影响cmos阈值电压的因素

最新推荐文章于 2024-10-23 23:11:11 发布
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分类专栏： cmos工艺 阈值电压 文章标签： cmos工艺 阈值电压
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/zhangzker/article/details/94394362
本文深入探讨了影响CMOS阈值电压的五大核心因素，包括栅氧化层厚度、衬底费米势、金属半导体功函数差、耗尽区电离杂质电荷面密度及栅氧化层中的电荷面密度，为理解CMOS器件性能提供了关键视角。

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影响cmos阈值电压的因素：

1、栅氧化层厚度TOX

2、衬底费米势

3、金属半导体功函数差

4、耗尽区电离杂质电荷面密度

     耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比

5、栅氧化层中的电荷面密度Qox

 

 

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