NAND Flash 和 NOR Flash的名字来历、实现原理、概要介绍和应用上的区别

01-NAND Flash是不是主要靠与逻辑实现，而NOR Flash是不是主要靠或逻辑实现？

是的，NAND Flash 和 NOR Flash 的命名来源于它们底层存储单元的逻辑门实现方式：

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1. NAND Flash 的实现

• NAND Flash 主要基于 NAND（与非）逻辑门 设计。
• 存储单元在结构上连接成串联的方式，类似于一个 NAND 门的实现。
  • 多个存储单元串联形成一条 Bit Line（位线）。
  • 数据的存储和访问通过页和块的方式完成。
  • 由于串联结构，单位面积内能容纳更多的存储单元，因此 NAND Flash 的存储密度较高、成本较低。
• 优点：
  • 高密度存储，单位成本低。
  • 更适合大容量存储需求。
• 缺点：
  • 访问过程需要更多复杂的控制和解码。
  • 不支持直接随机访问（XIP）。

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2. NOR Flash 的实现

• NOR Flash 主要基于 NOR（或非）逻辑门 设计。
• 存储单元在结构上是并联的，类似于一个 NOR 门的实现。
  • 每个存储单元直接连接到地址总线和数据总线，这使得每个单元都可以被随机访问。
  • 通过直接访问每个单元，NOR Flash 能够提供快速的随机读取和直接代码执行（XIP）。
• 优点：
  • 支持随机访问，读取速度非常快。
  • 适合存储需要频繁读取的代码或固件。
• 缺点：
  • 存储密度较低，单位成本较高。
  • 写入速度和擦除速度较慢。

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3. 总结对比

特性	NAND Flash	NOR Flash