FPGA编程:实现双端口RAM

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本文介绍了如何在FPGA编程中使用Verilog HDL实现双端口RAM,包括模块定义、读写操作及写保护。双端口RAM允许并行读写,提高数据处理效率。

FPGA编程:实现双端口RAM

在FPGA编程中,双端口RAM是一种通过两个独立的端口实现读写操作的存储器。本文将介绍如何使用Verilog HDL实现双端口RAM。

首先,我们需要定义一个双端口RAM的模块。该模块包括地址和数据输入输出端口、读写使能端口,以及两个独立的读写端口。下面给出了一个简单的Verilog HDL代码示例:

module dual_port_ram (
  input clk,
  input [7:0] addr_a, addr_b,
  input [7:0] data_a, data_b,
  input we_a, we_b,
  output reg [7:0] q_a, q_b
);

reg [7:0] memory [0:255];

always @(posedge clk) begin
    if (we_a)
        memory[addr_a] <= data_a;
    if (we_b)
        memory[addr_b] <= data_b;
    q_a <= memory[addr_a];
    q_b <= memory[addr_b];
end

endmodule

在该代码中,我们定义了一个名为“dual_port_ram”的模块,并在其中声明了包括时钟、地址、数据、读写控制等端口。在always block中,我们通过读写控制信号we_a和we_b来实现双端口的读写操作。具体而言,当we_a和we_b分别为1时,我们将addr_a和addr_b所指定的内存地址中写入data_a和data_b的

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