上海dem无偏移tif

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内容概要:该论文围绕在平面和曲面基底上实现所需的薄膜厚度梯度展开,开发了一套数学模型用于计算磁控溅射技术沉积的薄膜厚度分布。模型可用于设计屏蔽罩或掩模形状,以拦截源与基底之间的材料,实现特定的薄膜厚度梯度。论文不仅探讨了平面基底上的均匀涂层,还扩展到旋转和曲面基底,考虑了靶材磨损对薄膜厚度分布的影响及通过旋转基底改善均匀性的效果。实验结果与理论计算显示良好一致性。此外,论文还通过迭代优化算法调整屏蔽罩开口宽度来改善厚度均匀性,并分析了不同初始条件对镀膜长度和效率的影响。 适合人群:从事材料科学、物理气相沉积(PVD)技术研究的专业人士,尤其是关注薄膜制备工艺的研究人员和技术人员。 使用场景及目标:①理解磁控溅射过程中如何通过数学模型预测和控制薄膜厚度分布;②学习如何利用掩模技术实现特定的厚度梯度;③掌握优化屏蔽罩开口宽度以提高镀膜均匀性和效率的方法;④探索不同初始条件对镀膜效果的影响,寻找最优工艺参数。 其他说明:论文提供了详细的理论推导、模型构建及其实现代码,包括但不限于余弦定律、高斯分布、掩模优化算法等。这些工具可以帮助读者深入理解磁控溅射过程中的物理现象,并为实际应用提供指导。同时,文中还讨论了模型的局限性和改进方向,如边缘区域的理论预测偏差等问题。
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