APM32F103VCT6 写内部Flash失败解决方案（亲试可用）

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1 前言

• STM32芯片价格飞涨，现用 APM32F103VCT6 替代 STM32F103VCT6
  
  

• 遇到问题：用同样的代码去分别读写上述两种型号芯片的内部Flash:
  

  • 读写STM32F103VCT6内部Flash成功
    

  • 读写APM32F103VCT6内部Flash，会出现读写数据不正确的现象。
    
    

2 APM32F103xCxDxE 与 Sxx32F103xCxDxE 差异

• 点击下面下载差异文档 👇👇
• 《APM32F103xCxDxE 与 Sxx32F103xCxDxE 差异》。
  
  

3 两种解决方案

3.1 解决方案1 - 换芯片型号

• 换APM32的另一个型号的芯片 APM32E103VCT6
• APM32E103VCT6 优化了这个差异
• 此方案不用修改代码去兼容STM32和APPM32

3.2 解决方案2 - 改代码

• 改写芯片内部Flash函数：写前关闭总中断，写后再打开总中断
• 这样改写，可兼容STM32和APM32两款芯片

void STMFlash_Write(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)	
{
	__disable_irq();	// 写内部Flash前，关闭总中断

	/*****这里进行写内部Flash操作*******/

	__enable_irq();		//写内部Flash后，打开总中断
}

4. 想说的话

授人以鱼，不如授人以渔

这里只提供钓鱼方法而不是一条完整的鱼

有问题欢迎留言交流 / 指正o( * ￣▽￣ * )ブ