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原创 最简单方法 设置matlab坐标轴刻度标签的字号，设置坐标轴标题和图形标题，并指定字号。画出的图片背景设置为白色，

设置图形窗口背景为白色set(gca, 'Color', 'white');% 设置坐标轴区域背景为白色，如果坐标轴有网格等，可能会覆盖。

原创 comsol材料选项中的自动材料属性如何去除

comsol材料选项中的自动材料属性（下图第一红框）如何去除：把Wave Equation下的“Electric Displacement Field”下的“Relative permeability”改为“Refrative index”即可。图2 去除后（正确设置）

原创 上述数据中有“%”不能直接导入到matlab为矩阵，MATLAB中怎么设置一行代码忽略“%的内容”将数据直接导入？

更详细地load('Users\Lenovo\Desktop\data.txt')会被忽略，但后面的数据行都是以数字开头的，所以会被正确加载。开头的行默认会作为注释忽略，但对于你的数据格式，第一行。

原创 word里 mathtype的公式和后面标号（1）不在同一行的 标号（1）的竖直要在公式的正中间位置 怎么解决

word里 mathtype的公式和后面标号（1）不在同一行的 标号（1）的竖直要在公式的正中间位置 怎么解决。选中编号，在字体设置中调整"位置"为"提升"或"降低"

原创 word中图片四周出现8个灰点 不能被改变格式，图片总串行 怎么结局 最上面中间的黑点链接一个绿点 能让图片转动 怎么去掉这个格式

word中图片四周出现8个灰点 不能被改变格式，图片总串行 怎么结局 最上面中间的黑点链接一个绿点 能让图片转动 怎么去掉这个格式。

原创 Kop的概念

原创 GaAs的波长吸收示意图

原创 光纤高阶模式产生的原因 NA数值孔径的物理意义

总而言之，光纤激光器产生高阶模式并非单一因素所致，而是“波导结构支持”和“外部扰动激发”共同作用的结果。根本前提：光纤的V参数设计使得它理论上就支持高阶模式（LMA光纤的固有矛盾）。激发诱因：泵浦条件、热效应、机械弯曲/应力、腔失调、熔接点缺陷等外部因素，破坏了理想的基模传播环境，提供了将能量从基模耦合到高阶模式的“通道”。为了获得高功率、高光束质量的基模输出，现代高功率光纤激光器设计必须精心平衡大模场面积与模式控制之间的矛盾，通常需要结合低NA设计弯曲选模特种光纤（如光子晶体光纤、手征耦合芯光纤）以及。

原创 边发射激光器 高阶模式产生原因示意图

原创 COMSOL软件中 PEC（理想电导体） 和PMC（理想磁导体） 的区别。

PEC是电导率无限大的理想材料。电场（E场）垂直于PEC表面。磁场（H场）平行于PEC表面。PMC是与PEC对偶的理想材料。它具有无限大的磁导率。磁场（H场）垂直于PMC表面。电场（E场）平行于PMC表面。特性PEC（理想电导体）PMC（理想磁导体）核心定义电导率 σ → ∞磁导率 μ → ∞电场 (E)切向分量 = 0法向分量 = 0磁场 (H)法向分量 = 0切向分量 = 0物理存在是真实导体的理想化（如铜、金）自然界不存在，是数学抽象主要应用模拟金属结构、接地、波导壁作为对称边界条件。

原创 半导体激光器的自发发射因子是多大？

自发发射因子β注入的载流子中，通过自发辐射方式贡献到激光模式的载流子比例。β ≈ 1：意味着几乎所有的自发辐射光子都进入了激光模式。这是理想情况。β << 1：意味着只有极少一部分自发辐射光子进入了激光模式，绝大部分都浪费到了非激光模式的方向或频率上（即自发辐射到激光腔外或其他非谐振模式中）。对于您日常见到的大多数商用半导体激光器（如激光笔、光纤通信激光器），其 β 因子通常在 10⁻⁵ 量级。

原创 Meep 和 MPB 软件的关系：姊妹软件

关系：Meep 和 MPB 是由同一核心团队（主要在 MIT）开发的姊妹软件，共享相似的脚本语言（基于 Scheme）和设计哲学。分工MPB 看“状态”Meep 看“过程”。一个用于频域的本征问题，一个用于时域的传播问题。协作：它们共同构成了一个强大的集成化计算光子学仿真平台。通常先用 MPB 分析和设计周期性结构中的模式，再用 Meep 来模拟包含这些结构的实际器件在时域中的动态光学响应。

