MOSFET热仿真

最新推荐文章于 2025-06-27 16:12:30 发布
转载 最新推荐文章于 2025-06-27 16:12:30 发布 · 2.1k 阅读 · 9 ·
CC 4.0 BY-SA版权
原文链接：https://wenku.baidu.com/view/2c1b8bceda38376baf1fae78.html

jacksong2021
关注
半导体器件仿真：MOSFET仿真_（12）.MOSFET高级仿真技术
2401_87715305的博客
06-29 1009
MOSFET高级仿真技术涉及多个方面，包括物理模型的选择、数值方法的使用、参数优化和性能评估。选择合适的物理模型是确保仿真准确性的基础，而数值方法的选择则直接影响到仿真的计算效率和稳定性。参数优化和性能评估是提高仿真可靠性和精度的重要手段。通过综合运用这些方法，可以有效地进行MOSFET器件的仿真和优化。
半导体器件仿真：MOSFET仿真_（8）.MOSFET可靠性仿真
2401_87715305的博客
06-28 795
在半导体器件设计和制造过程中，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的可靠性是一个至关重要的指标。MOSFET可靠性仿真的主要目的是评估和优化器件在不同工作条件下的长期稳定性和可靠性，从而确保其在实际应用中的性能。可靠性仿真涉及多种效应，如热效应、电迁移、氧化层击穿、热载流子注入等。本节将详细介绍这些效应的基本原理和仿真方法，并提供具体的代码示例。
MOSFET热模型与仿真
Loadingzc的专栏
06-25 1200
MOSFET热模型的建模
使用infineon SPICE模型进行功率MOSFET热仿真
Loadingzc的专栏
06-27 1741
MOSFET热仿真，反极性以及短路工况
元器件应用中的对浪涌电流导致的MOSFET发热的仿真分析
11-07
在大多数应用中，虽然机电继电器在历史上一直是主要的负载开关，但随着技术进步，MOSFET的导通电阻已近于理想开关(RDS(ON)=0Ω)，所以，最近几年MOSFET在蚕食继电器的领地。但MOSFET的导通电阻仍大于相应的继电器导通电阻。这样，当采用MOSFET进行设计时，就要将热问题考虑在内。 　　当驱动控制的是容性负载时，热因素就变得更加重要。控制容性负载时产生的浪涌电流可变得足够大(约是稳态电流的10倍)从而导致MOSFET的结温(度)升超过其最大允许值。这样，当要在一系列电气和环境条件下预测结温度时，模拟就是个非常有用的方法。 　　预测MOSFET结温度有几种方法，但大多依赖一个固定
包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型
10-23
功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的Pspice模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE 等效热模型，这个模型提供发热和电气参数之间的动态关系。
精选资源
MOSFET SILVACO仿真
05-28
通过分析这些例子，我们可以掌握如何使用SILVACO进行MOSFET的TCAD（Technology Computer-Aided Design）模拟，包括但不限于掺杂分布、电场分布、载流子迁移率、热效应等方面的研究。 SILVACO仿真的优势在于其灵活性...
电力电子仿真：电力电子系统的热管理仿真_（2）.热管理基本原理
2401_87715305的博客
03-21 1159
热管理仿真是评估和优化电力电子系统温度管理的重要工具。通过仿真，可以预测器件在不同工作条件下的温度分布，从而设计出更有效的冷却方案。热管理仿真通常涉及热传导、对流和辐射等物理过程，需要综合考虑系统的热源、热路径和冷却方式。常用的热管理仿真软件包括ANSYS Icepak、Flotherm、MATLAB/Simulink等。这些软件提供了强大的建模和仿真功能，可以帮助工程师在设计阶段就解决热管理问题。
精选资源
TCAD仿真MOSFET
02-14
TCAD（Technology Computer-Aided Design）仿真是一种在微电子领域...而"TCAD-Simulation-MOSFET-master"这个文件可能包含了完整的仿真项目，包括设置、结果分析和报告，对于学习和研究MOSFET的TCAD仿真非常有价值。
电路板热仿真覆铜率，功率，结温，热阻率信息计算获取方法总结
m0_65045582的博客
08-03 1068
电路板热仿真操作是一个复杂且细致的过程，旨在评估和优化电路板内部的热分布及温度变化，以确保电子元件的可靠性和性能。本文简述在进行电路板的热仿真时，元器件热信息的计算方法。
实验报告4(MOSFET工艺器件仿真)
05-18
实验报告4(MOSFET工艺器件仿真)
功率 MOSFET 的热特性
2303_77116490的博客
04-15 992
功率 MOSFET 的质量取决于器件直流电特性及开关特性的表现，而安全性通常由热特性所决定。这是因为在器件失效相关的因素中，热特性所占的比重最大，高达74% 。
电路设计仿真软件：Mentor Graphics_（7）.MentorGraphics热仿真与优化
kkchenjj的博客
02-09 1032
在几何编辑器中创建电路板的三维模型。添加电路板的各层，包括铜层、绝缘层和基板。
MOSFET热阻是怎么测的？
ming_mike的博客
01-13 4260
本文介绍了Power MOSFET的热阻的测量方法
