n-CMOS增强型晶体管的一些特性

MOS晶体管中Si形成立方晶格，Si的外围电子与周围的4个Si原子的电子之间形成共价键，电子被束缚住，因此导电能力很弱。   但可通过掺杂（dopant atom）其他原子的方法大幅提高导电性。  

如掺杂As、B

 掺杂不同的原子可得到不同类型的激子：p-positive 空穴导电   n-negative 电子导电

nMOS的主要结构

 

 P→N 正向偏压   N→P反向偏压   nMOS管由 栅极（gate）、源极（source）、漏极（drain）、衬底（substrate）构成，栅极与衬底之间有一层很薄的SiO2绝缘层，三者之间可形成电容。

nMOS的等效电路 

V1=VGS