【电路】MOS管开关电路

本文详细介绍了MOS管的导通特性,包括NMOS和PMOS的区别,以及它们在不同应用场景中的使用。通过电路原理图分析和实例,阐述了MOS管作为开关在信号切换和电压通断中的角色。同时,文章提到了如何选择MOS管参数和连接方法。最后,给出了MOS管开关电路的仿真示例和实际应用案例。

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目录

简介:

MOS管导通特性

应用实例:

MOS管的作用-开关 

更好的理解方式:

仿真:


简介:

MOS管也就是常说的场效应管(FET),有结型场效应管、绝缘栅型场效应管(又分为增强型和耗尽型场效应管)。也可以只分成两类P沟道和N沟道。

场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断,这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。对于MOS管的选型,注意4个参数:漏源电压(D、S两端承受的电压)、工作电流(经过MOS管的电路)、开启电压(让MOS管导通的G、S电压)、工作频率(最大的开关频率)。下面我们看一下MOS管的引脚,如下图所示:

有3个引脚,分别为G(栅极)、S(源极)、D(漏极)。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性:Vgs大于某一值管子就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V就可以了。

PMOS的特性:Vgs小于某一值管子就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

应用实例:

以下是某笔记本主板的电路原理图分析,在此mos管是开关作用:

PQ27控制脚为低电平,PQ27截止,而右侧的mos管导通,所以输出拉低;

电路原理分析:

PQ27控制脚为高电平,PQ27导通,所以其漏极为低电平,右侧的mos管处于截止状态,所以输出为高电平。

 整体看来,两个管子的搭配作用就是高低电平的切换,这个电路来自于笔记本主板的电路,但是这个电路模块也更常见于复杂电路的上电时序控制模块,GPIO的操作模块等等应用中。

MOS管的作用-开关 

(1)信号切换用NMOS管:Ug比Us大3V-5V即可,实际上只要导通即可,不必饱和导通;常见:2N7002、2N7002E、2N7002K、2N7002D、2N7301N。 

 (2)电压通断
电压通断用NMOS管:Ug比Us应大10V以上,而且开通时必须工作在饱和导通状态。常见有:AOL1448、AOL1448A、AON7406、AON7702、RJK03B9DP。

PMOS管则和NMOS管条件刚好相反。

(3)MOS管开关时在电路中的连接方法

NMOS管:D极接输入,S极输出;

PMOS管:S极接输入,D极输出;

输入至输出的方向和寄生二极管的方向相反。

更好的理解方式:

下面是MOS管的导通条件,只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通(当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压)。比如导通电压为3V的N沟道MOS管,只要G的电压比S的电压高3V即可导通(D的电压也要比S的高)。同理,导通电压为3V的P沟道MOS管,只要G的电压比S的电压低3V即可导通(S的电压比D的高)。在电路中的典型应用如下图所示,分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路:

我们可以看到,N沟道的MOS管的电路中,BEEP引脚为高电平即可导通,蜂鸣器发出声音,低电平关闭蜂鸣器;P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断,GPS_PWR引脚为低电平时导通,GPS模块正常供电,高电平时GPS模块断电。

NMOS控制开关电路的基本结构:

 PMOS开关电路的典型应用电路:

仿真:

N沟道MOS管:

控制栅G级施加正向电压,源级S给GND(或者电压比G级小),这样有沟道形成,导通。

 

源极S施加正向电压,G级给GND(或者电压比源极S小),这样有沟道形成,导通。

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### MOS开关在电子电路中的作用及原理 #### 一、MOS开关的作用 MOS管作为一种重要的半导体元件,在电子电路中主要起到 **信号转换** 和 **控制电路通断** 的功能[^1]。具体来说,它可以用作开关来实现以下几种应用: - 控制负载的开启与关闭。 - 实现电源管理模块中的功率分配。 - 提供保护机制,防止过流或短路。 由于其独特的性能特点,比如高输入阻抗、低导通电阻以及快速切换能力,使得MOS管成为现代电子产品设计中的核心组件之一。 #### 二、MOS开关的工作原理 MOS管本质上是一种场效应晶体管(FET),依靠改变施加于栅极(Gate)上的电压来调节漏极(Drain)-源极(Source)之间的电流流动状态。以下是基于不同类型的MOS管对其工作机理的具体描述: ##### (1) N沟道增强型MOSFET(N-MOS E) 对于此类器件而言,只有当栅-源电压\( u_{GS} \)超过特定阈值电压\( V_{th} \)(即开启电压)时才会形成导电通道从而允许电流从漏极端流向源极端;反之如果 \( u_{GS} < V_{th} \), 则该路径处于截止状态无法传导任何电量。 ```python if u_GS >= V_th: # 导通状态 else: # 截止状态 ``` ##### (2) P沟道增强型MOSFET(P-MOS E) 相比之下,P沟道增强型MOSFET的操作方式略有差异。它是通过降低栅-源电压至低于某一负向临界点(-|Vth|) 来激活内部载流子迁移进而建立连接路径[^2]; 而一旦 \( u_{GS} > - |V_{th}| \), 这种情况下的设备便恢复到非活动模式下停止运作。 值得注意的是,尽管两者都能执行相似的任务 —— 开启/关闭指定部分电路的功能 —— 不同之处在于它们各自最适合的应用场景有所不同:N沟道更适合低端驱动(low-side drive); 反之则推荐选用P沟道来进行高端(high-side)操作因为后者能够在正供电环境下更高效地完成任务[^3]. 另外还存在两种耗尽型(depletion-mode)版本分别对应上述提到的标准形式(enhancement mode). 它们的主要区别体现在默认初始条件下是否有预先存在的导电渠道可供利用; 对应地调整策略也会有所变化以适应这些预设条件带来的影响. 最后值得一提的是,MOSFET除了分类为PN两族外还可以进一步细分为更多规格型号以便满足各种实际需求环境的要求.[^4] --- ###
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