HC32 flash 读写操作

南国红枫叶

已于 2022-10-11 15:28:41 修改

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分类专栏：华大HC32 文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2021-06-19 20:24:36 首次发布

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/zhaopenglihui/article/details/118057268

本文详细介绍了HC32F4A0微控制器的Flash特性，包括其双Bank结构、OTP区域配置以及编程、擦除操作。重点讲述了Flash操作与时钟的关系，强调了编程时等待周期的设置，并提供了初始化和编程示例代码。此外，还阐述了单次编程无回读、有回读和连续编程模式，以及扇区和全擦除功能。示例代码展示了如何进行安全的Flash读写操作，包括解锁寄存器、扇区保护以及错误处理机制。

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HC32 flash 简介

HC32F4A0 的flash是两块独立 FLASH 构成 dual bank。容量高2Mbytes，由两块 1Mbytes 的 FLASH 构成，共 256 个扇区，每个扇区为8Kbytes。块 0 中扇区 0~扇区 15 为可配置为 OTP 区域。

OTP(One Time Program)区域共 134KBytes，其中 128Kbytes 配置在块 0 地址0x0000_0000~0x0001_FFFF， 6Kbytes 配置在地址 0x0300_0000_{0x0300_17FF。地址0x0300_1800}0x0300_1AD7 为 OTP 数据锁存区。
编程单位为 4bytes,擦除单位为 8Kbytes
+

HC32 flash 操作和时钟之间的关系

要正确读取 FLASH 数据，用户需要根据 CPU 动作频率在 FLASH 读模式寄存器
(EFM_FRMC)中正确设定等待周期数(FLWT[3:0])。具体可以参照下表进行相关设置。

在这里插入图片描述
对应相关处理在flash 初始化的时候，更改stc_efm_cfg_t结构体中的u32waitcycle.
eg

int Init(void)
{
   
    /*
     * Clock  <= 40MHZ            EFM_WAIT_CYCLE_0
     * 40MHZ  < Clock <= 80MHZ    EFM_WAIT_CYCLE_1
     * 80MHZ  < Clock <= 120MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_2
     * 120MHZ < Clock <= 160MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_3
     * 160MHZ < Clock <= 200MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_4
     * 200MHZ < Clock <= 240MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_5
     */
     
    stc_efm_cfg_t stcEfmCfg;
    en_int_status_t flag1;
    en_int_status_t flag2;

    //解锁对应的寄存器
    UnLock_Flash();

    EFM_StructInit(&stcEfmCfg);     //初始化结构体
    //stcEfmCfg.u32BusStatus  = EFM_BUS_RELEASE; /* Bus release while programming or erasing */
    stcEfmCfg.u32WaitCycle = EFM_WAIT_CYCLE_5; // 5-wait @ 240MHz 
    EFM_Init(&stcEfmCfg);                      // 初始化
    
    do{
   
        flag1 = EFM_GetFlagStatus(EFM_FLAG_RDY0);
        flag2 = EFM_GetFlagStatus(EFM_FLAG_RDY1);
    }while((Set != flag1) || (Set != flag2));  // 等待flash0 和 flash1 准备就绪
    
    /* 加锁所有扇区 */
    Lock_Flash();
    return 0;
}

Flash 的读写操作

FLASH 支持编程，扇区擦除，全擦除操作。FLASH 编程，扇区/全擦除地址末位必须以 4 对齐(末位地址为： 0x0， 0x4， 0x8， 0xC)，编程单位是 4bytes， 扇区擦除单位为 8Kbytes，全擦除根据寄存器设定可以是单个 FLASH块也可是两个 FLASH 块。 FLASH 编程方式分为单次编程无回读模式，单次编程回读模式，连续编程模式三种。 FLASH 编程，擦除期间，设定 EFM_FWMC.BUSHLDCTL=0，则总线被占有，直至擦写结束； EFM_FWMC.BUSHLDCTL=1，则总线被释放，总线可以继续访问另一块 FLASH 地址。 FLASH 编程，擦除前，请把缓存使能及预取指无效。

解锁寄存器

复位解除后， FLASH 编程，擦除模式寄存器（ EFM_FWMC）处于写禁止状态，需要先解除 FLASH 访问保护寄存器（ EFM_FAPRT），然后再解除 EFM_KEY1 的保护.

解除 FLASH 寄存器访问写保护(EFM_FAPRT 先写 0x0123，再写 0x3210)
解除 EFM_KEY1 锁定(EFM_KEY1 先写 0x01234567，再写 0xFEDCBA98)
对应的库函数为EFM_Unlock（），EFM_FWMC_Unlock（）；在调用的时候一定是先EFM_Unloc() 后EFM_FWMC_Unlock；

单次编程无回读功能

在这里插入图片描述

单编程有回读

在这里插入图片描述
eg

int32_t main(void)
{
   
    stc_efm_cfg_t stcEfmCfg;
    en_int_status_t flag1;
    en_int_status_t flag2;
    uint32_t u32Data = 0xAA5555AAU;
    uint32_t u32Addr;

    /* Unlock peripherals or registers */
    Peripheral_WE();

    /* Configure system clock. HClK = 240MHZ */
    BSP_CLK_Init();
    /* EFM default config. */
    (void)EFM_StructInit(&stcEfmCfg);
    /*
     * Clock <= 40MHZ             EFM_WAIT_CYCLE_0
     * 40MHZ < Clock <= 80MHZ     EFM_WAIT_CYCLE_1
     * 80MHZ < Clock <= 120MHZ    EFM_WAIT_CYCLE_2
     * 120MHZ < Clock <= 160MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_3
     * 160MHZ < Clock <= 200MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_4
     * 200MHZ < Clock <= 240MHZ   EFM_WAIT_CYCLE_5
     */
    stcEfmCfg.u32WaitCycle = EFM_WAIT_CYCLE_5;
    /* EFM config */
    (void)EFM_Init(&stcEfmCfg);

    /* Wait flash0, flash1 ready. */
    do{
   
        flag1 = EFM_GetFlagStatus(EFM_FLAG_RDY0);
        flag2 = EFM_GetFlagStatus

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