linux命令学习之touch命令

本文详细介绍了Linux touch命令的使用方法、参数及其功能,并通过实例演示了如何使用touch命令创建、更新文件时间戳。

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linux的touch命令不常用,一般在使用make的时候可能会用到,用来修改文件时间戳,或者新建一个不存在的文件。

1.命令格式:

touch [选项]... 文件...

2.命令参数:

-a   或--time=atime或--time=access或--time=use  只更改存取时间。

-c   或--no-create  不建立任何文档。

-d  使用指定的日期时间,而非现在的时间。

-f  此参数将忽略不予处理,仅负责解决BSD版本touch指令的兼容性问题。

-m   或--time=mtime或--time=modify  只更改变动时间。

-r  把指定文档或目录的日期时间,统统设成和参考文档或目录的日期时间相同。

-t  使用指定的日期时间,而非现在的时间。

3.命令功能:

touch命令参数可更改文档或目录的日期时间,包括存取时间和更改时间。 

4.使用范例:

实例一:创建不存在的文件

命令:

touchlog2012.log log2013.log

输出:

[root@localhosttest]# touch log2012.log log2013.log

[root@localhosttest]# ll

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2012.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2013.log

如果log2014.log不存在,则不创建文件

[root@localhosttest]# touch -c log2014.log

[root@localhosttest]# ll

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2012.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2013.log

实例二:更新log.log的时间和log2012.log时间戳相同

命令:

touch -r log.log log2012.log

输出:

[root@localhosttest]# ll

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2012.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2013.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 14:48 log.log

[root@localhosttest]# touch -r log.log log2012.log 

[root@localhosttest]# ll

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 14:48 log2012.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2013.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 14:48 log.log

实例三:设定文件的时间戳

命令:

touch -t 201211142234.50 log.log

输出:

[root@localhosttest]# ll

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 14:48 log2012.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2013.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 14:48 log.log

[root@localhosttest]# touch -t 201211142234.50 log.log

[root@localhosttest]# ll

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 14:48 log2012.log

-rw-r--r-- 1root root    0 10-28 16:01 log2013.log

-rw-r--r-- 1root root    0 2012-11-14 log.log

说明:-t  time 使用指定的时间值 time 作为指定文件相应时间戳记的新值.此处的 time规定为如下形式的十进制数:[[CC]YY]MMDDhhmm[.SS]

这里,CC为年数中的前两位,即”世纪数”;YY为年数的后两位,即某世纪中的年数.如果不给出CC的值,则touch   将把年数CCYY限定在1969--2068之内.MM为月数,DD为天将把年数CCYY限定在1969--2068之内.MM为月数,DD为天数,hh 为小时数(几点),mm为分钟数,SS为秒数.此处秒的设定范围是0--61,这样可以处理闰秒.这些数字组成的时间是环境变量TZ指定的时区中的一个时 间.由于系统的限制,早于1970年1月1日的时间是错误的。

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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