n-CMOS增强型晶体管的一些特性

最新推荐文章于 2025-09-16 23:18:34 发布
原创 最新推荐文章于 2025-09-16 23:18:34 发布 · 740 阅读 · 0 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
文章标签：

#fpga开发

本文介绍了MOS晶体管中Si的共价键结构导致的低导电性，以及通过掺杂As、B等原子提高导电性的方法。重点讲解了nMOS管的结构，包括栅极、源极、漏极和衬底，以及它们之间的SiO2绝缘层。此外，还阐述了nMOS管的正向偏压和反向偏压状态，以及其等效电路的工作原理。

MOS晶体管中Si形成立方晶格，Si的外围电子与周围的4个Si原子的电子之间形成共价键，电子被束缚住，因此导电能力很弱。   但可通过掺杂（dopant atom）其他原子的方法大幅提高导电性。  

如掺杂As、B

 掺杂不同的原子可得到不同类型的激子：p-positive 空穴导电   n-negative 电子导电

nMOS的主要结构

 

 P→N 正向偏压   N→P反向偏压   nMOS管由 栅极（gate）、源极（source）、漏极（drain）、衬底（substrate）构成，栅极与衬底之间有一层很薄的SiO2绝缘层，三者之间可形成电容。

nMOS的等效电路 

V1=VGS

 

 

 

 

