沉镀非晶质氟化碳(a-C:F)膜-供应CulnS2/CBD硫化铟/钒氧化物/铜铬磷硫CuCrP2S6/铜铁锡硫(CFTS)/铜铟硫光电/铬-氧/铜铁锡硫(CFTS)/钒氧化物薄膜定制

用四氟化碳(CF4)及乙炔(C2H2)为前驱物，以射频辅助电子回旋共振化学气相蒸镀法来沉镀非晶质氟化碳(a-C:F)膜。镀膜时所使用的气体流量比R从0.90至0.98，其中R = CF4/( CF4+C2H2)；而成膜后的退火是在300℃纯氮气气氛下进行。霍氏红外线光谱仪(FTIR)及X光光电子光谱仪(XPS)被用来鉴定非晶质氟化碳膜的化学健结及氟含量；而高解析电子能量损失光谱仪(HREELS)被用来检测电子的结构。较高的四氟化碳气体流量比会产生较多的线性sp3结构，因而使得非晶质氟化碳膜更平滑及更柔软。
制作出R = 0.98成膜及退火后介电常数能达1.5及介电强度超过35 MV/cm的非晶质氟化碳膜。而奈米孔(nanovoid)及sp2/sp3键结比例可被用来讨论及阐述关于电性量测时观察到膜的巨大电流跳跃及电传导现象。
成膜及退火过后的氟化非晶质碳膜的光学性质与类钻石膜 (a-C:H)性质相仿，其中R = 0.98非晶质氟化碳膜拥有较类钻石膜(0.07 奈秒)长的0.34 微秒的萤光寿命及较类钻石膜(~2.5 eV)宽的2.75 eV的光能隙。同时，非晶质氟化碳膜的短载子寿命会使得萤光光谱产生蓝偏的现象，此现象与非晶质矽(a-Si:H)的性质相似。
退火会改变非晶质氟化碳膜的结构及组成，非晶质氟化碳膜的机械及物理性质是随着氟化碳的键结及电子结构的改变而变化。sp3键结的含量随着氟化非晶质碳膜的气体流量比 ( R )氟含量增加而增加，sp3键结的增加会使得膜的漏电流减小、介电常数下降、能带变宽………等等，然而这些sp3键结经鉴定结果绝大份是以练状型态出现，故会使得氟化非晶质碳膜质地更平滑而且柔软。此外，氟化非晶质膜氟含量的增加则有助于悬空键结(dangling bond)密度的降低。
供应产品目录：
锗-二氧化硅Ge-SiO2复合薄膜
纳米复合堆叠锌锑锗碲相变存储薄膜
含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜
室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜
（Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜
黑磷薄膜
铁磷硫FePS3薄膜
銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜
金属硒化物薄膜
銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜
碘化镍NiI2薄膜
溴化镍NiBr2薄膜
碘化锰MnI2薄膜
铜钒磷硫CuVP2S6薄膜
二氧化钒智能温控薄膜
铜锑硫薄膜
CulnS2薄膜
CBD硫化铟薄膜
钒氧化物薄膜
铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜
铜铁锡硫(CFTS)薄膜
铜铟硫光电薄膜
铬-氧薄膜
铜铟硒硫薄膜
铬硅碲CrSiTe3薄膜
镍铬/铬硅钴薄膜
多元Cr-Si系硅化物薄膜
碲化镉-硅基薄膜
嵌入多纳米片的碲化铬薄膜
三价铬电沉积纳米结构镀层/薄膜
铬锗碲CrGeTe3薄膜
锗镓碲硫卤玻璃薄膜
高性能锗锑碲相变薄膜
银/铬（Cr/Ag）薄膜
铜铟磷硫CuInP2S6薄膜
铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜
氯化铬CrCl3薄膜
碲化钴CoTe2薄膜
钴掺杂TiO2薄膜
银钒磷硒AgVP2Se6薄膜
银纳米薄膜
银铋硫薄膜
铬-银-金薄膜
石墨烯/银复合薄膜
银金纳米线PDMS复合薄膜
聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜
电沉积银铟硒薄膜
冷轧钯银合金薄膜
三硫化二镓Ga2S3薄膜
FeS2复合薄膜
三硒化二镓Ga2Se3薄膜
纳米砷化镓（GaAs）薄膜
砷化镓（GaAs）纳米结构薄膜
砷化镓（GaAs）多晶薄膜
GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜
镓铟硒GaInSe薄膜
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜
大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜
磷化镓GaP薄膜
柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜
硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜
镓硫碲GaSTe薄膜
基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜
ZnS1-x Tex薄膜
碲基硫属化合物薄膜
二硫化铪HfS2薄膜
二硒化铪HfSe2纳米薄膜
二氧化铪图案化薄膜
具有V型能带结构的锑硫硒薄膜
二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜
花菁染料薄膜
碲化镉(CdTe)多晶薄膜
纳米厚度的铌基超导超薄薄膜
掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜
yyp2021.3.26