随机存取存储器DRAM

最新推荐文章于 2022-12-14 11:29:09 发布
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分类专栏： 存储器与接口
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本文介绍了DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）的基本特性。DRAM作为主存，因其价格较低但需要定时刷新，而SRAM常用于高速缓存，虽价格高但速度更快。这两种内存类型在计算机系统中扮演着不同的角色，影响着系统的性能和成本。

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随机存取存储器DRAM一般叫动态随机存储器，其存储元为电容。正是因为电容具有漏电的特性，所以它不稳定，需要定时刷新。

SRAM一般用于cache， DRAM一般用于主存。

SRAM价格高，速度快。

DRAM价格相对低，速度相对慢。

动态随机存取存储器（DRAM存储器）
m0_73679431的博客
02-28 1114
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2022-2028年全球与中国动态随机存取存储器（DRAM）行业市场前瞻与投资战略规划分析
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内部存储器练习
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12.14 - 每日一题 - 408
yanlei233的博客
12-14 1048
因此，超时后的第1次传输将是1个最大报文段长度，然后是2个、4个、8个最大报文段长度，由于慢启动门限为18KB/2 = 9KB,即在4次突发传输后拥塞窗口开始“加法增大”，拥塞窗口的大小将为9KB。存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间（或读写时间），而连续启动两次独立的“读”或“写”操作（如连续的两次“读”操作）所需的最短时间，称为存取周期（或存储周期）。解析：第1个元素要探测1次，第2个元素要探测2次，，第m个元素要探测m次，m个元素则共要探测1+2+……
计算机组成原理第四章 存储器-字位扩展
王陈锋的博客
02-26 6363
材料来源于学校作业，文章中会有标准答案、我的答案（自己做的情况，有对有错，用来对照自己掌握i情况）、补充（对标准答案和考核内容的一些补充）。
CMOS和TTL集成门电路多余输入端如何处理？
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计算机网络摩尔定律芯片运算速度,需要定时刷新的半导体存储器芯片是什么 答案：DRAM...
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相关问题目前，PC机中的CPU、芯片组、图形处理芯片等都是集成度超过百万甚至千万晶体管的超大规模和极大规模集成电路。在芯片封装中DIP指的是: 芯片封装 中 DIP 双列 封装中国大学MOOC: 数字芯片不用的管脚就无需连接了。: 中国大学 MOOC 数字 芯片 管脚摩尔定律指的是每隔(),计算机芯片性能就会提高一倍: 摩尔定律 计...
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4.DRAM的刷新 　动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全 部刷新一遍为止，这一段时间间隔叫刷新周期。     常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 　　集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一 段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行进行刷新整个存储器的平
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什么是随机存取存储器
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03-28
<think>好的，我现在需要回答用户关于随机存取存储器（RAM）的问题，包括它的概念和工作原理。首先，我需要回顾已有的引用资料，确保信息的准确性。 根据引用[2]，RAM是计算机中用于临时存储数据和程序的重要设备，允许快速读写。引用[3]和[4]区分了SRAM和DRAM，SRAM是静态的，不需要刷新，而DRAM需要定期刷新。SDRAM属于DRAM的一种，具有多存储体配置以提高效率（引用[4]和[5]）。 接下来要组织回答结构，先定义RAM，再说明其特点，如易失性、随机访问。然后解释工作原理，分SRAM和DRAM两种类型，分别讨论它们的结构和工作方式，比如SRAM使用触发器，DRAM依赖电容，需要刷新。最后对比两者的优缺点和应用场景，确保涵盖引用中的关键点，如刷新机制、存储体结构等。 需要检查是否遵循系统级指令：行内公式用$...$，独立公式用$$...$$，语法正确，中文回答，生成相关问题。比如在解释电容存储电荷时，电压公式使用$V = Q/C$。确保每个引用在适当的位置标注，如DRAM刷新部分引用[3][5]。 可能的问题点：确保区分SRAM和DRAM的不同刷新需求，正确引用对应的资料。同时，注意术语的一致性，如“易失性”在引用[3]中提到，需准确表达。最后生成的相关问题要围绕RAM的类型、区别、应用等，参考用户提供的示例问题结构。</think>### 随机存取存储器（RAM）的概念与工作原理 #### 1. **定义与核心特性** 随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）是计算机中用于临时存储数据和程序指令的存储设备，具有以下关键特性： - **易失性**：断电后数据丢失（与ROM等非易失性存储器不同）[^3]。 - **随机访问**：可直接访问任意存储单元，无需顺序遍历，读写速度快[^2]。 - **高速读写**：作为CPU与外部存储（如硬盘）之间的缓存，支持快速数据交换。 #### 2. **工作原理** RAM通过电子电路存储二进制数据（0/1），具体实现分为两种主要类型： ##### **静态随机存取存储器（SRAM）** - **存储单元结构**：使用6个晶体管组成的触发器电路（Flip-Flop）保存数据。 - **工作方式**： - 通电时，触发器保持稳定状态（0或1），无需刷新。 - 读写速度快（纳秒级延迟），但电路复杂，成本高。 - **典型应用**：CPU高速缓存（L1/L2/L3 Cache）。 ##### **动态随机存取存储器（DRAM）** - **存储单元结构**：由1个晶体管和1个电容构成，电容存储电荷表示数据（例如：电压$V = Q/C$表示0或1）。 - **工作方式**： - **刷新机制**：电容电荷会随时间泄漏，需周期性刷新（如每64ms刷新一次）[^5]。 - **多存储体架构**：SDRAM（同步DRAM）将存储体分为多个bank，支持并行操作以提高效率[^4]。 - **典型应用**：计算机主内存（DDR4/DDR5）。 #### 3. **SRAM与DRAM对比** | 特性 | SRAM | DRAM | |---------------|---------------------|---------------------| | 刷新需求 | 无需刷新 | 需定期刷新 | | 速度 | 更快（1-10ns） | 较慢（50-100ns） | | 功耗 | 较高 | 较低 | | 存储密度 | 低（电路复杂） | 高（结构简单） | | 成本 | 高 | 低 | #### 4. **RAM的工作流程示例** 1. **写入数据**：CPU发送地址信号选中目标存储单元，将数据写入电容（DRAM）或触发器（SRAM）。 2. **读取数据**：通过地址解码定位单元，检测电容电压（DRAM）或触发器状态（SRAM）并输出。 3. **刷新操作（仅DRAM）**：控制器按行读取并重写电容电荷，防止数据丢失[^5]。 ---
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