2016年总结

作者在过去的一年里不仅实现了职业生涯的跃升,还完成了多个个人目标。从装修房子到带领团队,从学习新技术到陪伴家人,每一步都充满挑战与收获。这段经历展示了平衡工作与生活的可能性。

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  1. 完成第一个房子的装修
  2. 换了一家公司,换了一个行业
  3. 收入上了一个台阶,职位上了个台阶,有了自己的团队
  4. 结实了四个新的朋友
  5. 坚持每周1KM游泳半年
  6. 成功把父亲接出西昌,接到北京治病,成功把父亲安顿到重庆
  7. 成功带我父母去了我的大学、天安门、故宫、北海公园。吃全聚德
  8. 学会了两门新的编程语言:Go和Ruby
  9. 学会了云计算的业务知识,学会了Docker和Kubernetes的使用
  10. 对已学习三方件温故而知新,又新学习了几个三方件。
  11. 完成四个项目:两个调优,两个框架
  12. 看了若干本专业书:Hadoop, Kubernetes, Openstack, Ruby, JVM
  13. 看了若干本小说:大明王朝1566,北平无战事,三体,琅琊榜,中短篇小说不计
  14. 看了若干场电影,记不清了
  15. 看了若干场话剧、舞蹈剧、音乐会,记不清了
  16. 出国旅游了一次
  17. 国内旅游了若干次
  18. 工作日下班回家和家人一起吃饭、娱乐、学习成为常态,和家人一起完成了三个拼图。
  19. 在帝都又买了一栋房子

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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