【STM32学习笔记】DS18B20温度传感器工作时序和编程指南

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/yy199806/article/details/133075512

本文详细讲解了DS18B20温度传感器的存储器结构，1Wire Bus单总线的初始化、写读时序，以及在STM32上的应用流程，包括读取ROM序列和温度转换。提供了基于STM32F103ZET6的工程代码示例。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

前言

本章先介绍了DS18B20的存储器结构和控制命令，又介绍了单总线协议的时序和代码实现，最后介绍了DS18B20典型的应用，温度读取和ROM读取，并给出了实现代码。

首先来看实验结果，注意ROM值打印的是10进制

基于STM32F103ZET6的完整工程代码，请到资源页下载：https://download.youkuaiyun.com/download/yy199806/88359806

具体包括8位产品类型标号（0x28）+48位自身序列号+8位CRC（前56位的校验码）

可以将这64位序列理解为DS18B20的地址，当总线上挂接多个传感器时，通过5种ROM FUNCTION命令，可以用来寻址并选择出目标传感器，同时被选择的传感器可以被主机访问，具体的ROM命令如下表所示：

ReadRom [33h]	适用于只有1个DS18B20时，读取ROM序列
MatchRom [55h]	适用于多个传感器，主机发完命令紧接着发ROM序列，选择出对应的传感器，被选择的传感器的可以被主机读写、控制。
SkipRom [CCh]	适用于单个传感器，作用和MatchRom相同，区别是不需要再寻址(写ROM地址).
SearchRom [F0h]	通过一个深度优先遍历二叉树算法，来获得总线上所有传感器的ROM序列；
AlarmSearch [ECh]	只获得总线上产生报警的传感器的ROM序列。

如上图所示，RAM是可以直接被主机读写的存储器，具体包括LSB、MSB、TH、TL、Config、CRC和3个保留字节，共9个字节。

（1）如下图所示，配置寄存器（Config）只有高3位有效，最高位是工作模式的选择（1测试、0工作），日常使用默认为0，无需更改；后两位R1R0是分辨率设置，出产默认为11，即12位精度（分辨率0.0625度，转换时间750ms）。还可以手动设置其他三种精度，如下表所示：