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RSS订阅原创 sealring（密封环）的作用
密封环通过多层金属和通孔的堆叠，形成一道 “物理屏障”，阻止这些物质沿芯片边缘扩散至核心电路区，避免器件腐蚀、漏电或性能退化（尤其对汽车、工业级芯片的高可靠性要求至关重要）。密封环的金属图形可作为 CMP 过程中的 “虚拟填充”，平衡芯片表面的密度分布，避免边缘区域因密度过低导致的研磨不均（如碟形凹陷），确保后续金属层和通孔的对准精度。密封环通常连接到芯片的电源（VDD）或地（GND），形成一个 “法拉第笼”，将核心电路与外部封装隔离，减少电磁干扰（EMI）和串扰，提升电路的抗干扰能力。
2025-12-28 12:35:53
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原创 模拟ic版图绘制中，原理图与版图无法对应问题的解决办法
摘要：在Virtuoso中版图与原理图无法联动通常是由于缺少XL连接。解决方法包括：1）检查版图是否通过XL流程创建；2）若连接信息丢失，可通过复制原理图与symbol文件，重新打开复制的原理图并导入原版图，执行bind操作恢复联动。此方法可解决版图打开时原理图不同步及connectivity列表丢失问题。（98字）
2025-12-06 20:25:14
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原创 模拟ic版图绘制中，线宽与电流的关系（二）如果版图中线的宽度达不到电流的要求，会不会反过来压制电流的大小？
版图中宽度不足的线，不会“主动压制”电流，但它会通过引入过大的寄生电阻，产生巨大的IR压降，使得驱动电路的电压不足，从而无法达到预期的电流。同时，它会引发电迁移和发热，导致电路性能退化、寿命缩短甚至当场失效。
2025-12-06 10:14:33
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原创 模拟ic版图绘制中，线宽与电流的关系？以及不同电流大小对应线宽最好为多少？
摘要：模拟IC版图中，金属线宽主要由电流承载能力决定，核心考量是电迁移效应和欧姆压降。电迁移会导致金属线失效，其安全电流密度J_max决定最小线宽W_min=I/J_max。同时，IR压降V_drop=I*R需控制在电路允许范围内，长导线往往需要更宽线宽。设计时需综合工艺提供的J_max值和IRDrop分析，优先选用上层厚金属布线，对大电流路径采用网状结构以降低电阻。不同金属层J_max差异显著，下层金属通常0.5-1.5mA/μm，顶层厚金属可达2-5mA/μm。
2025-12-05 15:53:38
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原创 模拟ic设计之基础知识学习路径
第一讲：二极管（结构、单向导电性、寄生电容、CV特性及其频率特性）、BJT和MOSFET的（两种元器件的结构、工作原理、工作区域、特征曲线、低频与高频小信号模型，两种元器件的比较）；第五讲：差分电路的工作原理、共模差模等效电路、输入输出阻抗、频率相应、共模抑制、电源抑制等、套筒式差分、折叠式差分电路原理、特点、输入输出阻抗和频率相应等。第二讲：基本CMOS单级放大器CS、CG、CD以及cascode（电路结构、工作原理、输入输出阻抗、传输函数、大信号和小信号工作过程）；
2025-12-03 13:06:41
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原创 模拟ic后仿过程中无法仿真模块中的电压及节点电流的解决办法
摘要：在电路后仿时，常遇到模块间连接线无法查看波形的问题。解决方法是将需要观测的节点做成pin脚并放置到顶层symbol中，保持原有连接关系后即可通过select on design将这些节点的波形添加到Outputs中输出查看。这种方法有效解决了模块间信号观测的难题，如上图所示四个节点的输出波形观测实例。
2025-12-03 12:55:37
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原创 模拟ic设计中rpod和ruppoly和rpmg的区别与如何选取
文章摘要：半导体设计中，rpod、ruppoly和rpmg是三种多晶硅电阻类型。rpod（扩散区上覆盖多晶硅）适用于需要精确控制电阻值的场景；ruppoly（上层多晶硅电阻）寄生电容小，适合高频电路；rpmg（含氧化镁或兼容金属栅的多晶硅电阻）具有更高的温度稳定性和精度，用于高精度模拟电路和先进工艺节点。
2025-10-27 23:32:58
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原创 什么是高速信号
摘要：高速信号的判断标准主要基于信号边沿时间、传输线长度与波长的关系，而非单纯频率高低。关键判定条件包括：上升/下降时间小于50ps、传输路径超过1/6波长（λ）时产生显著传输线效应，以及出现严重趋肤效应时。实际设计中应关注信号有效频率F1=0.5/T1（T1为10%-90%上升时间），当传输长度小于λ/6时为低速信号，反之为高速信号。波长λ与频率成反比，频率越高，临界长度越短。（149字）
2025-07-17 09:33:32
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原创 可变增益放大器(VGA)