原创 单模VCSEL的实现方式

基于“分离”限制思路，人们已报道了多种单模氧化限制VCSEL结构(图4)，包括：表面刻蚀VCSEL结构(图4(a))、质子注入/氧化混合孔径VCSEL结构(图4(b))、多氧化孔径VCSEL结构(图4(c))、金属孔径VCSEL结构(图4(d))、Zn扩散孔径VCSEL结构(图4(e))、孔状VCSEL结构(图4(f))、亚波长光栅。(b)质子注入/氧化复合孔径VCSEL结构;(c)多氧化孔径VCSEL结构;(d)金属孔径VCSEL结构;VCSEL结构(图4(h))。结构(图4(g))、

原创 调控材料折射率的几种方法：电 光 热 声 磁 化学 机械等

Deepseek：除了电调控之外，通过热、声、磁等物理场，或者改变材料自身的微观结构，都能有效地调控其折射率。下面这个表格汇总了主要的方法及其核心特点，方便你快速了解。

原创 电调控折射率的材料的种类

材料类型调控机制折射率变化 Δn响应速度驱动电压主要特点液晶分子取向大 (0.1+)慢 (ms)低 (几V)技术成熟，成本低，用于显示电光晶体普克尔效应小 (10⁻⁵-10⁻³)极快 (ps)高 (数百V)高速，稳定，用于通信调制器导电氧化物载流子浓度小-中 (10⁻³)快 (GHz)中-低易集成，用于硅光调制器相变材料晶态变化极大 (1.0+)中 (µs-ns)电脉冲非易失性，用于光子存储二维材料费米能级很小超快 (fs)中-低超快，超薄，前沿研究。

原创 同一种激光模式 高阶模式的产生会降低基模的功率吗 能降低多少？

会不会降低？会。因为模式之间共享有限的增益，存在竞争关系。能降低多少？从微乎其微到几乎完全主导都有可能。泵浦水平：泵浦越高，越容易产生高阶模。谐振腔的选模能力：这是最关键的因素。通过精心设计谐振腔和加入选模元件，可以最大限度地抑制高阶模，使基模功率即使在较高泵浦下也占绝对主导地位。如果您有一个特定的激光器，想知道基模功率被稀释了多少，通常需要通过实验测量其光束质量因子（M²因子）来评估。M²因子越接近1，说明基模纯度越高，高阶模的影响越小。

原创 什么样的吸收缺陷能够增加光的一个偏振态吸收

缺陷类型机制关键特征应用示例形貌缺陷（纳米棒、裂缝）几何各向异性缺陷的物理形状在一个方向上更长，与沿长轴的电场共振。偏振敏感的光电探测器晶体学缺陷（位错、掺杂链）晶体结构各向异性缺陷沿晶体特定方向排列，其电子态与沿该方向的电场耦合更强。二维材料中的偏振光源等离子体缺陷（金属纳米颗粒）表面等离子体共振产生极强的、偏振相关的局域电场增强（“热点”）。表面增强拉曼散射，增强光催化光栅-缺陷耦合谐振腔效应利用光栅筛选偏振，利用腔效应增强吸收。高性能偏振成像传感器总而言之，任何能够。

原创 亚波长光栅和普通光栅相比多出了哪些功能

简单来说，普通光栅是一个“分光”工具，它的主要任务是把不同波长的光在空间上分开。而亚波长光栅是一个“光场调控”平台，它的核心能力是在亚波长尺度上精确地控制光的四个基本属性：振幅、相位、偏振和频率。它不再是简单的“分光”，而是能够替代传统且笨重的棱镜、透镜、波片等一系列光学元件，并将它们集成到一个平坦的芯片上。这正是纳米光子学和超表面技术蓬勃发展的基础。

原创 为什么亚波长光栅能够产生偏振态

厚度通常只有几百纳米，可以集成在芯片表面。非常容易与现有的半导体工艺兼容，是实现硅基光子芯片和超表面的关键元件。可以实现极高的消光比（偏振纯度）和透过率。通过改变局部光栅的结构，可以在一个平面上制造出功能不同的微型光学元件。总而言之，亚波长光栅通过其亚波长的周期性结构，为光在平行和垂直于光栅的方向上设置了截然不同的“通行规则”，从而实现了对偏振态的强大操控能力。它是现代纳米光子学的基石技术之一。常见的偏振光栅类型包括液晶基光栅、表面等离子体激元光栅和光弹性光栅。

