- 博客(41)
- 收藏
- 关注
原创 calibre 对gds进行镜像操作
#123000 0 1 180 1 分别代表 导入的x y 坐标/是否mirrorx/旋转角度/放大倍率。###top_my cell 调用导入的需要处理的gds的top cell。###新建的layout里面创建一个名字叫top_my的cell。###新建的layout里面导入要做镜像处理的layout文件。###新建一个layout。
2025-06-12 13:59:15
545
原创 innovus自动绕RDL线
以上命令通过选中bump 对选中的bump进行绕线 top和bottom layer 都定义为LB。我们可以使用innovus自带的绕RDL线的工具去进行一个初始绕线。2 使用fcroute命令进行绕线 (示例)1 assign bump(示例)在做bump IO及RDL规划时。层,可根据实际情况进行修改。
2025-06-11 13:28:20
674
原创 GDS信息抓取命令
1 抓GDS 的topcell。3 GDS里都用到哪些layer。2 GDS的precision。4 格式GDS 还是OASIS。
2025-04-08 13:40:20
532
原创 calibre 命令change gds 格式
calibredrv -a layout filemerge -in xx.oas -out xx.gdscalibredrv -a layout filemerge -in xx.gds -oasisout xx.oas
2025-02-12 11:13:56
678
原创 innovus merge cell 不成功问题
cell lef里 MACRO 和FOREIGN 名字不一致。试只单独merge一个gds 也不成功。检查发现是lef问题。
2025-01-23 13:08:06
207
原创 lvs debug(setting)
standcell net对不上 update rule setting/case_sensitivity 设为true。standcell 的cdl中没有VNW VPW pin /stdcell 中gds有VNW VPW label。所以innovus中VNW/VPW不做global connect。lvs就可以过了(smic40)在top的网表中加上如下设置。VNW/VPW对不上。
2024-11-23 14:17:26
325
原创 EditPowerVia 打不上孔问题
如图示 同向wire之间editPowerVia有时会打不上孔。把这个setting关掉 就可以正常打孔。需要修改如下setting。
2024-11-23 13:55:13
576
原创 DRC debug大量via问题
发现flow里面routeWithViaInPin setting被false掉了 update setting。上图V1和右边M1有space问题 而且整个DRC结果看到大量V1导致的drc。后面debug发现是finnovus flow setting问题。后重新绕线 via相关drc就没有了。
2024-11-23 13:45:12
477
原创 INVS add filler 问题
有些工艺没有1倍site的filler,如果physical cell或standcell之间留了1倍site space就加不上filler。add physical cell时有些channel 太窄。中间0.084的距离加不上filler。可以用如下命令加blockage。STD cell处理方法。2 为两倍site宽度。
2024-10-10 11:18:49
540
原创 Innovus 脚本整理 02(cut inst下方layer)
2 抓和net 有overlap的inst 并抓出inst box。3 对抓到的box左右扩大30 把要处理的线剪断并选中删除。步骤 1 抓到要处理的net 的box。
2024-09-09 17:15:25
475
原创 Innovus 脚本整理 01(add regular inst proc)
add_regular_inst cell类型 起始点x坐标 起始点y坐标 x方向间距 y方向间距 命名关键字。proc 存在的问题 (坐标和间距只能为整数 proc中的incr只能对整数做处理)后面调整之后的proc可对非整数处理。
2024-09-09 14:14:51
780
原创 LVS:关于大小写问题
然后去innovus里面抓两个drive cell的输出net,发现两根net只有大小写不同。通过debug source端电路图发现两个drive cell连接到了一起。正常来说,design中不会出现这种情况,后续debug发现是综合带进来的。此时通过在lvs rule里把区分大小写的开关打开,lvs才能过。一般默认设置是不打开的,但是在下面case中出现了以下lvs错误。可以试一下综合加如下设置是否能解决。
2024-08-19 11:13:38
1251
原创 LVS技巧:打text
在前期跑lvs时,一般错误会比较多,个人一般会采用打m1text的方式,能更精准的定位到有问题的cell。输出完成后,在lvs rule中把text加进去。
2024-08-19 10:55:14
838
1
原创 lvs 记录:快速找不含device的cell
可以看到,Layout部分为0, 而Source部分不为0的cell,对应的就是Souce中存在,而Layout中不存在的lib cell。我们就可以把这些cell添加到excludelist中。在innovus中写出pr的网表时,通常要加excludelist,那么如何准确快速的抓出这些不含device的cell list 呢?
2024-08-16 10:47:16
543
原创 redhawk相关文件
通常 APL文件一般由FAB 提供,不用自己生成,MEM一般在Memory Compiler生成mem时一并生成AVM文件(相当于Cell的APL文件)。1. pwcdev (piece wise cap):对于本征电容值包含固有的分段线性电压关系,以及库中每个单元的 ESR 和漏电流,一般用不到。3 current 对于库中的每个cell包含一组适用于所有翻转条件的电流配置文件。值,以及 ESR 和漏电流文件) aplreader 打开。2. cdev (对于库中的每个cell包含固有的。
2024-06-27 16:16:08
1598
1
原创 STD cell中的沟道长度
在数字后端的STD cell库上。当沟道长度L相同时,不同的沟道宽度会造成cell的不同高度,我们通常说的7 Track, 9 Track即是代表不同的沟道宽度,沟道宽度越大,速度也越快,功耗也越大。当沟道宽度W相同时,不同的沟道长度L也会造成cell的速度不同,我们通常看到的cell名字里的C30,C35就是代表不同的沟道长度。L越小,速度也越快,功耗也大。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。沟道宽长比越大,MOS管的 饱和电流(Idsat)就越大,性能就越好。代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。
2024-05-27 10:06:45
1547
原创 linux 变量设置
setenv是TSCH中的命令。BASH不适用,BASH中的相应命令是export。setenv 是TSCH中用于查询或显示环境变量的命令。setenv [变量名] [变量值]
2024-03-18 11:07:07
158
原创 top cts前读入block latency
去block db 长tree主corner下找到latency.sdc文件 并进行处理。1 用下图命令提取block latency 在top长tree前读入。把处理之后的latency脚本设置到top 长tree之前。2 第一种方式提取不出来。
2024-01-22 13:43:46
461
1
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人
RSS订阅