可变增益放大器（VGA）是一种增益（放大倍数）可根据输入信号或控制信号动态调节的电子放大器。其核心功能是在保持信号质量的前提下，通过调整增益来适应输入信号幅度的大范围变化，避免信号过载或放大不足，广泛应用于需要动态信号处理的系统中。
2025-05-08 11:11:57
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原创 有源连续时间线性均衡器(CTLE)
趋肤效应具体表现为在高速传输系统中，随着频率的不断升高，信号中的电流在流经导体时，其会优先选择流过导体内阻抗值较低的部分，即导体的表面，这导致导体内部和表面的电流密度分布不均，其中导体内部的电流密度低于表面的电流密度，并且越接近于导体的表面，电流密度就会变得越大。介质损耗具体表现为在实际使用的传输线中，其介质中的绝缘材料也含有一定的导通电阻，在外电场的作用下，导致传输线的信号路径中产生泄漏电流，消耗其中一部分的电能，并转化为热能。
2025-01-30 11:51:09
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原创 VIA设置中plated和non-plated的区别是什么？
non-plated过孔是非金属化的孔，没有焊盘且通孔空内壁不会镀铜，没有网络连接能力，一般起到结构定位作用。plated：过孔是金属化孔，有焊盘且通孔孔内壁会镀铜，可以起到不同层面信号连接的作用。
2025-01-24 09:31:42
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原创 推荐一个免费的Allergo六层板实战教学视频
使用Cadance Allegro手把手带大家一起绘制一块六层板。设计的PCB板是一个网络相机，选这个设计的原因是涉及面比较广，高速的有DDR、MIPI等，其他RF、电源等等都有涉及，对大家全面了解不同类型的电路设计会比较有帮助。相关原理图和封装库等资料，链接：https://pan.baidu.com/s/1ABVtmb3fyOtEXJHsw1BYcA 密码：fhaa。
2025-01-13 16:43:14
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原创 FMC标准以及FMC连接器的使用规则与介绍
HA[00..23]_P, HA[00..23]_N - 位于高性能计算（HPC）上的 bank A 的用户自定义信号。位于高性能计算（HPC）上的bank B 的用户自定义信号。
2025-01-10 12:03:02
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原创 关于candence_virtuoso如何快速翻转器件操作
3. 在弹出的选项框中，点击“flip sideways”可实现左右镜像，点击“flip upside down”可实现上下镜像。1. 选中要镜像翻转的器件，按下“m”键，器件进入可移动状态。2. 按下“F3”键，会弹出操作选项框。
2025-01-09 23:05:39
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原创 关于SCL和SDA线上的上拉电阻的阻值大小如何选择
若上拉电阻阻值太小，电源 VCC 灌入端口的电流较大，会导致功耗增加，且端口输出的低电平值可能超出 I2C 协议规定的 0.4V。不同的 I2C 设备对电压、电流等参数要求有差异，要查看器件数据手册，明确其对 SCL 和 SDA 线上上拉电阻的要求。不过，在一些特殊情况下，如总线上的设备距离较远、总线负载较大或存在信号干扰等，可能需要在某些从设备端也增加上拉电阻，以增强信号的驱动能力和稳定性，但这需要根据具体的电路情况和实验结果来确定，并且要注意上拉电阻的阻值匹配，避免出现电平冲突等问题。
2025-01-08 13:45:08
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原创 关于SCL和SDA为什么都要拉高至电源电压
符合 I2C 总线开漏输出结构要求：I2C 是一种开放漏极（open - drain）或开集电极（open - collector）的通信协议，其 SCL 和 SDA 都是开漏输出结构。这意味着驱动器（主设备或从设备）只能将线拉低到低电平（逻辑 0），但不能主动将线拉高到高电平（逻辑 1）。上拉电阻的存在可以将信号线拉升至电源电压，在设备不驱动时使线路保持高电平，以满足 I2C 总线在空闲时信号线为高电平状态的要求。 防止信号线浮空：没有上拉电阻时，SCL 和 SDA 线在设备不驱动时可能处于不确定的浮空
2025-01-08 11:39:54
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原创 can、422、485的区别
这三种通信接口标准在实际应用中有哪些具体的场景和优势？RS-422的通信原理是什么？RS-485的通信原理是什么？
2025-01-07 11:39:08
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I2C/SMBus双向电压电平转换器PCA9306的技术详解及应用
2025-01-08
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