nand flash坏块管理OOB,BBT,ECC

0.NAND的操作管理方式

     NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。

      关于OOB区,是每个Page都有的。Page大小是512字节的NAND每页分配16字节的OOB;如果NAND物理上是2K的Page,则每个Page分配64字节的OOB。如下图:

            

以HYNIX为例,图中黑体的是实际探测到的NAND,是个2G bit(256M)的NAND。PgSize是2K字节,PgsPBlk表示每个BLOCK包含64页,那么每个BLOCK占用的字节数是64X2K=128K字节;该NAND包好2048个BLOCK,那么可以算出NAND占用的字节数是2048X128K=256M,与实际相符。需要注意的是SprSize就是OOB大小,也恰好是2K页所用的64字节。

 1.为什么会出现坏块
    由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。

2.坏块的分类
   总体上,坏块可以分为两大类:(1)固有坏块:这是生产过程中产生的坏块,一般芯片原厂都会在出厂时都会将每个坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。(2)使用坏块:这是在NAND Flash使用过程中,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的 spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。

3.坏块管理
    根据上面的这些叙述,可以了解NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息,因此,
如果在擦除一个块之前,一定要先check一下第一页的spare area的第6个byte是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除,以免将坏块标记擦掉。当然,这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”,因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,还是需要遵照这个标准。

      可以用BBT:bad block table,即坏块表来进行管理。各家对nand的坏块管理方法都有差异。比如专门用nand做存储的,会把bbt放到block0,因为第0块一定是好的块。但是如果nand本身被用来boot,那么第0块就要存放程序,不能放bbt了。有的把bbt放到最后一块,当然,这一块坚决不能为坏块。bbt的大小跟nand大小有关,nand越大,需要的bbt也就越大。

      需要注意的是:OOB是每个页都有的数据,里面存的有ECC(当然不仅仅);而BBT是一个FLASH才有一个;针对每个BLOCK的坏块识别则是该块第一页spare area的第六个字节。
4.坏块纠正

      ECC:NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测。
      ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据,这三字节共24比特分成两部分:6比特的列校验和16比特的行校验,多余的两个比特置1。(512生成两组ECC,共6字节) 
      当往NAND Flash的page中写入数据的时候,每256字节我们生成一个ECC校验和,称之为原ECC校验和,保存到PAGE的OOB(out-of-band)数据区中。其位置就是eccpos[]。校验的时候,根据上述ECC生成原理不难推断:将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或,若结果为0,则表示不存在错(或是出现了ECC无法检测的错误);若3个字节异或结果中存在11个比特位为1,表示存在一个比特错误,且可纠正;若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1,表示OOB区出错;其他情况均表示出现了无法纠正的错误。
5.补充
  (1)需要对前面由于Page Program错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把块里其他好的面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。当然,这可能会犯“错杀”之误,一个补救的办法,就是在进行完块备份之后,再将这个坏块擦除一遍,如果Block Erase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧!
  (2)可能有人会问,为什么要使用每个块第一页的spare area的第六个byte作为坏块标记。这是NAND Flash生产商的默认约定,你可以看到Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。

     (3)为什么好块用0xff来标记?因为Nand Flash的擦除即是将相应块的位全部变为1,写操作时只能把芯片每一位(bit)只能从1变为0,而不能从0变为1。0XFF这个值就是标识擦除成功,是好块。

