LWUIT成功运行在黑莓上!

通过在独立线程上运行并调整LWUIT分配(移除M3G等帮助类和3D过渡类),成功实现了LWUIT在黑莓模拟器上的运行。在JDE环境下设置LWUIT作为库项目,并让LWUIT midlet项目依赖于该库。此外,还讨论了如何使用BlackBerry UiApplication类处理软键事件。

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原文:

 

Success! LWUIT on Blackberry

Posted by wsnyder6 on July 09, 2008 at 03:41 PM | Comments (20) 

    This will be short and sweet.

    To work around a race condition (see this thread), LWUIT needs to run on a separate thread on the Blackberry. Taking this into effect, together with a modified LWUIT distribution (removing references to M3G helper classes and the 3D Transition classes), I've finally got the demo to work on a simulator.

    Granted, this in the JDE, not NetBeans. I need to figure that out yet. In the JDE, make sure you have the modified LWUIT dist set up as a library type project, and then make your a LWUIT midlet project dependent on that library.

    Oh yeah, since LWUIT really relies on the presence of soft keys, you may want to use the BlackBerry UiApplication class to catch key events and wheel events, then translate those to the corresponding UI action. But you can also keep the same q/w and o/p softkeys in place.

    Proof that it works!


翻译:

 

      LWUIT成功运行在黑莓上!

      这将是短暂而甜蜜的。

      要解决这个问题(见本线),LWUIT需要运行在黑莓的一个独立的线程。考虑到这一点的影响,加上修改LWUIT分配(删除涉及M3G等帮助类和3d过渡类),我终于完成了在模拟器上工作的Demo。

      当然,这是在JDE,而不是NetBeans的。我依然需要指出。在JDE里面,确认你修改的LWUIT在项目中以库的形式设立,然后让你的LWUIT midlet项目依赖于这个库。

      噢,LWUIT真正的存在依靠软键,您可能会想要使用BlackBerry UiApplication类捕捉按键事件和滚轮事件,然后把这些转换为相应的UI动作。但您也可以保留相同的q/w和o/p软键代替。

 

      下面是它的运行效果!

 

 LWUIT在黑莓上运行的效果图

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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