cadence617仿真时查看mos器件参数（小记01）

最新推荐文章于 2025-04-14 11:36:04 发布
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在ADE里面选择好仿真运行后点击Result，print，model parameters；然后双击你需要的器件就会出现result display windows

【工具小技巧】Cadence Virtuoso DC仿真时显示想要的器件信息
m0_57592021的博客
12-31 2万+
Cadence Virtuoso设计小技巧
实验一：MOS管基本特性测试 cadence
07-11
实验一：MOS管基本特性测试报告 cadence
virtuoso查看MOS晶体管所有参数
最新发布
qq_55933691的博客
04-14 360
1.电路DC仿真后，进行如下操作。2.选择想要查看的MOS管。
Cadence仿真MOS晶体管电容及其它参数
李敏儿oc的博客
05-29 9180
本文介绍了如何用Cadence仿真MOS晶体管的电容，并仿真了电容随栅压变化的曲线。
Candence中查看MOS管阈值电压Vth、Vgs、Vds、跨导gm、Id等详细MOS参数的方法
热门推荐
qq_44596345的博客
09-01 2万+
Candence中查看MOS管阈值电压Vth、Vgs、Vds、跨导gm、漏电流Id等详细MOS参数的方法@TOC ADE仿真结束后，点击工具栏Results→ Print→ Transient Operating Points(如果是dc仿真就选DC Operating Points) 然后回到Schematic，点击你想查看的MOS管，参数就一目了然啦！ ...
cadence DC仿真后如何查看每个管子的参数
是抹茶味的啊的博客
04-08 8891
一、 选DC Operating point，选mos管 二、 选result browser，找dc里面的
cadence——MOS晶体管I-V特性曲线仿真
skycmq的博客
04-22 1万+
MOS晶体管I-V特性曲线仿真 目标：使用cadence绘制晶体管的I-V特性曲线(dc仿真) 流程： 新建原理图，将MOS管的栅极电压设为变量Vg，漏极电压设为变量Vd 打开ADEL，点击Variables——Copy From Cellview添加变量；并选择dc仿真，对Vd进行扫描 以Vg作为参变量进行仿真，点击Tools——Parametric Analysis进行设置 选择漏极电流作为输出，进行仿真即可得到I-V特性曲线 ...
如何用cadence617仿真出gm/id所需图标
weixin_57495677的博客
04-09 1226
上次推文主要讲了gm/id的理论方法，这次推文以NMOS为例，主要关注如何用cadence617仿真出所需要的三张图标。方法视频传送链接：工艺库：smic18mmrfcadence版本：617。
Cadence 射频仿真原理.pdf
05-21
Cadence SpectreRF是该公司的RF仿真软件，用于分析和模拟射频（RF）电路的性能。RF电路设计涉及的领域包括信号的放大、滤波、调制解调等，与数字电路设计有很大不同，它对信号的频率特性和非线性效应更为敏感。RF...
Cadence数字仿真工具Xcelium(xrun)操作指南与高级功能应用
02-13
Linux环境下的配置检查、简单的单步仿真、多阶段分离仿真、基础仿真选项的应用，并深入探讨如 xcelium.d 目录的作用、各类波形文件的创建方法、覆盖率的收集策略，还有Gate Level Simulation(GLS)时遇到的具体参数...
Cadence Sigrity Power DC 仿真操作流程
10-26
《Cadence Sigrity Power DC 仿真操作流程》是一本详细介绍如何使用Cadence Sigrity Power DC进行电源完整性分析的电子书。Sigrity PowerDC是Cadence公司的一款强大工具，专为解决高速数字设计中的电源完整性问题。...
