【底软】NANDFlash与NORFLASH

1、FLASH器件一共有3种操作：读取、擦除和编程。对于FLASH而言，写0与写1是两个不同的操作，写0称为编程，而写1称为擦除。

2、FLASH的可靠性主要表现在两个方面：（1）耐久性；（2）电荷保持特性；

3、NANDFLASH的两大优势是低成本和高性能，但其弱点是可靠性，影响NAND可靠性的因素有两点：

（1）位翻转；NAND能够比较可靠地保存信息，但是在读取操作时存在一定机率出现位翻转现象，机率不是很高，但比NORFLASH高；

（2）坏块；NAND要保证低成本这个优势，就无法保证出厂时百分之百都是有效块，一般允许有2%坏块，因此需要对NAND器件进行扫描，进行坏块标记；

4、NAND可靠性可以通过三点进行保证：

（1）磨损平衡；避免将文件持续写到同一个block中，使不同block的磨损率相当，从而延长器件寿命；

（2）ECC校验；NAND因为位翻转问题，会较高概率出现单bit错误，通过ECC算法校验可以使出错概率降低好几个数量级；

（3）块坏管理技术；NAND因有坏块存在，必须对坏块进行管理；

5、NAND与NOR差异比较：

（1）NOR读取速度（约35ns）比NAND（约50ns）稍快一些；

（2）NOR结构的FLASH可以随机读取，而NAND结构的FLASH只能按page或block连续读取；

（3）NAND写入速度要比NOR快，典型的要快10倍；

（4）NAND擦除速度（毫秒级）比NOR（秒级）快；

（5）NOR可以片内执行程序，适合存储程序代码; NAND可以做到大容量，适合存储大量数据；

（6）NAND无法做到百分之百都是有效块，必须进行块坏管理；

6、NAND操作特点：擦除以block为单位；读取和写入以page为单位；

7、NAND第一个page包括数据区和空间区，空闲区通常用于ECC校验码、耗损均衡和其它信息。ECC能够在硬件或软件中执行，显然在硬件上可以提高性能，在写入数据时，产生的ECC值存储在Spare区，读取数据时，计算的ECC校