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RSS订阅原创 轴间距可调式元器件双边成型钳的功能、技术特点、应用以及操作
轴距可调式元器件双边无损成形钳是专为轴向圆柱形引线元器件设计的精密加工工具，通过可调轴距机构实现引线成形，满足航天等行业对轴距精度（最小间隙≤5.5mm）的要求。无损成形：采用聚酰胺、铜、钢等模具材质，适配不同引线直径（0.6mm≤D≤1.0mm），避免引线损伤。轴距精确调节：通过测量机构快速定位并重复成形，支持5.5mm≤L≤49mm的宽范围调节。
2025-11-28 14:43:28
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原创 导线热剥器的定义、主要特点、技术对比及应用
导线热剥器（又称电热剥线钳）是一种通过电加热方式剥离导线绝缘层的专业工具，广泛应用于电子维修、电路组装及军工等领域。其核心原理是利用加热金属触点软化绝缘层，再通过夹具剥离，实现无损加工。
2025-11-20 12:21:11
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原创 瑞士LEMSYS静态设备维修经验
瑞士LEMSYS是一家专注于功率器件测试设备供应的全球性公司，其静态测试机主要用于IGBT、MOSFET、二极管等功率器件的静态参数测试。
2025-11-10 10:44:47
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原创 共模瞬变抗扰度（CMTI）的定义及重要性，影响因素测试方法及应用
：CMTI通过隔离层两侧施加的共模瞬变电压（如±2kV脉冲）测试，以器件输出信号不出现误动作的最大dV/dt值作为量化标准。。
2025-10-30 12:00:54
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原创 I/V自动曲线量测仪的主要功能、测量方法和应用
I/V自动曲线量测仪（Auto Curve Tracer）是一种用于半导体器件和光伏组件电流-电压（I-V）特性分析的专业设备，通过精准测量器件在不同偏置条件下的电气性能数据，为失效分析、质量检测及性能评估提供关键依据。
2025-10-24 14:07:15
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原创 晶体管的定义，晶体管测量参数和参数测量仪器
晶体管泛指所有半导体单体元件，包括二极管、三极管、场效应管（FET）等。它通过半导体材料的电学特性（如掺杂形成的PN结）控制电流流动，是现代电子电路的基础构建块。
2025-10-16 12:30:27
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原创 半导体分立器件测试系统的用途及如何选择合适的半导体分立器件测试系统
半导体分立器件测试系统是用于评估二极管、晶体管、晶闸管等独立功能器件性能的专业设备。
2025-10-11 11:49:25
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原创 IGBT的概述、静态参数及测试方法
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR（电力晶体管）的低导通压降优势。
2025-09-19 10:03:48
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原创 国内第一台七位半数字多用表
七位半数字多用表是一种高精度测量仪器，其显示位数（7½位）表示最高位仅能显示0或1，其余六位可完整显示0-9，具有极高的分辨力和测量精度。
2025-09-16 11:46:14
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原创 半导体分立器件测试系统的概述、作用以及应用场景行业趋势
精准测量静态参数（如击穿电压V(BR)、漏电流I(CEO)、导通电阻RDS(on)）和动态特性（如开关时间、脉冲响应），确保器件符合设计规格。符合JEDEC、AEC-Q（汽车电子）、MIL-STD（军工）等国际标准，助力企业通过ISO 9001等认证。静态参数：击穿电压（V(BR)）、漏电流（I(CES)）、导通电阻（RDS(on)）、阈值电压等。：满足工业、消费电子、航空航天等差异化需求，如IGBT模块的极限参数测试。：支持多类型器件（如MOSFET、光耦）的自动化测试，具备钳位保护功能。
2025-09-12 16:47:21
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原创 瑞士LEMSYS动静态测试机TRs4070/TRd2030/TRds 4045-4070维修心得
西安中昊芯团队核心成员有着超过十年的半导体分立器件测试设备从业经验，长期与美国STI、泰克、日本岩崎、瑞士LEMSYS等世界一流半导体测试设备打交道，积累了丰富的经验。我们的维修团队熟悉半导体分立器件测试系统的原理，系统框图，拥有非常丰富的维修经验和专业技能，公司长期备有维修元器件及部件，无论硬件故障还是软件问题，我们都能迅速解决，确保你的测试工作不受影响。：若设备含液压组件，需排查密封件老化或管路破损，参考压路机液压系统维修的严格检测流程。：校准或维修后需保存参数配置，避免数据丢失影响测试结果。
2025-09-08 15:03:55
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原创 轴距可调式元器件双边无损成形钳的定义，技术特点、性能优势及应用
