风花雪月，品霖千年之情

堆（Heap）大根堆、小根堆文章目录堆（Heap）大根堆、小根堆Heap是一种数据结构堆的存储堆的操作：insert堆的操作：Removemax堆的操作：buildHeap 堆化数组堆排序Heap是一种数据结构具有以下的特点：1）完全二叉树；2）heap中存储的值是偏序；Min-heap: 父节点的值小于或等于子节点的值；Max-heap: 父节点的值大于或等于子节点的值；堆的存储一般都用数组来表示堆，i结点的父结点下标就为(i–1)/2。它的左右子结点下标分别为2 *

问题场景：最近在看计算机软考的东西，思考了一个问题，对于大牛来说，也许比较幼稚，但是我还是想记录一下。问题描述：为什么原码反码补码总说N+1位，用这个前提去讨论它的范围呢？说说N位不是很好嘛？ 原因分析：后来才发现，其实是我自己太片面了，如果讨论N+1位字长。第一：可以在公式里面用N表示出数值的范围，也比较方便第二：多出来的+1是因为有符号数第一位表示的是符号，不参与数值的范围计算。...

一. 机器数和真值在学习原码, 反码和补码之前, 需要先了解机器数和真值的概念.1、机器数一个数在计算机中的二进制表示形式, 叫做这个数的机器数。机器数是带符号的，在计算机用一个数的最高位存放符号, 正数为0, 负数为1.比如，十进制中的数 +3 ，计算机字长为8位，转换成二进制就是00000011。如果是 -3 ，就是 10000011 。那么，这里的 00000011 和 10000011 就是机器数。2、真值因为第一位是符号位，所以机器数的形式值就不等于真正的数值。例如上面的有符号数

单管动态基本单元电路的功能简单分析下动态单管基本单元电路的读写过程，水平的是数据线，垂直的位线是控制线。两种控制线复用，两种数据线复用。这就是集成度提高的原因。具体系统分辨出位线何时充当读控制线，何时充当写控制线，我们还不清楚，但是不影响我们理解这个读写的机制。位线显示为读控制时，电容和数据线导通，电容中有电荷时，数据线有电流通过，读出信号1。电容中无电荷时，数据线中没有电流通过，读出数据为0。写的过程更为简单，无论是三管还是单管，写过程普遍比较简单。位线显示为写控制时，数据线上有电荷，那么电容就不停地

动态RAM的基本单元电路常见的动态RAM基本电路由三管式和单管式两种，他们的共同特点都是靠电容来储存电荷，以此来寄存信息，如果电龙上有足够多的电荷，那么就表示存储了一如果电容上没有电，表示存储的零，但是电容上的电荷一般只能维持1到2毫秒，所以动态rm必须在两毫秒内把所有的储存单元恢复一次原状态，这个过程就叫做刷新...

静态RAM读写时序分析我们可以看到，在这个图里面是RAM芯片读周期时序在读周期时序的时候，we一直都是高电平，因为他决定了读的动作，CS低电平的时候有效她决定了，读入三态门的打开，就是输入三态门的打开，我们可以看到a有个交叉点，就是电频的交错点，而两个交错点之间的时间trc，也就是芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间，在dout电变化之后都是属于数据有效阶段，而当CS电变化为低电平时，输出三态门打开，当CS电瓶再次变为高电，平时数据逐渐趋于稳定阶段，Dout的电平也不再为零。...

今天我们来看一下计算机主存中存储单元地址分配的一个实例