大功率半导体器件静态测试专用系统

最新推荐文章于 2024-07-02 14:45:13 发布
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文章标签： 功能测试 测试用例
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普赛斯推出的功率器件静态参数测试系统具备高电压3KV、大电流4KA的测试能力，适用于MOSFET、BJT、IGBT等功率器件的精准测量。系统提供uΩ级电阻、pA级电流的测量，支持多种测试模板和数据导出，采用模块化设计，可扩展温控功能，并能根据用户需求进行定制开发，广泛应用在科研、新能源等领域。

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功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。

普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。

大功率半导体器件静态测试专用系统特点

  • 高电压：支持高达3KV高电压测试；

  • 大电流：支持高达4KA大电流测试；

  • 高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；

  • 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；

  • 配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

  • 数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；

  • 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；

  • 可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；

  • 可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

    技术指标

产品应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；

 

whpssins
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功率器件静态参数测试系统
qq_37974687的博客
05-08 1205
1.概述 1.1 系统概述 现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 EN—3020C测试系统是西安易恩电气科技有限公司推出的功率器件静态测试系统，该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 45
IGBT静态参数测试系统
qq_37974687的博客
12-10 1386
1、系统概述 现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化
一文详解功率器件静态参数测试系统
whpssins的博客
01-25 3845
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA
测试方案_泰克功率器件IGBT测试方案简介
weixin_33782854的博客
01-09 1097
IGBT简介：IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被国家列为重点研究对象。IGBT测试难点：1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。3、IGB...
功率半导体静态试验测试方法
m0_38012434的博客
06-18 923
本文将对功率半导体静态试验测试方法进行详细介绍，包括测试目的、测试参数、测试方法及设备推荐等，以期为读者提供一套完整、清晰的测试方案。通过合理选择测试设备、设置测试参数和进行测试，可以准确地评估功率半导体器件在静止状态下的性能，为后续的测试和应用提供基础数据支持。功率半导体静态参数测试的主要目的是在直流条件下对半导体器件进行测试，以评估其在静止状态下的性能，包括电流特性和电压特性等。通过静态参数测试，可以初步判断半导体器件的性能好坏，为后续的动态参数测试、极限能力测试及老化可靠性寿命测试提供基础数据支持。
功率半导体器件的研究意义
qq_37974687的博客
04-30 1224
功率半导体器件的研究意义 功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础，是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位，它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40年来，普通晶闸管（Thyristor，SCR）、门极关断晶闸管（GTO）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）先后成为功率半导体器件的发展平台。能称为“平台”者，一般是因为它们具备以下几个特点：①长寿性，即产品生命周期长；②渗透性，即应用领域宽；③派生性，即可以派生出多个相关新器件家属。 电力电子变换器的功
热设计建模仿真有助于功率半导体器件的热管理.pdf
08-29
《热设计建模仿真在功率半导体器件热管理中的应用》 在现代电子设备的设计中，尤其是在功率转换电路的开发中，热管理已经成为一项至关重要的任务。随着机电技术向固态电路的发展，功率半导体器件，如二极管、MOSFET...
IGBT静态参数测试系统可测项目有哪些？
whpssins的博客
07-20 1203
IGBT静态参数测试系统​​​​​​​单台Z大3000V输出；单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；10us的超快电流上升沿；
半导体功率器件测试系统
qq_37974687的博客
05-08 1115
1.设备基本参数 1.1设备名称：半导体功率器件测试系统 设备型号：EN-3020B 设备数量： 1 台 外接设备：笔记本电脑1台 设备规格：600mm×800mm×1600mm 测试夹具： 5 个,TO220,TO247,TO252,TO3P,轴向二极管。 1.2 环境要求 A、环境要求：温度0～40℃，湿度小于70%； B、大气压力：86Kpa～ 106Kpa C、电网电压：AC220V±10%无严重谐波 D、电网频率：50Hz±1Hz 1.3可测试器件类型： 1）二极管 2) MOS场效应管 3)
高电压+大电流 IGBT静态参数测试解决方案
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IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确
浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点
01-20
导读：本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发，系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点，从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术，并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。 　　一、背景 　　绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管（Bipolar）基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输出功能。IGBT集Bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关
