包络检波概要

本文详细介绍了包络检波的基本原理、电路构成及关键性能指标,包括输入信号处理、失真分析、动态检波效率和功率损耗计算。重点讨论了在不同信号条件下(小信号与大信号)包络检波器的失真限制和优化策略。

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普通条幅波AM可以用包络检波来得到中频信号

下面是包络检波电路:

注意:上图电路中经推算输入电阻约等于R/2 (左端电压除以流经二极管的电流)

基本原理:左端输入电压正向作用于二极管时,电流经过电阻R流入地(一切正常)同时R两端的电压又给电容器充电,当反向电压作用于二极管时,电流不能通过,此时已充满电的电容开始放电了,放电的速度和时间常数=R*C有关,当R*C远大于高频频率的倒数时(就是最短周期),就可以滤除高频分量。

在右图中可以看出充电速度明显快于放电速度,每当信号电压将要大于电容两端电压的时候,电容将要充电,而每当信号电压将要小于电容两端电压的时候,电容将要放电,放电速度取决于R*C

设输入的调幅波AM信号为:

vi(t)=Vcm*(1+ma*cos(w1*t))*cos(w2*t)

其中,Vcm为载波幅度值,ma为条幅系数(ma<1),w1为低频信号角频率,w2为高频载波角频率。

当输入为小信号时(<100mV)为保证二极管导通,应加偏置电压Vq,此时二极管的非线性特性可以用幂级数来逼近,当输入为大信号时,可以用两段折线来描述(包络前者是光滑的后者是折线)

 

当输入为大信号时有以下两种失真

为不产生如下惰性失真,R*C不能太大

在输入信号幅度下降的任何时候都应满足电容器通过R的放电速度大于包络下降的速度。

经推导必须满足如下式子:

R*C<=sqrt(1-ma^2)/(w1*ma)   其中sqrt()为平方根,ma为调幅系数,w1为包络角频率(低频)

当然另有 5~10/w2<=R*C 其中5~10为估计值,w2为高频率载波角频率

角频率w=2*pi*f 这个不用多说,f为频率

 

同时,为了去除直流影响,检波器与下一级间采用加隔直流电容的交流耦合方式

为了不产生负峰切割失真,还必须满足:

ma*(R=/R~)<1

其中R=为从电容往右看去的直流总电阻,R~为交流总电阻

如上图中R=为Rl,R~为Rl//R`l

 

性能指标:

动态检波效率 kd=Vav/(Vcm*ma)    表示 输出交流幅度与输入信号包络幅度之比

检波器从信号源吸取的功率 Pi=0.5*Vcm^2/Ri    其中Ri为输入电阻

输出到负载R上的功率 Po=Vav^2/R 在输入大信号时(峰值包络检波)kd约为1 所以Po=Vcm^2/R

 

