VOLTAGE PARAMETERS * *+Vth0= -0.8370000 +Vth0= vthop_tn +K1= 0.4883000 lK1= 9.9999990E-10 +K2= -1.0000000E-04 +K3= 0.7100000 +Dvt0= 2.4753001 +Dvt1= 0.3918000 +Dvt2= 1.5000000E-02 +Dvt0w= -0.5864000 +Dvt1w= 5.7000000E+05 +Dvt2w= -5.0000000E-02 +Nlx= 1.9200000E-07 +W0= 0.00 +K3b= 0.2240000 +Ngate= 1.0000000E+30 +Vfb= -0.4029894 * * MOBILITY PARAMETERS * +Vsat= 2.3000000E+05 pVsat= 3.5000000E-09 +Ua= 3.1400000E-09 +Ub= 6.9500000E-19 +Uc= 1.0700000E-10 +Rdsw= 1.7900000E+03 lRdsw= -2.2000000E-04 +Prwb= 0.1194000 +Prwg= 0.00 +Wr= 0.9209000 +U0= 2.7700000E-02 +A0= 1.5649250 +Keta= -1.6677311E-02 +A1= 0.00 +A2= 0.2960000 +Ags= 0.3275000 lAgs= 1.5300000E-07 +B0= 5.1200000E-07 +B1= 6.5000000E-07 * * SUBTHRESHOLD CURRENT PARAMETERS * +Voff= -0.1239000 +NFactor= 1.0000000 pNFactor= -3.5000000E-14 +Cit= 3.6750000E-04 +Cdsc= 9.3120000E-04 +Cdscb= 2.8855001E-04 +Cdscd= 0.00 +Eta0= 7.9114790E-02 lEta0= 4.1000000E-08 pEta0= -1.3000000E-14 +Etab= 0.00 +Dsub= 0.7003863 * * ROUT PARAMETERS * +Pclm= 3.2580400 +Pdiblc1= 1.5564860E-02 +Pdiblc2= 2.6037599E-04 +Pdiblcb= -0.1487453 +Drout= 0.1666364 +Pscbe1= 5.8755800E+08 +Pscbe2= 1.0000000E-08 +Pvag= 3.6609710 +Delta= 1.0000000E-02 +Alpha0= 1.9999997E-09 +Alpha1= 0.2700000 wAlpha1= -6.0000000E-08 +Beta0= 28.7999990 lBeta0= -1.1000000E-06 * * TEMPERATURE EFFECTS PARAMETERS * +kt1= -0.5600000 pkt1= 1.9999920E-15 +kt2= -4.6000000E-02 +At= 1.3600000E+05 pAt= -2.0000002E-09 +Ute= -1.4900000 lUte= 1.0000000E-07 pUte= -1.0000000E-14 +Ua1= 2.5800000E-09 pUa1= -5.4955000E-23 +Ub1= -5.6795000E-18 lUb1= -9.0000000E-25 wUb1= 3.3200000E-25 pUb1= 1.2999999E-31 +Uc1= -5.4000000E-10 lUc1= 4.4994500E-17 wUc1= 1.1000000E-16 pUc1= -9.9100000E-24 +Kt1l= 0.00 +Prt= 0.00 wPrt= 4.5000000E-04 pPrt= -5.0000000E-11 * * CAPACITANCE PARAMETERS * +Cj= 1.22954E-03 +Mj= 0.4149161 +Pb= 0.8488845 +Cjsw= 3.63341E-10 +Mjsw= 0.2938261 +Pbsw= 0.6648861 +Tcj= 9.489684E-04 +Tcjsw= 7.016366E-04 +Tpb= 1.612079E-03 +Tpbsw= 1.115389E-03 +JS=2.18e-7 +JSW=1.00e-13 +Nj=1.0 +Xti=3.0 *+Cgdo=1.05E-10 *+Cgso=1.05E-10 +Cgdo=cgdop_tn +Cgso=cgsop_tn +Cgbo=1.0E-13 +Capmod= 3 +NQSMOD= 0 +Elm= 5 +Xpart= 0 +cgsl= 1.50000E-10 +cgdl= 1.50000E-10 +ckappa= 0.6000000 +cf= 0.00 +clc= 1.0000000E-07 +cle= 0.6000000 +Dlc= -5.999996E-09 +Dwc= 4.990E-08 +Vfbcv= -0.2912 +Llc= 0 +Lwc= 0 +Wlc= 0 +Wwc= 0 +Lwlc= 0 +Wwlc= 0 +Acde= 0.5 +Moin= 15 +Noff= 2 +Voffcv= -0.03 * +noimod= 2 +NoiA= 3.88517E+17 +NoiB= 8092.033 +NoiC= 4.45351E-13 +Ef= 1 +Em= 41000000 * *------------------------------------------------------------------------------- * 0.35um Logic Salicide Dual-gate Process with PLDD structure - THIN gate nMOS transistor .model nmos_3p3 NMOS +Level= 53 * * GENERAL PARAMETERS * *+lmin=3.5e-7 lmax=1.0e-5 wmin=4.0e-7 wmax=2.0e-5 +Tnom=25.0 +version =3.2 hspver=98.2 paramchk=1 *+Tox= 7.69E-09 *+Toxm= 7.69E-09 +Tox= toxn_tn +Toxm= toxn_tn +Xj= 1.0000000E-07 +Nch= 2.0857000E+17 +lln= 1.0000000 +lwn= 1.0000000 +wln= 1.0000000 +wwn= 0.2296553 *+lint= 4.1240000E-08 +lint= lintn_tn +ll= 7.4999990E-15 +lw= 0.00 +lwl= 3.5036500E-21 *+wint= 6.3000000E-08 +wint= wintn_tn +wl= 0.00 +ww= -4.7510910E-10 +wwl= 0.00 +Mobmod= 1 +binunit= 2 +Dwg= 3.9968030E-15 +Dwb= 9.0300000E-09 * DIODE PARAMETERS +ACM= 12 +ldif=0.00 +hdif=3.5e-7 +rd= 0 +rs= 0 +rsc= 0 +rdc= 0 +calcacm= 1 +rsh= 0 * * THRESHOLD VOLTAGE PARAMETERS * *+Vth0= 0.6053000 +Vth0= vthon_tn +K1= 0.6780000 +K2= 0.00 +K3= 8.2500000E-06 +Dvt0= 4.95 pDvt0=-4e-14 +Dvt1= 0.7868235 +Dvt2= -5.0000000E-02 +Dvt0w= 4.3137080E-17 +Dvt1w= 7.0232080E+05 +Dvt2w= -5.0000000E-02 +Nlx= 1.2477851E-07 +W0= 8.6645000E-06 +K3b= 21.0000000 +Ngate= 1.0000000E+30 +Vfb= -0.8771217 * * MOBILITY PARAMETERS * +Vsat= 1.0079E+05 wVsat= 2.2500001E-02 +Ua= -4.7621650E-10 +Ub= 2.5418619E-18 pUb= -1.8000001E-32 +Uc= 7.8748400E-11 pUc= -3.0000002E-24 +Rdsw= 1.1460000E+03 lRdsw= -2.3999999E-05 wRdsw= -1.9199999E-04 pRdsw= 1.0000002E-11 +Prwb= 2.9500000E-02 +Prwg= -3.2596290E-09 +Wr= 1.0000000 +U0= 4.1371720E-02 +A0= 1.1916870 +Keta= -1.1081000E-02 lKeta= 4.0000000E-09 pKeta= 1.6500001E-15 +A1= 0.00 +A2= 1.0000000 +Ags= 0.2550000 pAgs= -2.5000000E-14 +B0= 5.1200000E-08 +B1= 0.00 * * SUBTHRESHOLD CURRENT PARAMETERS * +Voff= -0.1338250 +NFactor= 0.8875200 +Cit= 0.00 +Cdsc= 6.4040180E-04 +Cdscb= 0.00 +Cdscd= 0.00 +Eta0= 9.5819440E-02 pEta0= -3.3600000E-15 +Etab= -3.8400000E-02 pEtab= 2.0000002E-15 +Dsub= 0.7796514 * * ROUT PARAMETERS * +Pclm= 1.0838157 +Pdiblc1= 3.3256570E-03 +Pdiblc2= 1.0673814E-03 +Pdiblcb= 0.00 +Drout= 9.5951120E-02 *+Pscbe1= 6.0831020E+08 +Pscbe1= 8.5164E+08 +Pscbe2= 