芯片失效分析是工程师面临的一大挑战，通常在量产或出货后发现。常见的分析手法包括电子显微镜观察表面异常、XRay检测封装异常、CSAM扫描声学显微镜揭示内部结构、激光诱导定位漏电结等。这些方法帮助定位问题，但应用工程师往往依赖原厂报告，且受限于内部设计保密。文章介绍了每种分析技术的原理和作用，帮助读者理解和评估失效分析的可靠性。
对于应用工程师，芯片失效分析是最棘手的问题之一。之所以棘手，很无奈的一点便是：芯片失效问题通常是在量产阶段，甚至是出货后才开始被真正意识到，此时可能仅有零零散散的几个失效样品，但这样的比例足以让品质部追着研发工程师进行一个详尽的原因分析。对于研发工程师，在排查完外围电路、生产工艺制程可能造成的损伤后，更多的还需要原厂给予支持进行剖片分析。不管芯片是否确实有设计问题，但出于避免责任纠纷，最终原厂回复给你的报告中很可能都是把问题指向了“EOS”损伤，进而需要你排查自己的电路设计、生产静电防控。由于缺乏专业的分析设备，芯片内部设计的保密性不可能让应用工程师了解太多，因此对于原厂给予的分析报告，应用工程师很多时候其实处于“被动接受”的处境。
虽然无法了解芯片内部的设计，但其实我们可以了解芯片厂商相关失效分析手法，至少在提供给你的报告上，该有的失效分析是否是严瑾，数据是否可靠，你可以做出一定的判断——
手法一：电子显微镜查看表面异常
失效的芯片样品到了芯片厂商手里后，首先要做的必然是用高放大倍数的电子显微镜查看芯片表面在物理层面上是否有异常问题，如裂痕、连锡、霉变等异常现象。
手法二：XRay查看芯片封装异常
X射线在穿越
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