<think>好的,我现在需要帮助用户查找关于使用肖特基二极管设计包络检波电路的资料。首先,用户的问题涉及肖特基二极管、包络检波、电路设计、原理图和实现方法。我需要结合用户提供的参考引用内容来回答,同时注意系统级指令的要求,比如正确使用LaTeX格式和引用标识。 首先,回顾用户提供的引用内容: 引用[1]提到肖特基二极管在双电源供电中的应用,但可能和包络检波关联不大。引用[2]指出肖特基二极管没有反向恢复时间,适合高频应用,这对检波电路设计很重要。引用[3]讨论了肖特基二极管在限幅电路中的应用,提到了导通电压和箝位效应,这可能与检波中的信号处理相关。引用[4]提到峰值检测电路中的放电回路设计,这可能对包络检波后的滤波设计有帮助。 接下来,我需要整理包络检波的基本原理。包络检波通常用于解调AM信号,提取调制信号的包络。传统上使用PN结二极管,但肖特基二极管因其低导通压降和快速响应更适合高频应用。 然后,根据引用[2],肖特基二极管适合高频,因此需要说明其在包络检波中的优势。引用[3]中的箝位效应可能涉及如何保持信号幅度,而引用[4]中的放电回路设计在检波后的RC滤波部分需要注意,避免电荷积累。 接下来,设计原理图需要考虑的几个部分:输入信号源、肖特基二极管、RC低通滤波器、负载电阻。需要解释每个部分的作用,例如二极管负责整流,RC滤波提取包络。同时,实现方法中要提到参数选择,如二极管选型(如1N5711),RC时间常数需要匹配调制信号频率,以及负载电阻的匹配问题。 此外,需要注意肖特基二极管的高频特性,确保工作频率不超过其上限。寄生电容的影响可能需要考虑,如引用[2]提到的寄生电容问题,这会影响高频性能。 最后,生成相关问题时要围绕用户的问题扩展,可能涉及优化方法、参数计算、与其他二极管的比较,以及具体应用实例等。 在回答过程中,需要正确使用LaTeX格式,例如公式中的时间常数$\tau=RC$需要用$符号包裹,独立公式如传递函数可能需要使用$$...$$。同时,引用标识要自然添加在相关内容的末尾,如肖特基的高频特性部分引用[2],RC滤波部分引用[4]。 现在需要组织这些思路,确保结构清晰,分步骤说明设计原理和实现方法,同时引用相关文献支持观点。可能还需要绘制一个简化的原理图,但由于用户要求文字描述,需要用文字说明各部分连接方式。 检查是否有遗漏点,比如肖特基二极管的反向漏电流可能影响检波效率,或者温度对导通压降的影响,但用户提供的引用中没有提到这些,可能不需要深入讨论,除非必要。 总结回答结构: 1. 包络检波原理简介 2. 肖特基二极管的优势(引用[2]和[3]) 3. 电路设计步骤(原理图各部分说明) 4. 关键参数设计(RC时间常数、二极管选型) 5. 实现注意事项(放电回路、高频限制) 6. 相关问题生成 确保每个部分都有相应的引用支持,并正确标注。</think>### 肖特基二极管包络检波电路设计 包络检波用于从调幅(AM)信号中提取调制信号,其核心是通过二极管整流和RC滤波实现包络跟踪。肖特基二极管因导通压降低(约$0.2\text{-}0.3\ \mathrm{V}$)且无反向恢复时间[^2],适合高频检波应用。 #### 一、电路原理 1. **基本结构** - **输入信号源**:AM信号输入,形式为$V_{\text{in}}(t) = A(1 + m(t))\cos(\omega_c t)$,其中$m(t)$为调制信号。 - **肖特基二极管**:整流高频信号,保留包络。 - **RC低通滤波器**:滤除载波分量,保留包络$m(t)$。 - **负载电阻**:与电容配合设定时间常数$\tau = RC$,需满足$\frac{1}{\omega_c} \ll \tau \ll \frac{1}{\omega_m}$($\omega_m$为调制信号最高频率)[^4]。 2. **原理图示例** ``` AM信号源 → 肖特基二极管 → RC并联(R接地,C并联) → 输出端 ``` #### 二、实现方法 1. **二极管选型** - 选择低结电容、高开关速度的肖特基二极管(如1N5711),以支持高频检波(可达GHz级)。 2. **RC参数设计** - 时间常数$\tau = RC$需满足: $$\frac{1}{\omega_c} \ll \tau \ll \frac{1}{2\pi f_m}$$ 若载频$f_c=1\ \mathrm{MHz}$,调制信号$f_m=5\ \mathrm{kHz}$,可取$R=10\ \mathrm{k\Omega}$,$C=1\ \mathrm{nF}$($\tau=10\ \mu\mathrm{s}$)。 3. **负载匹配** - 输出端需接入高输入阻抗放大器(如运放跟随器),避免负载电阻过小导致包络失真。 #### 三、注意事项 1. **高频限制**:肖特基二极管受寄生电容影响,工作频率上限需参考器件手册。 2. **信号幅度**:输入AM信号幅度需大于二极管导通压降(如$0.3\ \mathrm{V}$),否则无法有效整流。 3. **非线性失真**:小信号时二极管伏安特性呈指数关系,可能引入失真,可通过后级滤波或补偿电路优化[^3]。 ---
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