35、场效应晶体管（FET）全面解析
rain6的博客
09-27 306
本文全面解析了场效应晶体管（FET）的工作原理与应用，重点介绍了JFET和MOSFET的结构、类型、工作特性及区别。详细阐述了N型与P型通道的导电机制、耗尽型与增强型的工作模式，并通过特性曲线和电路示例说明其在数字与模拟电路中的广泛应用。同时提供了MOSFET选型要点和使用注意事项，帮助读者深入理解并正确应用FET于实际电子设计中。
增强型和耗尽型场效应晶体管
07-17
总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。
【简洁的语言阐述增强型晶体管】
weixin_45387927的博客
11-20 179
简易的语言描述三极管的开关通断作用
[硬件电路-233]：增强型MOS中的增强，是指通过增加正电压使得沟道从无到有的增强。耗尽型MOS中的耗尽，通过增加负电压使得沟通从最大逐渐减弱直到耗尽。
最新发布
文火冰糖（王文兵）的博客
09-16 568
在零栅压（VGS​=0）时，栅极下方的半导体区域（如P型硅衬底）与源漏区（N型）之间没有导电沟道，器件处于截止状态（ID​≈0）。当栅极施加负电压（NMOS）或正电压（PMOS）时，电场排斥沟道中的多数载流子（如NMOS中的电子），使沟道变窄，导电能力减弱。当栅极施加正电压（VGS​>Vth​，阈值电压）时，电场吸引P型硅中的电子（少数载流子）到栅极下方，形成反型层（N型沟道）。若栅压绝对值足够大（VGS​<Vth​，阈值电压为负），沟道可能被完全“耗尽”，器件进入截止状态。
CMOS管分类
Dallin0408的博客
11-01 1971
列举您知道的P-MOS 管型号。 AO3415、Si2301DS、Si2305DS、AP4435M、AP9435M 18、列举您知道的N-MOS 管型号。 IRF7809A、Si2302DS、BSS138
认识MOS管
Jostm32的博客
10-30 8474
** MOS管篇 我想用最简洁的语言和方式，解释清楚硬件和软件中的相关概念，不像教科书上那样生硬和难以理解。 ** 先插入MOS管符号，有个整体的认识： MOS管分类 MOS管的区分：P沟道箭头由栅极指向外，N沟道箭头由外指向栅极 MOS管分为：PMOS和NMOS PMOS:分为增强型和耗尽型； 增强型：相当于在栅极（S极）不加电压或电压达不到Vgs(th)即开启电压时，相当于开关断开； 耗尽型：相当于在栅 极（S极）不加电压或电压达不到Vgs(th)即开启电压时，相当于开关闭合； NMOS:分为增强型和
增强型MOS管的工作原理：【图文讲解】
weixin_66299220的博客
11-06 3008
尽管。但其工作原理有很大的不同，所以有必要对MOS管的工作原理做进一步介绍。这里我们以为例。当，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成。即：增强型MOS管必须使得VGS>VGS (th) (栅极阈值电压)能导通。当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。。
元器件应用中的晶体管CMOS的基本知识
11-18
CMOS晶体管由P型和N型MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管组成，两者结合形成了互补效应，提高了电路的效率和稳定性。P型MOS管和N型MOS管分别在不同的电压条件下导通，可以相互补充，形成逻辑开关，这是CMOS集成...
三极管、MOS管和晶体管综合对比——《器件手册--三极管、MOS管和晶体管》
XU157303764的博客
03-27 2346
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗、开关速度快的优点和双极型晶体管（BJT）的低导通压降、高电流密度的优点。例如，在NPN型三极管中，当基极电流增加时，集电极电流会按照一定的比例（放大倍数β）增加，这个比例通常在几十到几百之间。在NMOS管中，当栅极相对于源极的电压（Vgs）小于开启电压（Vth）时，漏极和源极之间没有导电沟道，电流无法通过，处于截止状态。
CMOS图像传感器像素工艺仿真与优化-聚焦PPD型4T像素的改良技术
11-16
PPD（Pin Photo Diode）型4T（4晶体管）像素结构是CMOS图像传感器中常见的像素设计方式之一，它在CMOS图像传感器的光电信号转换和信号处理中扮演着关键角色。PPD型4T像素结构通常包括一个光敏二极管、一个浮动扩散...
数字IC-1.1 CMOS管原理（集成电路）
du98看灯夜的博客
10-05 5618
CMos管初识：CMOS管是什么 CMos管辨别：带你快速认识CMOS管_ CMos管应用场景与特点（与TTL的区别）：CMOS特点 CMos管工作原理：一文讲明白MOS管工作原理 1. 二极管--PN结 PN结二极管是半导体的分析的最小单位。P型半导体通过掺杂（AS-砷-原子数高易失电子），会带有大量的空穴（正电），可以填充电子。N型半导体，则带有更多的活跃电子（负电，常常通过掺杂 B-硼 来实现，原子数低容易得到电子）。 我...
PMOS管和NMOS的详细对比
weixin_45546800的博客
04-18 4551
增强型MOSFET需要正向电压（N沟道）或负向电压（P沟道）来创建导电通道，而耗尽型MOSFET在没有栅极电压的情况下自然导电，通过逆向电压来抑制或关闭通道。选择哪种类型的MOSFET取决于特定的应用需求。
MOS管特性介绍
weixin_46251230的博客
07-14 3259
2、若在源极S和栅极G之间加上电压，源极S负向电压，栅极G正向电压，这样电子从源极S流到两个N型半导体之间集聚，当电子集聚得够多时，就形成了一个N沟道，连接两边的N型半导体，两个N型半导体就导通了，此时，在漏极D加上电压，与源极S形成电压差，就会有电流流过，MOS管相当于导通。2、可变电阻区：|Ugs >= |Ugs(th)|，|Udsl < (Ugs - Ugs(th)，此时ld随Uds的增大而增大。D：drain 漏极。lUgsl > |Ugs(th)|时，Uds为一常量时，|Ugs|越大，ld越大。
MOS防护电路
honeyball的博客
01-07 4540
为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等保护措施，实测加上稳压管（D901）的效果要比加上RC电路的效果要好，推荐先用稳压管测试，但是此处绝对不能加tvs，加tvs会导致源极电压抬高，gs损坏。当电流过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护MOS管。
MOS管的开关特性（增强型NMOS）
yan1111112的博客
05-09 2090
MOS管的开关特性（增强型NMOS） 当输入 uI <UGS(th)，NMOS管截止，iD=0。 当NMOS管导通时，导通电阻RON很小，uO=0。
硬件基础之MOS管
abcfh123802的博客
02-11 3245
场效应管：NMOS,PMOS
NMOS管与PMOS管的区别与总结
SDTechnology的博客
03-21 1965
栅极（Gate, G）：通过施加电压控制导电沟道的形成。漏极（Drain, D）：电流输出端。源极（Source, S）：电流输入端。
关于增强型和耗尽型
钢丝
06-03 5546
总结一下网上关于耗尽型和增强型晶体管的区别和种类。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件。 结型场效应晶体管（JFET）通常只有耗尽型场效应晶体管。 一、增强型场效应管 增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。 通俗来讲，对于增强型，VGs>0 二、耗尽型场效应管 耗尽型：即在0栅偏压时就能够导
一文解释好 耗尽型和增强型MOSFET、BJT、IGBT
热门推荐
zhy07321517526的博客
06-25 1万+
一文解释清楚 耗尽型和增强型MOSFET、BJT（三极管）、IGBT等
MOS管与双极型晶体管模拟电路基础详解
该讲义系统地介绍了MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的SPICE模型构建原理、双极型晶体管（BJT）的基本特性、低频放大器的设计分析方法，并对CMOS与Bipolar工艺进行了对比。其中，核心知识点围绕MOSFET的阈值...
评论
成就一亿技术人!
拼手气红包6.0元
还能输入1000个字符
 
红包 添加红包
表情包 插入表情
表情包 代码片
 条评论被折叠 查看
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值