引导页 指示点

本文介绍了一种实现视图渲染、测量指定位置并绘制红点的方法,并详细讲解了如何通过监听ViewGroup的滑动事件来更新这些红点的位置。此外,还介绍了计算两个指示点间距的具体实现。

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1、视图渲染-测量-指定位置-绘制

ivRedPoint.getViewTreeObserver().addOnGlobalLayoutListener(new MyOnGlobalLayoutLisener());

2、两个指示点的间距

class MyOnGlobalLayoutLisener implements ViewTreeObserver.OnGlobalLayoutListener{

        @Override
        public void onGlobalLayout() {
//取消注册
            if (Build.VERSION.SDK_INT >= Build.VERSION_CODES.JELLY_BEAN) {
 ivRedPoint.getViewTreeObserver().removeOnGlobalLayoutListener(this);
            }
            //间距 = 第1点距离左边的距离 - 第0个距离左边的距离
            marginLeft = llPointGroup.getChildAt(1).getLeft() - llPointGroup.getChildAt(0).getLeft();
        }
    }

3、ViewGroup 滑动事件监听

class MyOnPageChangeListener implements ViewPager.OnPageChangeListener{

        /**
         * 当页面滚动了的时候回调
         * @param position 当前哪个页面滚动
         * @param positionOffset 页面滑动的百分比
         * @param positionOffsetPixels 页面滑动多少像数
         */
        @Override
        public void onPageScrolled(int position, float positionOffset, int positionOffsetPixels) {
            float leftMagin = (position + positionOffset)*marginLeft;

            RelativeLayout.LayoutParams params = (RelativeLayout.LayoutParams) ivRedPoint.getLayoutParams();
            params.leftMargin = (int) leftMagin;
            ivRedPoint.setLayoutParams(params);
            //最终的坐标 = 起始 + 间距间的滑动距离
        }

        @Override
        public void onPageSelected(int position) {
            if(position ==imageViews.size()-1){
                //最后一个页面
                btnStartMain.setVisibility(View.VISIBLE);
            }else{
                //隐藏
                btnStartMain.setVisibility(View.GONE);
            }
        }

        @Override
        public void onPageScrollStateChanged(int state) {

        }
    }
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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