MOS管参数中英对照
09-13
MOS管中英对照，你值得拥有，从此不必在英语
有关mos管的参数解读
07-12
mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）电量。 Qgs：栅源充电电量。 Qg：栅极总充电电量。 mos管动态参数 IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS通常在纳安级。 IDSS：饱满漏源电流，栅极电压VGS=0、 VDS为必定值时的漏源电流。通常在微安级。 VGS（th）：敞开电压（阀值电压）。当外加栅极操控电压VGS超越VGS（th）时，漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道。应用中，常将漏极短接前提下ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压。此参数通常会随结温度的上升而有所下降。
MOS管的基本参数
01-20
MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。 　　上图四项指标，项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图： 　　在高速H桥应用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr，也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要，否则容易炸机，下图为高速二极管。 　　高速下，二极管也不是理想的，二极管导通后，PN节中充满了电子和空穴，当瞬间反向加电
实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence
07-11
实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence
基准电压源、运放、电流源、ADC、DAC、PLL锁相环cadence模拟ic仿真工程实例.zip
11-30
在电子设计领域，Cadence工具是进行模拟集成电路（IC）设计和仿真的首选软件，它提供了从电路设计到性能分析的全面解决方案。本压缩包文件包含了一系列与模拟IC设计相关的实例，涵盖了基准电压源、运算放大器（运放...
Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释
Bao_xue的博客
03-24 1万+
cadence仿真中MOS管的参数名称解释
Cadence Orcad Capture 查看元件个数等信息的方法图文视频教程
fydar的博客
02-04 2266
在进行原理图是的设计时，免不了需要确认元件的总个数。本文简单介绍使用Capture软件导出元件总个数信息的方法。
Cadence的orCAD下器件信息显示推荐
wusuowei1010的博客
03-23 4712
对“原理图设计”而言，其本质为“设计思路的抽象描述”，其中涉及的重点为3个： i）、“器件符号”：器件在原理图中的表述形式； ii)、“器件选型”：器件选择； iii）、“器件封装”：器件的PCB封装； 以上3点，是设计中最重要的3点，为后续维护，最佳情况是可以通过“Schematic原理图”直观得到以上3点的所有信息，并实现同步修改； 之前使用的“AD/DXP”或是“PADS”，相对于“Cade...
cadence仿真如何查看mos管功耗
04-03
### Cadence仿真中MOS管功耗分析方法 在Cadence Virtuoso环境中，可以通过特定的工具和设置来完成对MOS管功耗的分析。以下是关于如何查看MOS管功耗的具体说明： #### 1. 使用直流工作点分析 (DC Operating Point Analysis) 通过执行直流工作点分析可以获取电路中的静态电流和电压分布情况。这些数据可用于计算单个MOS管的功耗。 - **操作步骤** 配置仿真环境时，在`Analog Design Environment (ADE)`界面下选择`OP`选项作为仿真类型。运行仿真后，可以从结果窗口提取漏极电流 \(I_D\) 和漏源电压 \(V_{DS}\)，进而利用公式 \(\text{Power} = V_{DS} \times I_D\) 计算功耗[^1]。 #### 2. 利用瞬态分析 (Transient Analysis) 获取动态功耗 对于涉及时间变化的工作状态（如开关动作），需采用瞬态分析以评估动态功耗。 - **具体做法** 设置合适的激励信号驱动MOS管进入导通或截止状态，并记录其随时间变化的行为特征。随后基于采集的数据绘制功率曲线图，进一步量化平均功耗值。此过程同样依赖于基本物理关系表达式即乘积形式表示的能量消耗速率[^4]。 ```python import numpy as np def calculate_power(voltage, current): """Calculate power dissipation.""" return voltage * current vds_values = np.array([...]) # Replace with actual V_DS values from transient analysis id_values = np.array([...]) # Replace with actual I_D values from transient analysis powers = calculate_power(vds_values, id_values) average_power = powers.mean() print(f"Average Power Dissipation: {average_power:.2f} W") ``` #### 3. 启动内置功耗报告功能 部分版本的Cadence软件可能已经集成了专门用于统计元件级别能耗状况的功能模块。如果项目许可范围内允许调用此类高级特性，则可以直接借助它们快速定位目标器件对应的数值而无需手动解析原始波形文件等内容[^2]。 --- ### 注意事项 当处理复杂多端口网络或者考虑寄生效应影响下的精确模型建立过程中需要注意以下几点： - 确认所选用的标准单元库支持完整的工艺角定义； - 考虑温度漂移因素带来的额外偏差校正需求； - 如果涉及到高频应用场合还需要兼顾电磁兼容性和辐射干扰等问题的影响范围界定清楚后再做相应调整优化措施实施验证确认最终效果达成预期标准为止[^3]。
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