Rocco

本系列前面两篇文章《[攻克存储] SRAM地址线的连接》和 《[攻克存储] 存储芯片的写屏蔽及扩展》已经介绍了SRAM芯片的地址线连接方法以及存储芯片的写屏蔽扩展，这两篇文章基本上是从SRAM的角度在进行讲解和描述，其中许多原理在SDRAM/DDR芯片中也同样适用，不过，SDRAM/DDR 存储芯片的结构和寻址方式相对于ROM、SRAM、DRAM而言，还是有很大的变化和不同的，本文就着重介绍S

前面几篇文章分别讲述了存储系统的地址线连接方法、存储芯片的写屏蔽、存储系统的扩展，以及SDRAM/DDR的结构和寻址，本文将以ARM芯片s3c2440为例，从整体上描述一个包含有同时SDRAM、Nor Flash、Nand Flash的存储系统的设计、工作原理和注意事项。     下面这幅原理图就是这样一个完整的存储系统，主控芯片是三星公司的ARM芯片s3c2440（未画出，但相关引脚都在图

在上一篇文章《 [攻克存储] SRAM地址线的连接 》中，我们讲述了主控芯片（ARM）与 SRAM 的地址线如何连接的问题，关于存储芯片的写寻址过程以及存储芯片的扩展并没有涉及，本文着重描述这方面的知识点和需要注意的问题。     首先，我们还是看一个电路图：         由上一篇文章我们知道，这是ARM芯片与16位数据位宽的SRAM存储芯片的典型连接图，ARM芯片只需给

在嵌入式系统设计过程中，由于主控芯片（如ARM、PPC、MIPS等）片上的存储空间不够大，经常需要外接存储器芯片（如ROM、SRAM、SDRAM、DDR2、Nand Flash等），因此，弄清楚主控芯片与外界存储芯片的引脚连接原理至关重要，由于Nand Flash的引脚连接比较简单，不涉及地址线的连接，而SDRAM和DDR2访问原理与ROM和SRAM有一些不同，故以后再专门讲述，这里我将主要介绍A