原创 反射 折射 衍射 吸收 谁能产生偏振解析

原创 面发射DFB激光器的线光源尺寸（长宽）由什么决定

您可以这样理解：面发射DFB激光器就像一个“漏”的管道。光在管道里来回振荡（DFB反馈），同时不断从管道壁上的“缝”（光栅）漏出去。管道的直径（宽度）是物理加工出来的（脊形波导宽度）。漏缝的疏密和大小（κ）决定了光在多长一段管道内漏完（发光长度）。而管道的总长（腔长）必须大于漏光的那一段。因此，要精确控制面发射DFB激光器的线光源尺寸，关键在于协同优化光栅的设计（控制长度和发射效率）与脊形波导的设计（控制宽度和横模特性）。

原创 Fano共振的线宽是如何被定义的

原创 μ₀（真空磁导率）和 ε₀（真空介电常数）的起源

这两个常数紧密相连，其历史与我们对电、磁和光速的认识过程交织在一起。来源于“安培”的定义。最早，安培被定义为“能在真空中在相距1米的两根无限长平行直导线之间产生每米 2×10⁻⁷ 牛顿力的电流”。根据安培定律，这个力的大小由公式决定。将d = 1 m代入公式，你就能直接解出：(牛顿每安培平方) 或H/m(亨利每米)。所以，μ₀ 的数值是精确的、被定义的，而不是测量得到的。它是安培定义的直接后果。来源于“库仑”和光速。。这里的1/(4πε₀)是一个巨大的比例常数。

原创 为什么同一个电磁波的磁场强度H要比电场强度E小很多？

数值差异的原因：同一个电磁波中，电场E比磁场H大很多（约377倍），是因为自由空间的特性阻抗（η₀ ≈ 377 Ω）决定了它们的比值E/H必须是一个固定常数。根本来源：这个常数是由宇宙的基本物理常数——真空磁导率（μ₀）和真空介电常数（ε₀）决定的。能量守恒：尽管数值不同，但电场和磁场承载的能量是完全相等的，它们共同组成了电磁波的能量。数值上的差异是为了平衡μ₀和ε₀的大小，以确保能量均分。因此，当我们说“H比E小很多”时，我们只是在比较它们的数值，而它们的物理重要性是完全同等的。

原创 一、如何用MATLAB画一个三角形 代码

修改颜色：替换'r''b''g'为其他颜色（如'm'（品红）、（灰度）或 RGB 三元组（如[1,0.5,0]橙色）。添加标签text(0, 0, '顶点A');text(1, 0, '顶点B');text(0.5, 1, '顶点C');旋转三角形：修改顶点坐标（如旋转45°）：% 45度 R = [cos(theta), -sin(theta);% 旋转矩阵 rotated_pts = [x;y]' * R;% 应用旋转 x_rot = rotated_pts(:,1);

原创 lumerical FDTD 光场相位计算脚本代码，点monitor：f-phase；面monitor：面位置xy-phase，面monitor：线位置x/y-phase。

#使用getdata获取T所在位置的光波相位H=getresult("analysis group2 point phase::shuiping1","Hz");phase=angle(H);phase=pinch(phase);#使用getresult获取光波的频率fH=getresult("analysis group2 point phase::shuiping1","H");f=H.f;#绘制f-phase曲线plot((c/f)*10^9,phase,"wl H","pha")

原创 lumerical FDTD 计算相位代码

使用getdata获取T所在位置的光波相位。#使用getresult获取光波的频率f。#使用getnamed获取监视器T位置。#使用get获取光源位置。#绘制f-phase曲线。

