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原创 门电路与门

电平图和真值表。

2025-01-21 10:03:04 107

原创 复合的逻辑运算

表达式: Y = (A*B)’

2025-01-16 09:08:00 210

原创 cadence画图的一些注意事项

第4层和第5层电源平面和地平面之间的芯板Core的厚度要尽可能小,以降低第4层电源平面的特性阻抗,使第4层和第5层的电源平面与地平面具有较好的电容去耦特性。电源平面和1个地平面,在电源平面和地平面之间夹有两个信号层,电源平面和地平面之间不存在任何的去耦作用,在处理电源层时可适当添加电源引脚的去耦电容,降低电源和地之间的特性阻抗。此方案有4个布线层,1个。方案采用了4层信号层和2层内部电源/接地层,具有较多的信号层,有利于元器件之间的布线,但该方案的缺陷也较为明显,表现为以下两个方面。

2025-01-14 13:36:17 779

原创 数字电路基础

基本的逻辑运算

2025-01-14 13:13:39 225

原创 EXMC 驱动SDRAM

(Bank0)又被划分为4个区域,每个区域为64Mbytes,Bankx(x=1,2)被划分为两个空间,分别是属性存储空间和公共存储空间,Bank3被划分为三个空间,分别是属性存储空间、公共存储空间和I/O存储空间,每个bank或区域都有独立的片选控制信号,可以独立配置,Bank0用于NOR和PSRAM设备访问,Bank1和bank2用于NAND Flash的独占访问,Bank3用于PCCard的访问,SDRAM Device0和Device1用于同步DRAM(SDRAM)的访问。

2025-01-02 18:02:41 1067 1

嵌入式系统中外接存储控制器EXMC的功能特性与应用 - 解析多种外部存储器接口及配置方法

内容概要:本文档详细介绍了外部存储器控制器(EXMC)的工作原理和技术规格,尤其聚焦于同步动态随机存取存储器(SDRAM)的控制机制。具体而言,文中解释了EXMC的基本概念及其对外部存储器的支持情况,包括但不限于SRAM、PSRAM、NOR Flash以及SDRAM等类型,并深入探讨了针对不同类型存储器所涉及的时序配置参数、地址映射策略等方面的细节。特别指出的是,关于SDRAM的讨论覆盖从IO配置直至完成读写操作的所有流程,如初始设定、刷新机制、预充电子过程、读取与写入访问控制等内容都被涵盖。 适用人群:本指南适用于硬件工程师、嵌入式开发人员和其他需要了解或实施外设接口解决方案的专业人士。 使用场景及目标:对于希望通过单一接口支持多类非易失性和挥发性的外部存储器件的设计项目来说至关重要;有助于开发者更好地理解和优化基于EXMC的产品设计方案;同时,该文提供的技术细节也有利于加速产品研发进程,提高产品的性能指标。 其他说明:除了详尽的功能描述外,本文档还包括丰富的配置实例,能够引导用户快速掌握关键点,确保其顺利开展实际工作中遇到的相关任务。此外,它还涵盖了对常见问题和技术挑战的有效应对措施,使得即使缺乏经验的新手也能获得宝贵指导。

2025-01-02

空空如也

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