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原创 芯片后端测试基础概念
一颗芯片在到达客户手中之前,经历了一个非常严苛的“过五关斩六将”的过程:测试类型测试对象主要目的好比...生产测试每一颗芯片筛除功能/参数不良品出厂检验 - 检查每辆新车是否有零件损坏或功能失灵可靠性测试抽样芯片评估长期寿命和稳健性耐久性路试 - 抽几辆车进行极限环境驾驶,确保能耐用多年特性化测试抽样芯片确定性能边界和能力极限性能测评 - 测试车辆的极限速度、油耗、越野能力等。
2025-10-10 09:52:44
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原创 信号完整性基础知识---阻抗
摘要:阻抗(Z = R + jX)是交流电路中电阻(R)和电抗(X)的复数组合,反映电路对交流信号的抵抗能力。电阻消耗能量,电抗(感抗XL、容抗XC)储能并改变相位。阻抗的核心作用包括:功率传输优化(阻抗匹配)、信号完整性控制(减少反射)、滤波器设计(频率选择)及电磁兼容性(EMI抑制)。在高速电路(如50Ω传输线)和射频系统中,阻抗匹配至关重要,可避免信号反射导致的振铃、过冲和时序错乱。典型应用包括PCB设计、天线系统和生物阻抗测量。50Ω标准是功率与损耗的折中,广泛应用于射频和高速数字电路。
2025-06-05 10:34:01
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原创 瞬态电压抑制器(TVS)的原理
当电路电压超过TVS的击穿电压时,TVS迅速变为低阻抗状态,将过电压钳位在一个安全水平,并将多余的电流导向地线,从而保护后续电路。总结:TVS通过快速响应和钳位过电压来保护电路,使用时需根据具体需求选择合适的器件并正确连接和布局。:当电路电压低于TVS的击穿电压时,TVS呈现高阻抗状态,几乎不导通电流。:TVS从高阻抗状态切换到低阻抗状态的时间,通常在纳秒级别。:在电源输入端使用TVS,防止电源线上的浪涌电压。:根据可能出现的瞬态电流选择合适的TVS。:TVS在最大峰值电流下的电压。
2025-02-18 13:42:19
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原创 PLL技术
VCO分频是PLL中的关键步骤,通过分频器降低VCO输出频率,确保与参考信号同步。PLL技术通过闭环控制实现频率和相位的精确同步,广泛应用于多个领域。
2025-02-11 16:50:57
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原创 常见芯片的封装以及优缺点
芯片封装是集成电路与外部电路连接的物理接口,不同的封装形式适用于不同的应用场景。底部焊球阵列封装,焊球间距通常为1.0mm、0.8mm或0.5mm。SOP的缩小版,引脚间距更小(通常为0.65mm或0.5mm)。底部焊盘阵列封装,焊盘间距通常为1.0mm或0.8mm。引脚间距通常为0.8mm、0.65mm或0.5mm。引脚数量多(通常为44-240引脚),适合复杂芯片。引脚间距通常为0.5mm或0.4mm。焊球间距通常为0.5mm或0.4mm。引脚间距通常为0.5mm或0.4mm。
2025-02-08 14:28:10
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原创 LVDS信号基础定义和标准
LVDS(Low Voltage Differential Signaling,低压差分信号)是一种高速、低功耗的差分信号传输技术,广泛应用于数据传输、显示接口和通信领域。LVDS是一种高速、低功耗的差分信号传输技术,广泛应用于显示接口、高速数据传输和通信领域。其核心特点是低电压摆幅、差分传输和强抗干扰能力,适合高带宽、低功耗的应用场景。:LVDS使用两条信号线(正负信号对)传输数据,通过两条线之间的电压差表示逻辑状态。的终端电阻,以匹配传输线的阻抗,减少信号反射。:由于电压摆幅小,LVDS的功耗较低。
2025-02-07 17:54:05
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原创 RAM和FLASH存储数据原理差异
两者在原理上的差异决定了它们在不同场景中的应用:RAM用于高速临时存储,FLASH用于长期数据存储。:基于浮栅晶体管,通过电荷存储数据,断电后数据不丢失,但写入速度较慢且寿命有限。:每个存储单元包含一个浮栅(Floating Gate),用于存储电荷。:基于电容或触发器,依赖电子信号存储数据,速度快但断电后数据丢失。将电子注入浮栅,改变晶体管的阈值电压,表示1或0。:电容会逐渐漏电,因此需要定期刷新以维持数据。按块访问,读取速度较慢,但写入和擦除速度快。:利用电容存储电荷来表示数据(1或0)。
2025-02-07 13:47:56
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原创 集成电路EQ功能--解决LVDS信号质量不好
并行总线因为抗干扰能力差,时钟与数据同时传输的并行传输方式和线路串扰等等问题导致很难达到1Gb/s以上带宽,内存总线为了对齐/校准时钟与数据付出了极大的代价。串行总线自从引入了差分信号后,对共模干扰抵抗能力很强,信道中没有时钟信号,时钟是在数据接收端进行恢复。这些优点让串行总线频率可以越来越高,应用串行总线的USB、PCIe、SATA、QPI、HDMI等等外部总线将并行总线挤压到只剩下内存总线这个最后的堡垒。甚至连接Flash的总线也变成了SPI串行总线。
2024-10-25 11:37:27
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空空如也
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