TTL电平和CMOS电平之间的差异（简易版）

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1、TTL
1.1 TTL
1.2 LVTTL（低电压TTL）：
1.3 TTL特性：
2、CMOS
1.1 CMOS
1.2 LVCMOS（低电压CMOS）：
1.3 CMOS特性：

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经常听技术人员说到TTL，CMOS等等，但却不知道具体是指什么，下面给大家简单的说一下，让大家了解一个大概情况：

1、TTL

TTL电平是晶体管-晶体管逻辑（Transistor-Transistor Logic）的电平标准，主要用于数字电路中的信号传输。

1.1 TTL

通常为5V
高电平（逻辑1）：2.4V 至 5V。
低电平（逻辑0）：0V 至 0.8V。

1.2 LVTTL（低电压TTL）：

电源电压为3.3V。
高电平：2.4 至 3.3V
低电平：0 至 0.8V

1.3 TTL特性：

抗干扰能力：较强，但不如 CMOS。
功耗：较高，尤其是高电平输出时。
速度：相比CMOS，开关速度快。

2、CMOS

CMOS电平是互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）的逻辑电平标准，用于数字电路中的信号传输。

1.1 CMOS

通常为 3~15V（VDD）
高电平（逻辑1）：＞ 0.7 * VDD。
低电平（逻辑0）：< 0.3 * VDD。

1.2 LVCMOS（低电压CMOS）：

电源电压为 3.3V、2.5V 或 1.8V。(VDD)
高电平：接近 VDD​。
低电平：接近 0V。

1.3 CMOS特性：

抗干扰能力强：噪声容限高，比TTL强。
功耗低：静态功耗极低，适合低功耗设备。
速度较慢：相比 TTL，CMOS 的开关速度较慢，但现代 CMOS 技术已显著提升。

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谢谢观看！不足之处请见谅！
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