S3C2440如何从NAND FLASH中启动

S3C2440如何从NAND FLASH中启动 

 

       S3C2440可以配置从NOR FLASH中启动，也可以配置成从NAND FLASH中启动，从NOR FLASH中启动比较好理解，因为NOR FLASH和RAM一样可以通过总线访问，cpu可以直接执行NOR FLASH中的程序，但是CPU不能直接通过总线访问到NAND FLASH中的程序，要从NAND FLASH中启动就要做些工作了。S3C2440的解决办法是在芯片内置了4k的RAM，叫做Steppingstone，在启动代码执行前先将NAND FLASH中的数据自动的复制到Steppingstone中去，然后CPU再从Steppingstone中执行启动代码。

 

       这里就有一个问题，在CPU没有执行任何启动代码之前，CPU是怎么知道NAND FLASH是如何驱动的？大家都知道要驱动某种控制器，必须在该控制器的相关寄存器设置一些参数的，控制器根据相关参数才能驱动外围电路，这需要CPU执行相关代码。但是将NAND FLASH中的数据自动的复制到Steppingstone中这一过程显然是在CPU执行任何代码之前就已经完成了。NAND FLASH控制器是怎么得到相关参数的？

 

       其实，这些参数是通过管脚配置的形式让NAND FLASH控制器得到的，在S3C2440上电后，NAND FLASH控制器通过某些管脚的状态来获取相关参数，再根据这些参数来控制NAND FLASH从中读取4k的内容移动到Steppingstone中去。这些管脚分别是NCON、GPG13、GPG14、GPG15。

 

各管脚的含义如下：

NCON： NAND flash 类型选择

低电平：小页FLASH

高电平：大页FLASH

 

GPG13： NAND flash 页容量选择

低电平：一页大小为256字(NCON 为低) 或者 一页大小为1K字(NCON 为高)

高电平：一页大小为512字(NCON 为低) 或者 一页大小为2K字节(NCON 为高)

 

GPG14： NAND flash 寻址周期

低电平：寻址周期为3(NCON 为低) 或者 寻址周期为4 (NCON 为高)

高电平：寻址周期为4(NCON 为低) 或者 寻址周期为5 (NCON 为高)

 

GPG15： NAND flash 总线宽度选择

低电平：8位线宽

高电平：16位线宽

 

最后，要注意在自动将NAND FLASH开始4k的内容移动到Steppingstone的过程中是没有数据校验的，因此NAND FLASH开始4k的内容不能有位错误。

 

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        s3c2440首先从nand flash中读取前4K字节的程序到其内部自带的4K字节的sram中，然后，再从此ram中开始执行此程序。在此程序中要完成的最重要的任务是初始化SDRAM和nand flash读写控制器，然后把nand flash中的完整程序复制到sdram，接下来，跳转到sdram中，执行完整的程序，由此完成启动任务。