轴距可调式元器件双边无损成形钳是一种专为轴向圆柱形引线元器件设计的精密加工工具，通过可调轴距机构实现引线成形，满足航天等行业对轴距精度（最小间隙≤5.5mm）的要求。无损成形：采用聚酰胺、铜、钢等模具材质，适配不同引线直径（0.6mm≤D≤1.0mm），避免引线损伤。轴距精确调节：通过测量机构快速定位并重复成形，升级型号（如CXQ0001A）支持5.5mm≤L≤49mm的宽范围调节。
2025-09-04 14:22:00
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原创 半导体器件CV特性/CV特性测试的定义、测试分析和应用场景
CV特性（电容-电压特性）是指半导体器件在不同偏置电压下表现出的电容变化规律，主要用于分析器件的介电特性、载流子分布和界面状态。该特性是评估功率器件性能的核心指标之一。CV特性测试（电容-电压特性测试）是通过测量半导体器件在不同偏置电压下的电容变化，分析其介电特性、掺杂浓度及界面状态的关键技术。主要应用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生参数测量和材料特性研究。
2025-09-01 12:09:21
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原创 半导体CMTI（共模瞬变抗扰度）的定义、测试标准及原理、测试方法及应用
CMTI通过隔离层两侧施加的共模瞬变电压（如±2kV脉冲）测试，以器件输出信号不出现误动作的最大dV/dt值作为量化标准。例如，荣湃数字隔离器的U系列CMTI达250kV/µs，意味着在10ns内可承受2500V瞬变仍稳定工作。。
2025-08-26 16:39:14
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原创 热剥手柄的特点、应用场景、功能和结构的分类
★ 内置式精细陶瓷封装发热丝完全密封于刀头金属内，能大大提高热效、降低功耗、防止氧化，方便维护保养。★ 轻巧握笔式手柄，仅重57克，操作轻便、灵活，便于伸入机箱内操作，有效提高工作效率，减轻操作疲劳。★ 内置式精细陶瓷封装发热丝完全密封于刀头金属内，能大大提高热效、降低功耗、防止氧化，方便维护保养。★ 轻巧握笔式手柄，仅重57克，操作轻便、灵活，便于伸入机箱内操作，有效提高工作效率，减轻操作疲劳。★ 满足不同线径范围要求，操作简便，无需180度转动手把，并且切口端面平整，不伤芯线。
2025-08-05 15:21:38
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原创 晶体管参数测试分类、测试方法关键技术和测试设备
SC2020晶体管参数测试系统是自主研发的第三代半导体分立器件电学参数测试平台，专为满足半导体产业链各环节的精密测试需求设计。采用32位ARM+MCU双核控制系统，实现纳秒级响应速度，配备16位高精度ADC（1MS/s采样率），支持1.5pA级漏电流检测，四线开尔文连接技术，消除接触电阻误差（测试重复性达±0.2%），程控高压源（标配1400V/可选2000V）与高流源（标配40A/可选100A/200A/500A），控制极电压/电流范围：0-40V/0-100mA。
2025-07-29 13:47:26
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原创 半导体分立器件测试的对象与分立、测试参数、应用领域，测试设备的分类与测试能力
半导体分立器件测试是对二极管、晶体管、晶闸管等独立功能半导体器件的性能参数进行系统性检测的过程，旨在评估其电气特性、可靠性和适用性。
2025-07-22 17:52:58
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原创 数字万用表是什么？七位半数字万用表/多用表的核心指标应用及技术趋势？
是一种电子测量仪器，用于测量电压（AC/DC）、电流（AC/DC）、电阻、电容、频率、温度等电学参数，并以数字方式显示测量结果。相较于传统的模拟指针式万用表，数字万用表具有更高的精度、更强的抗干扰能力以及更丰富的功能。高压测量：AMC93200H支持3000V直流高压，年精度±0.0045%直流参数（电压/电流/电阻）：7.5位分辨率，典型年精度±0.0005%：AMC93200系列已实现nV级电压、pA级电流检测，性能对标进口。数据接口：标配LAN/USB/RS-232，支持上位机软件控制。
2025-07-16 17:54:58
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原创 光耦参数测试仪/晶体管光耦参数测试仪/光耦静态动态参数测试仪一起来了解一下！
光耦参数测试仪是专用于光电耦合器（Optocoupler）电性能参数检测的专业设备，其核心功能是通过精密测量实现器件性能评估与质量判定。
2025-07-02 10:50:58
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原创 S型台式数字源表/半导体参数测试源表/多合一源表精密源表/SMU这些经常提起的源表你了解多少？
S型台式数字源表（SMU）是一种多功能高精度测试仪表，集电压源、电流源、电压表、电流表和电子负载功能于一体，专为半导体器件及材料电性能测试设计。
2025-06-30 15:38:12
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原创 防静电导线热剥器你了解多少？
防静电导线热剥器是一种专为敏感电子元件设计的高精度剥线工具，通过加热方式无损剥离绝缘层并有效消除静电危害，广泛应用于航天、精密仪器制造等领域。
2025-06-29 12:17:41
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原创 功率器件静态参数有哪些？怎样去测量？用什么仪器更好测量？
PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。功率器件的静态参数反映了其在稳态下的基本电气和热特性，是评估器件性能与可靠性的核心指标。
2025-05-19 10:36:18
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原创 什么是功率器件？特性是什么？和功率IC的区别是什么？
功率器件（Power Semiconductor Device）是电力电子领域的核心组件，特指直接处理电能的主电路器件，通过电压、电流的变换与控制实现功率转换、放大、开关、整流及逆变等功能。其典型特征为处理功率通常大于1W，在高压、大电流工况下保持稳定性能。
2025-05-19 09:55:27
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原创 IGBT的静态参数有哪些？怎样去精确测量这些参数呢？
GE(th)</sub>）使IGBT导通所需的最小栅极电压，直接影响器件导通控制。栅极-发射极漏电流（I<sub>GES</sub>）栅极与发射极在关断状态下的漏电流，反映栅极绝缘性能。集电极-发射极截止电流（I<sub>CES</sub>）关断状态下集电极到发射极的漏电流，表征器件阻断能力。集电极-发射极饱和电压（V<sub>CE(sat)
2025-05-16 14:32:30
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原创 IGBT是什么？它的工作原理是什么？我们一起了解一下
复合结构IGBT由BJT（控制电流）和MOSFET（控制电压）组合而成，具备高输入阻抗（MOSFET特性）和低导通压降（BJT特性）的双重优势。电极组成栅极（G）：控制器件导通/关断，驱动电压通常为±15V。集电极（C）与发射极（E）：主电流通路的两端。
2025-05-16 14:12:48
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原创 我们常说的晶体管参数有哪些呢？怎样去测量这些参数呢？
SC2020晶体管参数测试系统半导体分立器件电学参数测试专用设备。该系统采用模块化设计，满足半导体制造产业链各环节的测试需求，包括晶圆中测（Wafer Probing）、封装终测（Final Test），以及整机厂商IQC来料检验、研发机构失效分析等应用场景。
2025-05-16 10:47:16
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原创 什么是晶体管？你了解多少？知道怎样工作的吗？
晶体管（Transistor）是一种半导体器件，用于放大电信号、控制电流或作为电子开关。它是现代电子技术的核心元件，几乎所有电子设备（从手机到超级计算机）都依赖晶体管实现功能。以下是关于晶体管的详细解析晶体管主要分为 双极型晶体管（BJT） 和 场效应晶体管（FET） 两大类：
2025-05-16 10:08:12
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原创 分立器件测试晶体管图示仪静态/动态参数智能筛选系统STI5000系列替代机SC2010半导体测试系统
指标项参数范围分辨率测试电压0-2000V1mV测试电流0-100A0.1nA测试精度0.2%+2LSB-脉冲宽度300μs-5ms-数据接口：USB3.0/RS232双模。输出格式：Excel/Word双格式。单点测试时间：6-20ms。全自动I-V特性曲线生成。分析工具：ATE专业软件。门极过压保护（OVP）曲线精度：逐点校准技术。百点曲线生成：＜5s。
2025-05-15 10:45:27
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原创 SiC漂移阶跃恢复二极管是什么？你了解多少？工作中经常用得到吗？
SiC漂移阶跃恢复二极管（Drift Step Recovery Diode）是一种基于碳化硅材料的特种半导体开关器件，核心功能是作为超宽谱（UWB）脉冲系统的功率开关元件。其典型特征包括：超快开关特性（皮秒级响应）耐高压能力（≥10kV）超高功率容量（＞40GW）
2025-05-15 10:23:42
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原创 什么是IGBT?IGBT的静态参数和动态参数分别是什么？
IGBT（，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型功率半导体器件，由和结合而成。其核心价值在于兼具MOSFET的高输入阻抗（驱动功率小）与BJT的低导通压降特性，实现了电能高效转换与精准控制。
2025-05-14 14:37:14
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原创 半导体静态参数都有哪些呢？
饱和电流是指在特定栅极电压下，漏极电压增加到一定程度后，漏极电流不再显著增加的值。输出电导是指漏极电流随漏极电压变化的比率，通常表示为gds = ΔId / ΔVds。漏极电流是指在特定栅极电压（Vgs）和漏极电压（Vds）下，通过晶体管的电流。跨导是指漏极电流随栅极电压变化的比率，通常表示为gm = ΔId / ΔVgs。击穿电压是指晶体管在反向偏置下，能够承受的最大电压。漏电流是指在晶体管关闭状态下，通过漏极和源极的微小电流。导通电阻是指在晶体管完全导通时，漏极和源极之间的电阻。
2025-05-13 11:08:32
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空空如也
高压干簧继电器JC107-1-1A12D你了解吗？
2025-05-14
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