学习笔记：电子元器件之MOS管，附上几个常用MOS管电路和仿真。
qq_43547520的博客
09-21 4386
MOS管是一种常用的电子元器件。
Multisim仿真电路：（十一）MOS管的仿真
热门推荐
lh8610919963的博客
04-27 1万+
mos管的各种应用
电热仿真基础知识
weixin_44648688的博客
07-24 5701
做电热仿真，有一页设置，上面其实给出了关于热量的参数：传递，导热系数。 以此，来讲讲关于热的基础知识。 01.传导方式 热量传递三种基本方式：热传导（Heat conduction），热对流（Heat convection），热辐射（Thermal radiation）。 02.导热系数 导热系数反映的是物质的导热能力，可以理解为物质的固有能力，因为这种能力是由物质的原子或分子结构本身决定的。 产品中所用的PCB板，是FR4与铜组成的复合结构。FR4环氧树脂导热系数0.2~0.8 W/(m·K)，铜的导
MOS管热设计及发热分析详解
qq_41101163的博客
07-23 5957
MOS管热设计，发热分析 MOS管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在IC设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，尤其在大功率半导体领域。然而大功率逆变器MOS管，工作的时候，发热量非常大，如果MOS管散热效果不好，温度过高就可能导致MOS管的烧毁，进而可能导致整个电路板的损毁。 MOS管的热设计，避免MOS因为器件发热而造成的损坏，需要做好足够的散热设计。若通过增加散热器和电路板的长度来供所有MOS管散热，这样就会增加机箱的体积，同时这种散热结构，风量发散，散热效果不好。有些大功率逆变器MOS管会安装
MOS管之热设计热处理
weixin_41935674的博客
12-09 3154
MOS管之热设计热处理 热分析需求 功率MOS管是电路设计中比较常见的器件，经常用在多种开关电路或者防反电路中，电流值从几个mA到几十个A。来一起看下热方面的知识。 1、当MOSFET完全导通时，将产生I2RDS（on）的功率损耗 2、I2RDS（on）的功率损耗将在器件内部或者外部产生温升 3、MOSFET器件可能因温度过高而损坏 一般MOSFET的结点温度都要保持在175°C以下，贴片MOSFET的PCB的温度限值是120°C，所以要保持PCB的温度保持在可承受的限值之内。 PCB设计可以应用不同的技术
利用COMSOL进行MOSFET的热仿真
最新发布
09-13
利用COMSOL进行MOSFET热仿真可按COMSOL使用的通用步骤开展，同时结合MOSFET热效应特点设定参数： 1. **安装COMSOL**：通过官方网站下载并安装COMSOL软件[^3]。 2. **定义几何形状**：在软件的图形界面中，精确地定义MOSFET器件的几何形状，确保与实际器件结构相符[^3]。 3. **选择物理场**：由于是进行热仿真，需要选择热场相关物理场。同时考虑到MOSFET热效应涉及电学因素，如焦耳热由电流通过器件产生电阻损耗导致，所以也要选择电场。此外，还可根据具体情况选择应力场等其他可能影响热分布的物理场[^1][^3]。 4. **设置材料属性**：定义MOSFET器件所使用材料的物理属性，如电导率、热导率等，这些属性对于准确模拟热效应至关重要，例如电导率影响焦耳热的产生[^1][^3]。 5. **定义边界条件**：根据MOSFET的实际工作环境和条件，设置边界条件。例如，确定器件与外界的热交换方式（如对流、辐射），以及电信号的输入输出条件等[^3]。 6. **考虑MOSFET热效应因素**：针对MOSFET热效应的几个主要因素进行参数设置。对于焦耳热，根据电流和电阻关系，结合所设置的材料电导率等属性来模拟电阻损耗产热；对于栅极漏电流产生的热量，设置栅极氧化层的相关参数以模拟漏电流及其产热；对于热载流子效应，设置合适的参数来模拟高能载流子撞击氧化层界面产生的热效应[^1]。 7. **求解方程**：在COMSOL中选择合适的求解器进行求解，以得到MOSFET器件在工作过程中的电场和温度场分布[^3]。 8. **结果可视化**：通过软件的图形界面，对求解结果进行可视化和分析，直观地观察MOSFET器件的温度分布情况，为器件的优化设计提供依据[^2][^3]。 ```python # 这里只是示意代码结构，实际COMSOL操作并非Python代码 # 以下代码仅为帮助理解步骤逻辑 # 假设存在COMSOL的Python接口类 COMSOLInterface comsol = COMSOLInterface() comsol.install() # 安装COMSOL（实际是通过官网下载安装） comsol.define_geometry() # 定义几何形状 comsol.select_physical_fields(['electric_field', 'thermal_field']) # 选择物理场 comsol.set_material_properties() # 设置材料属性 comsol.define_boundary_conditions() # 定义边界条件 comsol.consider_mosfet_thermal_factors() # 考虑MOSFET热效应因素 comsol.solve_equations() # 求解方程 comsol.visualize_results() # 结果可视化 ```
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值