电子技术（3）——二极管-不可控器件

1.概述

电力二极管（Power Diode）也称为功率二极管或半导体整流器（Semiconductor Rectifier，简称SR），属于不可控电力电子器件。

应用范围：

1.不可控整流、电感性负载回路、电压源型逆变电路无功回路、电流源型逆变电路中的换流隔断等场合；

2. 续流，限幅，防反接

2.工作特性

普通二极管（General Purpose Diode）：

又称整流二极管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中；其反向恢复时间较长，一般在5以上；其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。等级齐全，有等级很高的品种。

快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）：

恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短，一般在5以下；快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），采用外延型P-i-N结构，其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），其反向耐压多在1200V以下；从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级，前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD）：

以金属和半导体接触形成的势垒为基础（以贵金属金、银等为正极，以N型半导体为负极）的二极管称为肖特基势垒二极管，属于多子器件。

优点：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，0.3V左右，明显低于快恢复二极管；因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。

弱点：当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。