原创 多层高反膜反射率R计算公式：等效折射率法

多层高反膜反射率R计算公式：等效折射率法

原创 传输矩阵法计算多层高反膜 反射率R，matlab代码

传输矩阵法计算多层高反膜  反射率R，matlab代码 

原创 AlxGa1-xAs的PL共振峰波长

AlxGa1-xAs的PL共振峰波长

原创 InxGa1-xAs， AlxGa1-xAs， GaAs， AlAs 等效折射率计算理论

InxGa1-xAs的等效折射率计算理论。AlxGa1-xAs的等效折射率计算理论。AlAs的等效折射率计算理论。GaAs的等效折射率计算理论。

转载 FDTD Script 远场图-farfield3dintegrate/farfieldspherical

以theta为x轴，farfieldspherical为轴，"theta"为x轴名称，“E^2”为y轴名称，“E^2 at phi=0”为图片名称，进行作图。#以theta为x轴，phi为y轴，对z进行作图，“theta”为x轴名称，“phi”为y轴名称，“E2”为图片名称。

转载 matlab如何统计某个元素出现次数

原创 matlab不用建立网格 画二维散点伪彩图 code

函数用于绘制散点图，第三个参数是点的大小，(rand(1, 100) * 40)生成100个颜色值来动态设置每个点的颜色。使用JET颜色映射来确定颜色。函数用于在图旁边显示颜色条。参数指定点是填充的。

转载 matlab绘图修改坐标轴数字字体大小及坐标轴自定义

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。原文链接：https://blog.youkuaiyun.com/Time_Memory_cici/article/details/135533181。在matlab使用plot函数绘图后，生成的图片坐标轴数字字体大小及间隔可能并不符合我们的要求，因此需要自定义修改，具体方法如下。不仅可以修改坐标轴数字字体大小，还可以修改字体类型。该命令的意思为横坐标区间为0-20，间隔5取值。二、修改坐标轴数字字体大小。

原创 FDTD 周期边界条件 布洛赫边界条件

对称和反对称边界条件是针对具有特定对称性的结构的边界条件。在对称边界条件下，波在结构的对称点处的电场强度相等但相位相同；这些条件通常用于处理具有特定对称性的结构，如波导或谐振腔，它们可以简化计算并提高模拟的准确性。在这种情况下，周期边界条件可以简化计算，并且可以有效地模拟无限大的周期性结构。布洛赫定理指出，在周期性势中，波函数可以表示为平面波和周期函数的乘积，其中平面波的波矢量与周期性势的倒格矢量有关。布洛赫边界条件是周期边界条件的推广，它允许波在周期性结构中的传播，并且考虑了波在结构的边界处的相位变化。

转载 Lumerical FDTD 导入自定义涡旋光束

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转载 Ansys Lumerical FDTD导入自定义光源代码

然后，该脚本将数据打包到数据集（import_data.mat）中，并使用 importdataset 函数将该数据加载到 Import 源中。数据也会保存到 .mat 文件中，稍后可以通过编辑其属性并按“导入源”按钮将该文件加载到导入源中，如下所示。求解器将尝试注入指定的任何字段，但必须认识到指定非物理字段可能会导致仿真错误。例如，可能存在功率归一化问题、源反向反射或指定注入场与实际注入场之间的差异。脚本文件中的默认设置将创建径向偏振波束，但您可以修改脚本中“pol”变量的值以指定方位偏振波束。

原创 半导体激光器中，量子阱两边的Spacer层和Barrier层通常指的是相似的概念

Barrier层，也称为势垒层，通常是由具有较大带隙的材料构成，位于量子阱层之间或量子阱层与包层之间。Spacer层在某些文献中可能被用来指代Barrier层，但Spacer层更常见的含义是指在半导体制造过程中，用于隔离栅极两侧的绝缘层。在这种情境下，Spacer层的作用是形成环绕多晶硅栅的氧化介质层，以防止漏极和源极之间的直接连接，从而减少栅极漏电流和提高器件的性能。在半导体激光器中，量子阱两边的Spacer层和Barrier层通常指的是相似的概念，但它们在细节上可能有所不同。

原创 在半导体激光器中，p包层上面的cap layer（覆盖层或帽层）的作用

综上所述，cap layer在半导体激光器中发挥着至关重要的作用，它不仅能够改善结晶性和延长寿命，还能调控载流子浓度、提高发光效率和光谱纯度，以及保护有源层和p包层。这些特性使得半导体激光器在通信、医疗、科研等领域具有广泛的应用前景。在半导体激光器中，特别是涉及p型包层（p-clad layer）的结构时，位于p包层上面的cap layer（覆盖层或帽层）具有多重重要作用。