模拟电子电路基础——PN结理解与梳理

       本文以杭州电子科技大学刘圆圆老师主编的《模拟电子电路基础》为基础，结合清华大学电子学教研组编著的《模拟电子技术基础》进行相关知识的整理理解分析

基础符号说明

 半导体器件物理基础

本征半导体，纯净无杂质，且无晶格缺陷，作为P型与N型半导体的结构基础，其本身具有极强的稳定性，早期电子器件中用到最多的材料以Si和Ge为主，四价元素独特晶体结构早就其内部共价键结合稳定，正常条件下，空穴与自由电子由本征激发成对产生，由因本征复合成对消亡，总体浓度较低，所以导电能力非常微弱。

无外界特殊条件下，近体内部的载流子以扩散运动为主，扩散运动形成扩散电流，其强度与载流子浓度的梯度成正比。

在电场力的作用下所在的运动称为漂移运动，载流子漂移运动所形成的电流称为漂移电流，飘逸电流与电场强度成正比。

 人为打破本征半导体的稳定结构，在其中有控制的参杂微量特定杂质，可以得到拥有较好的导电能力的半导体，称为杂质半导体

Negative type & Positive type

N type semiconductor

参杂+5价杂质元素，其与周围的硅元素组成四个共价键后，多出一个自由电子，大大提高的半导体的导电能力，施主杂质释放一个自由电子，自由电子的浓度与杂质的浓度有关，而构成其的基本结构仍为硅