4.2862750E-05 +Pvag= 7.0746630E-02 +Delta= 2.1450121E-03 +Alpha0= 1.1000003E-06 pAlpha0= 1.5000000E-19 +Alpha1= 4.7757240 lAlpha1= -3.7000010E-07 pAlpha1= -8.2000000E-13 +Beta0= 22.4853550 lBeta0= 8.0000000E-08 * * TEMPERATURE EFFECTS PARAMETERS * +kt1= -0.2782500 lkt1= 1.2179998E-08 +kt2= -2.0000000E-02 lkt2= -1.0000000E-08 +At= 3.4000000E+04 +Ute= -1.7243394 wUte= 8.0000000E-08 +Ua1= -4.5460420E-13 +Ub1= 3.3460160E-21 +Uc1= -7.6289290E-12 +Kt1l= -2.2191699E-08 +Prt= 3.9055000E+02 * * CAPACITANCE PARAMETERS * +Cj= 1.023908E-03 +Mj= 0.3494655 +Pb= 0.7271543 +Cjsw= 2.26855E-10 +Mjsw= 0.2693402 +Pbsw= 0.9497247 +Tcj= 9.626137E-04 +Tcjsw= 7.622131E-04 +Tpb= 1.57771E-03 +Tpbsw= 2.341272E-03 +JS =3.05E-07 +JSW =1.40E-13 +Nj=0.9935 +Xti=3.0 +Cgdo=cgdon_tn +Cgso=cgson_tn +Cgbo=1.0E-13 +Capmod= 3 +NQSMOD= 0 +Elm= 5 +Xpart= 0 +cgsl= 2.2E-10 +cgdl= 2.2E-10 +ckappa= 0.6 +cf= 0.0 +clc= 1.0E-07 +cle= 0.6 +Dlc= 1.3E-09 +Dwc= 6.300E-08 +Vfbcv= -1 +Llc= 0 +Lwc= 0 +Wlc= 0 +Wwc= 0 +Lwlc= 0 +Wwlc= 0 +Acde= 0.5 +Moin= 15 +Noff= 1 +Voffcv= 0 * +noimod= 2 +NoiA= 1.68720E+17 +NoiB= 8799.889 +NoiC= -9.61545E-14 +Ef= 1.07018 +Em= 41000000 找出nmos和pmos的Tox,迁移率,沟道长度调制效应相关参数,计算并给出有效沟道 长度为0.5 μm时的沟道长度调制效应系数 解释Pclm
最新发布
09-15
在HSPICE仿真代码中,查找nmos和pmos的Tox、迁移率、沟道长度调制效应相关参数通常可以通过查看器件模型语句来实现。一般情况下,HSPICE中会有类似如下的模型定义语句: ```plaintext .MODEL nmos_model NMOS (TOX=xxx U0=xxx LAMBDA=xxx) .MODEL pmos_model PMOS (TOX=xxx U0=xxx LAMBDA=xxx) ``` 其中,`TOX` 代表氧化层厚度(Tox),`U0` 表示迁移率,`LAMBDA` 是沟道长度调制效应系数。 计算有效沟道长度为0.5μm时的沟道长度调制效应系数,通常沟道长度调制效应系数 $\lambda$ 与有效沟道长度 $L_{eff}$ 之间可能存在一定的关系,在一些简单的模型中,假设沟道长度调制效应系数与有效沟道长度成反比关系:$\lambda = \frac{1}{E_{sat} \cdot L_{eff}}$ (这里 $E_{sat}$ 为饱和电场),如果代码中给出了 $E_{sat}$ 的值,就可以进行计算。但在HSPICE代码中,一般直接会给出沟道长度调制效应系数 `LAMBDA`,若代码中未给出具体的关系,就直接使用代码中定义的 `LAMBDA` 值作为该有效沟道长度下的沟道长度调制效应系数。 `Pclm` 通常代表的是沟道长度调制效应参数(Channel Length Modulation Parameter),它描述了MOSFET的沟道长度在不同工作条件下的变化对器件性能的影响。当MOSFET工作在饱和区时,随着漏源电压 $V_{DS}$ 的增加,沟道长度会发生变化,从而影响漏极电流 $I_D$,`Pclm` 就是用来量化这种影响的参数。 ```plaintext # 示例代码分析 .MODEL nmos_test NMOS (TOX=20e-9 U0=600 LAMBDA=0.02) .MODEL pmos_test PMOS (TOX=20e-9 U0=300 LAMBDA=0.03) ``` 在上述示例中,nmos的Tox为20e - 9 m,迁移率为600 $cm^2/Vs$,沟道长度调制效应系数为0.02;pmos的Tox为20e - 9 m,迁移率为300 $cm^2/Vs$,沟道长度调制效应系数为0.03。
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