XS2123高度集成三合一方案PD、DC/DC、MOS支持IEEE 802.3 af，集成 100V，0.4Ω 的隔离功率 MOSFET，适用于网络摄像机，IP 电话无线 AP等标准控制器芯片

XS2123 是一款基于 IEEE 802.3af 标准 PD 和DC/DC 集成的控制器。
XS2123的 PD 控制器部分为用电设备（PD）提供符合以太网供电（PoE）系统的检测信号、分级信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率 MOSFET。集成隔离功率 MOSFET 耐压 100V，导通阻抗 0.4Ω，支持最大 880mA 的工作电流，内置欠压保护和过热保护。带有较宽的迟滞和长周期干扰脉冲屏蔽，以补偿双绞线电缆的阻性衰减，确保上电/掉电期间无干扰传输。该芯片的 DC/DC 控制器部分内置 200V 功率MOSFET，采用原边控制（PSR）方式，适用于 Flyback拓扑结构，支持 CCM，DCM，提供精确的恒压控制模式，采用 PWM+PFM 模式的多段曲线控制运行模式可以进一步优化系统在不同负载下的转换效率，同时有效避免了噪声。
典型应用
 网络摄像机
 IP 电话
 无线 AP
兼容于IEEE 802.3 af
0至3级POE
集成100V，0.4Ω的隔离功率MOSFET
 欠压保护
过热保护
MOSFET耐受880mA电流
180mA最大浪涌电流限流
电流限制和折返式保护
正常工作期间电流限制在760mA至1000mA
DC/DC控制器特性
支持CCM&DCM的原边控制模式内置200V高压MOSFET开关
最高12W输出功率
较低启动电流（7uA）
内置有源周期谐振技术
输出短路保护及输出过流保护输出过压保护及VCC过压保护软启动/峰值电流控制模式
PWM频率180Khz
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