对于给定的制造工艺和晶片区域,微控制器的功耗主要取决于两个因素(动态可控):电压和频率。ST公司L系列超低功耗芯片为130nm超低泄漏工艺,在超低功耗所做的设计思路如下:
1. 围绕Cortex-M3内核构建,具有领先的处理性能和代码密度,其处理性能使得运行模式时间更少,因此可以使深度睡眠模式的时间更长;
2. 提供3个动态可选电压范围,从1.8V到1.2V,可在能耗上提供超过25%的增益;

3. 提供7种低功耗模式,逐步禁用与频率无关的电流源(时钟源、非易失性存储器、调压器),直至大部分外设掉电;

4. 灵活的门控技术,超低功耗模式下只激活必要的逻辑门;
a. 闲置的引脚配置为模拟输入;
b. 连接外围电路的引脚,提供有效的Pull Up或Pull Down电平输入,避免电位差引起泄露电流

附:SMT32 GPIO八种工作方式内部框图
GPIO输入:




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GPIO输出:




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电路分析

本文探讨了STM32芯片如何实现超低功耗设计,包括围绕Cortex-M3内核构建以减少运行模式时间,动态调整电压范围以节省能耗,提供多种低功耗模式以及采用灵活的门控技术降低漏电流。此外,还提到了GPIO的工作方式以及相关电路设计建议。
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