IGBT的工作原理及检测方法
07-14
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。1. IGBT的工作原理IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极控制。如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射
大功率IGBT驱动技术的现状与发展
tosharpCG的博客
06-29 3419
1　引言 　　电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的首选功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。 　　在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。因其重要性，
IGBT测试
一个人要像一支队伍
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一、基本原理。
IGBT模块测试台原理
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1、系统概述 现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化
IGBT（功率半导体）器件选型和应用
Super_smartIC的博客
07-02 4848
栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。二相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。
半导体测试：基于PXI 平台的先进性能中的AC/DC和V-I测试
wwa19940308的博客
08-18 2393
前言 当今半导体测试工程师面临的挑战是如何寻找和创建一个新的测试解决方案，该方案被要求能够显著降低测试成本，并满足可配置、开放架构、灵活的测试解决方案的需求，这些解决方案可以提供与专用ATE平台相媲美的功能。特别是，对于低至中等数量的测试需求，例如在试生产、验证和集中生产过程中的测试应用，对灵活且经济高效的ATE解决方案的需求尤为迫切。对于这些应用，测试工程师过去一直依赖传统的测试系统，这些系统的购置成本很低，但运营成本很高，或者是内部设计的机架堆叠的解决方案。然而，基于PXI平台的半导体测...
IGBT器件静态测试需要哪些仪器？
whpssins的博客
11-15 4558
IGBT测试难点： 1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。 2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。 3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。 4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。 5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。 6、IGBT开关
MOS功率器件的性能测试
最新发布
05-07
<think>好的，我现在需要处理用户关于MOS功率器件性能测试方法或工具的询问。首先，我要回顾用户提供的引用内容，看看有没有相关的信息可以直接应用。 引用[1]提到电性能测试方案，适合高校科研工作者和工程师，使用高精度数字源表、电缆辅件和测试夹具。这可能涉及到静态参数测试的工具，比如源测量单元（SMU）。 引用[2]讨论了MOSFET的开关速度对电路性能的影响，特别是开关速度如何影响效率和EMI。这里可能需要动态测试方法，比如双脉冲测试和开关特性分析仪。 引用[3]强调MOS管代换时输入电容的重要性，这提示在测试中需要关注输入电容、输出电容等参数，可能涉及LCR表或阻抗分析仪。 用户之前的问题是关于MOS功率器件的性能测试，现在需要详细的方法和工具。我需要组织这些信息，分静态和动态测试，并列举相应的测试项目和工具。 静态参数包括Vgs(th)、Rds(on)、跨导等，工具方面可能需要数字源表、半导体分析仪。动态参数如开关时间、栅极电荷，工具可能用双脉冲测试电路、示波器、电流探头等。还有热性能测试，比如热阻，需要热成像仪或热电偶。 另外，引用[1]提到测试夹具和电缆辅件，这部分在测试系统中也很重要，需要提及。还要注意测试中的注意事项，比如匹配问题，如引用[3]中的输入电容影响，需在测试时考虑驱动电路的匹配。 最后，生成相关问题，可能涉及测试中的挑战、优化方法、不同应用的测试重点等。确保回答结构清晰，分点说明，引用正确的地方添加标识。</think>### MOS功率器件性能测试方法及工具 #### 一、静态参数测试 1. **阈值电压（$V_{GS(th)}$）** - **方法**：逐步增加栅源电压（$V_{GS}$），当漏极电流达到特定值（如$1\,\mathrm{mA}$）时对应的电压即为阈值电压[^3]。 - **工具**：高精度数字源表（如Keysight B2900系列）或半导体参数分析仪[^1]。 2. **导通电阻（$R_{DS(on)}$）** - **方法**：在额定栅极电压下，施加小电流（如$1\,\mathrm{A}$）测量漏源电压，通过欧姆定律计算电阻。 - **工具**：大电流源测量单元（SMU）配合低感测试夹具[^1]。 3. **跨导（$g_m$）** - **方法**：固定漏源电压（$V_{DS}$），扫描栅源电压（$V_{GS}$）并记录漏极电流（$I_D$），计算$\Delta I_D / \Delta V_{GS}$。 #### 二、动态参数测试 1. **开关时间（$t_d, t_r, t_f$）** - **方法**：通过双脉冲测试电路（DPT）触发MOS管开关，使用示波器捕获栅极电压（$V_{GS}$）和漏极电流（$I_D$）波形。 - **工具**：高压探头（如泰克THDP系列）、电流传感器（如Pearson 110A）及高速示波器[^2]。 2. **栅极电荷（$Q_g$）** - **方法**：对栅极电容充放电，积分电流-时间曲线计算总电荷量。 - **工具**：专用栅极电荷测试仪（如Keysight N6781A）或SMU配合定制电路。 3. **输入/输出电容（$C_{iss}, C_{oss}$）** - **方法**：利用LCR表在特定频率（如$1\,\mathrm{MHz}$）下测量电容值。 - **工具**：阻抗分析仪（如Keysight E4990A）。 #### 三、热性能测试 1. **热阻（$R_{θJC}$）** - **方法**：通过加热器施加功率，测量结温与环境温度差值，计算$R_{θJC} = \Delta T / P$。 - **工具**：红外热成像仪（如FLIR A700）或热电偶测温系统。 2. **安全工作区（SOA）** - **方法**：在多个电压-电流组合下测试器件耐受能力，绘制安全边界曲线。 - **工具**：功率曲线追踪仪（如Tektronix 371B）。 #### 四、典型测试系统组成 - **核心设备**：高精度数字源表（如普赛斯CP系列） - **辅助工具**：低电感夹具、同轴电缆、散热基板 - **软件**：LabVIEW或Python自动化测试平台 #### 注意事项 1. **动态测试匹配**：需根据输入电容（$C_{iss}$）设计驱动电路阻抗，避免开关震荡[^3]。 2. **热耦合**：测试时需确保器件与散热器紧密接触，减少接触热阻误差。 3. **高频干扰**：动态测试中需使用屏蔽电缆和接地环路抑制技术[^2]。 --- ###
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