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3三五族半导体能带参数计算器（含三元、四元化合物）
能带参数计算，如带隙、晶格常数、电子有效质量、空穴有效质量、Luttinger参数、价带偏移量、自旋轨道耦合能等。
以上参数均可随温度变化。
材料主要为InAs、GaSb、InSb、AlSb以及它们形成的各种三元、四元化合物，适用于II类超晶格红外探测器、带间级联激光器、量子级联激光器、雪崩光电二极管、量子阱探测器等各类三五族光电器件应用，为KP方法计算能带结构提供了极大便利
2024-07-29
空空如也
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