Tapestry绑定的作用与实现

Binding是Tapestry框架中的核心机制之一,用于组件实例参数的数据传递。它充当页面与组件之间的桥梁,允许组件在必要时获取所需数据,而无需了解数据来源。本文介绍了Binding的基本概念、作用及其实现方式。

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  Binding是Tapestry一个非常重要的组成部分,同时也是开发者很少接触的部分。绑定是用于为组件实例定义的参数提供数据的机制。有了绑定机制,组件就不必知道数据的来源,它需要的只是在必要的时候可以获取数据。
    绑定在包含该组件的定义文件或模版文件内设置。绑定可以是静态的,或动态的(这不是由组件自身决定的)。组件也可能使用绑定将一个值写回其它对象(典型的是写回某一个组件)。
    简单点说,绑定是页面和组件(确切的说是组件与其容器)的桥梁。页面通过帮定将数据通过绑定传递给组件,组件通过绑定将获取所需要的数据。特别是如果一个组件允许使用非正式参数的时候,绑定就必不可缺了。所有的非正式参数都会作为绑定赋给组件。

上图描述了绑定的所处的地位。以及一些实现了的绑定规则。
    Tapestry组件的使用是通过模板或定义文件完成的。当页面生成的时候页面识别出某个组件,并完成该组件的生成工作之后会根据不同的绑定规则生成不同的绑定实例,并将其设置给组件。比如说常用的"asset:","ognl:","listener:"等。上图中AssetBinding和Expessing就是对应于"asset",和"ognl:"两种绑定。 



资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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