zn2016的博客

1.运放的反馈电阻一定是接在运放的负输入端到输出端，不然就不叫负反馈。2.输入信号接在运放的正端则输出也为正，也称为正向输入，输入信号接在运放的负端则输出为负。运放正向输入最基本的电路形式：Ui输入信号经过电阻R2后到运放的正向输入端，负向输入端接一电阻R1后到地，反馈电阻Rf接在负向输入端到输出端且反馈电阻只能这样接,输出信号为UO。根据虚短，虚断可以很容易得到：Uo= Ui*(1+Rf

在做项目（工程）的时候，我们经常要用到比较多的按键，而且IO资源紧张，于是我们就想方设法地在别的模块中节省IO口，好不容易挤出一两个IO口，却发现仍然不够用，实在没办法了就添加一个IC来扫键。一个IC虽然价格不高，但对于大批量生产而且产品利润低的厂家来说，这是一笔不菲的开支!那，我们能不能想到比较好的扫键方法：用最少的IO口，扫最多的键？可以吗？举个例：给出5个IO口，能扫多少键？有人说是2*3＝...

参考贴：http://www.dzsc.com/data/2015-1-7/107762.html

1.MOS管一般分为NMOS和PMOS,NMOS比PMOS开关速度更快和耐压值更高，因此使用的更为广泛。2.MOS管的功耗一般体现在三个方面，开通损耗，关断损耗，和正常工作时Rds(ON)损耗。影响开通，关断的因素是GS间的电容充放电速度，为了减小开通关断损耗，通常我们要提高GS间的控制电压和导通电流，越大越好。3.米勒电容是指GD间的电容。4.米勒效应：当GS加上电压后，Vgs开始增

下面是datasheet上的内部框图及应用电路：由内部框图及输入输出时序图可知：HIN输入高则HO输出高，输入低则输出低。低端也一样。由典型应用电路图分析：当HIN,LIN同时输入高，下管要先于上管导通因为只有下管先导通上管才能形成回路，同时VCC对电容充电，当上管完全导通后电容开始对MOS放电，放电到GSth之前要把上管关闭，放电时间是我们PWM信号的高电

MOS管防止电源反接的原理一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。　　MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫...

电路：

1. 74HC138  三输入信号控制8位输出信号（8路输出中同一时刻只能有一路为低电平）。74HC573 拥有8路输出的透明锁存器。通常用LE来控制芯片是否锁存。

1.共阴数码管0-F编码表：uchar code table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};2.共阳数码0-f管编码表：由0到f的编码为:uchar code table[]={

1.常用N型三级管集电极加一个上拉电阻做取反电路。基极输入高三极管集电极输出低，基极输入低集电极输出高。