weixin_46312715的博客

在 t1、t3、t5 时刻图像都是残缺帧（新老帧各显示一半图片），在 t2、t4 时刻图像才是完整的一帧，而 VGA 那边可不管，每个时间点都会要一帧图像，这就是错帧现象。，因为当OV5640 帧率 30fps，VGA 帧率 60fps，仿佛刚好可以写一帧读两帧，但是会出现以下的错帧现象。乒乓操作中，每次读的（黑线）都是完整的帧，每一帧读 2 次，这样便没有出现读残缺帧的现象，解决了错帧问题。使用两个缓存区，写缓存区 1 时读缓存区 2，写缓存区 2 时读缓存区 1，读写交替。

sdram有2根bank地址线，13根行地址线，9根列地址线，所以总共有4（2^2）个bank，一个bank是8192（2^13）行512（2^9）列,故一个bank存储单元的个数为4M（8192×512=4194306bit），又因为每个存储单元的位宽是16bit的，所以sdram的总存储容量为256M（4×4M×16=256M）。，进而进行数据的存取操作，而且一次只能对一个 L-Bank 的一个存储单元进行操作。四路控制信号构成 SDRAM 指令集。在对 SDRAM 进行数据存取时，

当状态机处于仲裁状态时，若自动刷新请求、读请求、写请求中的任意一路请求有效，且其他两路请求信号无效，状态跳转到有效请求信号对应状态，对应操作完成后，对应结束信号有效，状态跳回到仲裁状态，等待下一次请求信号。各路请求信号只有在仲裁状态才会被响应，这就保证某一操作正在执行时，不会被新的请求信号打断。若多路请求信号同时有效，优先执行优先级较高的操作，默认优先级为。，初始化完成后，状态跳转到仲裁状态(ARBIT)自动刷新操作>数据写操作>数据读操作。

同时分别写入BA0-BA1的Bank地址和A0-A12的row行地址，激活特定Bank的特定行。同时分别写入BA0-BA1的Bank地址和A0-A8的col列地址（列地址即突发数据的首地址）个时钟周期，一次读突发完成，状态跳转到预充电状态。然后等待4个时钟周期（突发长度为4），此期间为。，随即状态跳转预充电等待状态 (RD_TRP)2)个时钟周期，预充电完成，激活。个时钟周期随即跳转到读数据状态。行被关闭，状态跳转到写结束状态。完成，状态跳转到读指令状态。，随即状态跳转预充电等。，随即跳转到潜伏状态。

个时钟周期，预充电完成，激活行被关闭，状态跳转到写结束状态 (WR_END)，随机跳回初始状态。值为 2)个时钟周期，激活完成，状态跳转到写指令状态(WR_WRITE)，随即跳转到写数据。首先声明状态机状态变量 write_state，定义状态机个状态名称：初始化状态。，状态机跳转到激活状态(WR_ACTIVE)，随即跳转到激活等待状态。个时钟周期，一次写突发完成，状态跳转到预充电状态(WR_PRE)，在此状态等待TRP_CLK(设定值为。、 激活等待状态(WR_TRCD)，随即状态跳转预充电等待状态。

的自动刷新类似于简化版的初始化操作，只是缺少了上电后的等待时间和模式寄存器配置部分，只包含一次预充电操作和两次自动刷新操作。自动刷新时序图可知，

的初始化是芯片上电后必须进行的一项操作，只有进行了初始化操作的SDRAM 芯片才可被正常使用。但前文又说 200us 内都可能有命令，干脆这里取 T = 200us 吧。，对所有 Bank 进行预充电。然后等待时间 tRP，这期间为。② 200us 时间等待结束后，写入。④ tRC等待时间结束后，再次写入。，然后等待时间 tMRD，这期间为。，然后等待时间 tRC，这期间为。，然后等待时间 tRC，这期间为。③ tRP等待时间结束后，写入。⑤ tRC等待时间结束后，写入。