BJT简介:双极性结型晶体管【元器件型号举例:SS8050(NPN)、SS8550(PNP)】
MOS简介:场效应晶体管【元器件型号举例:AOD403(PMOS)、MDD50N03D(NMOS)】
MOS管选型需关注:
MOS管选型参数 | 经验备注 |
耐压、过流、封装 | 大部分元器件都应先关注于此 |
Vgs(th) 导通电压 | 小型四旋翼设计时,若采用GPIO驱动NMOS进行空心杯电机控制,需关注此参数。 |
Rds(on) 导通电阻 | 使用MOS做电源电路防反接设计时,需关注此参数,此时MOS导通损耗可用I*I*R计算 |
开关损耗/驱动损耗 | 数控电源选型时,需关注开关损耗;驱动损耗与MOS管输入电容Ciss相关 |
SOA 安全工作区域 | 使用分立器件搭建LDO电路,将MOS管作为调整管时,需关注此参数 |
BJT与MOS的区别分析:
(1)控制方式:三极管为流控器件,可通过“基极电流”控制“集电极电流”;MOS管为压控器件,可通过“栅极电压”控制“漏极电流”。
(2)导通阻抗:三极管的集电极C与发射集E之间存在饱和压降,压差固定,类似于二极管;三极管的漏极D与源极S之间的导通阻抗较小,一般是毫欧级别。
上述两点表明MOS比BJT功耗更低,且随着MOS工艺进步【成本下降,易集成】MOS已成主流。
(3)应用场景:BJT主要用于低成本小功率驱动,如蜂鸣器驱动、MCU下载电路;MOS管主要用于:开关电源设计、电机驱动、电路防护、电平转换等。