<think>好的,我现在需要回答用户关于NAND Flash擦除、读写测试程序的问题。首先,我要确定用户的需求是什么。他们可能是在开发嵌入式系统,或者进行存储设备的测试,需要了解如何编写或理解这些测试程序的基本流程。 接下来,我应该先回顾NAND Flash的基本特性。NAND Flash存储结构分为块(Block)、页(Page),每个页可能有多个扇区。擦除操作是以块为单位进行的,而读写则是以页为单位。这一点很重要,因为在编写测试程序时必须遵循这些物理特性,否则可能导致操作失败或损坏设备。 然后,关于擦除测试程序。用户可能想知道如何正确擦除一个块。需要检查块地址是否有效,发送擦除命令到相应的地址,然后等待操作完成。同时,必须验证擦除是否成功,通常通过读取块中的数据是否为全1来判断,因为擦除后的状态是1,写入才会变为0。这里可能需要处理坏块的问题,因为NAND Flash可能存在出厂坏块或在使用中产生的坏块,测试程序需要能识别并跳过这些块。 接下来是写入测试。写入通常是按页进行的,需要发送写入命令、地址,然后写入数据。写入完成后,需要读取数据来验证是否正确写入。这里要考虑写入的数据模式,比如全0、交替模式等,以检测潜在的写入错误。同时,需要考虑ECC(纠错码)的使用,因为NAND Flash可能存在位翻转,ECC能帮助检测纠正这些错误。 读取测试方面,需要验证读取的数据是否与写入的一致。此外,还需要处理读取过程中可能出现的错误,比如使用ECC校验。如果发现错误,可能需要重试或标记坏块。另外,读取时需要考虑时序电压的稳定性,这些可能影响数据的正确性。 在测试程序中,错误处理是一个关键部分。需要检查状态寄存器的标志位,判断操作是否成功。如果失败,可能需要重试操作,或者标记坏块,避免后续使用。同时,测试程序需要记录日志,方便调试分析问题。 还有测试流程的设计。比如,先进行全盘擦除,然后按顺序或随机选择块进行擦除、写入、读取验证。压力测试可能需要多次循环擦写,以检测Flash的耐久性。性能测试则需要统计擦除、写入、读取的时间,评估速度是否符合规格。 需要考虑不同厂商的NAND Flash可能存在差异,比如命令集、时序参数等,测试程序需要有一定的可配置性。此外,坏块管理策略也很重要,比如使用坏块表(BBT)来跟踪坏块的位置。 用户可能还关心实际代码的结构。比如,初始化控制器、扫描坏块、执行擦除、写入测试数据、读取验证、结果输出等步骤。每个步骤需要调用对应的驱动函数,并处理可能的异常情况。 总结下来,回答需要涵盖擦除、写入、读取的基本流程,注意事项如坏块处理、ECC、错误检测,以及测试程序的设计要点常见测试方法。需要结构清晰,分点说明,让用户能够逐步理解如何实现这些测试程序。</think>以下是NAND Flash擦除、读写测试程序的实现要点(以嵌入式系统为例): $$ \text{典型测试流程} = \text{初始化} \rightarrow \text{坏块扫描} \rightarrow \text{擦除测试} \rightarrow \text{写入测试} \rightarrow \text{读取验证} $$ 一、**擦除测试程序** 1. **块选择** - 通过物理地址选择目标块(如:Block 0x100) - 检查坏块标记(OOB区域的第一个字节) 2. **发送擦除命令序列** ```c // 示例伪代码 send_command(0x60); // 擦除周期1 send_address(block_addr); send_command(0xD0); // 擦除周期2 ``` 3. **等待完成 & 状态检查** ```c while(!nand_ready()); // 等待操作完成 status = read_status(); if(status & 0x01) { // 检查失败标志 mark_bad_block(block_addr); } ``` 4. **验证擦除结果** 读取整块数据,验证是否全为0xFF(每个单元需满足$D_{n}=FF_{hex}$) --- 二、**写入测试程序** 1. **页编程流程** ```c send_command(0x80); // 编程周期1 send_address(page_addr); write_data(buffer, 2048); // 假设页大小2KB send_command(0x10); // 编程周期2 ``` 2. **数据模式选择** - 全0模式:$00_{hex}$填充(压力测试电荷保持) - 棋盘格模式:$AA_{hex}/55_{hex}$交替(检测耦合干扰) - 伪随机序列:使用LFSR生成 3. **OOB区域处理** 写入ECC校验码(如Hamming码、BCH码): $$ ECC = f(D_{0},D_{1},...,D_{2047}) $$ --- 三、**读取测试程序** 1. **标准读取操作** ```c send_command(0x00); // 读取周期1 send_address(page_addr); send_command(0x30); // 读取周期2 read_data(buffer, 2048+64); // 数据+OOB ``` 2. **数据校验** ```c if(memcmp(write_buf, read_buf, 2048) != 0) { error_count++; recalculate_ecc(); // 验证ECC纠错能力 } ``` 3. **误码率统计** 计算每比特错误概率: $$ BER = \frac{\sum_{i=0}^{n}err_{i}}{2048 \times 8 \times n_{test}} $$ --- 四、**关键注意事项** 1. **时序控制** 需严格遵循芯片手册参数(如t_{PROG}<25ms,t_{BERS}<3ms) 2. **坏块处理策略** - 出厂坏块:标记在OOB第六字节(不同厂商可能不同) - 动态坏块:维护坏块映射表(BBT) 3. **磨损均衡** 使用动态地址映射算法,避免频繁擦写同一块: $$ W_{cycle} = \frac{\sum EraseCount_{i}}{N_{blocks}} \leq spec_{max} $$ --- 五、**测试用例设计** 1. **边界测试** - 首尾块操作(Block 0Block N-1) - 跨页写入(如连续写Page 0-63) 2. **压力测试** - 持续擦写循环(验证P/E周期指标) - 高温老化测试(加速电荷泄漏) 3. **异常场景** - 突然断电恢复测试 - 错误注入测试(模拟位翻转) --- **典型测试结果输出示例** ``` [Block 0x1A00] Erase Test: PASS (368ms) [Page 0x3400] Write-Read: 2 bit errors (corrected by ECC) Endurance Test: 10,000 cycles (BER < 1e-9) ``` 建议实际开发时结合具体控制器(如STM32 FMC、Linux MTD子系统)实现驱动层交互,并通过逻辑分析仪验证时序波形。
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