汉字字库存储芯片扩展实验

实验目的
理解存储系统进行位扩展、字扩展的基本原理，能利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题，并能够使用正确的字库数据填充。

实验内容
现有如下 ROM 组件，4片4K32位 ROM ，7片 16K32位 ROM，请在 Logisim 平台构建 GB2312 汉字编码的16K16点阵汉字字库，电路输入为汉字区号和位号，电路输出为8×32位（16K16=256 位点阵信息），待完成的字库电路输入输出引脚见后图，具体参见工程文件中的 storage.circ 文件，图中左侧是输入引脚，分别对应汉字区位码的区号和位号，中间区域为8个32位的输出引脚，可一次性提供一个汉字的256位点阵显示信息，右侧是实际显示区域，用于观测汉字显示是否正常。待完成字库子电路封装已经完成，请勿修改以免影响后续自动测试功能。

电路测试
完成存储扩展设计后，可以在字库测试电路中进行对比测试，如下图所示：
实验完成后，可利用文本编辑工具打开 storage.circ ，将所有文字信息复制粘贴到 Educoder 平台的 storage.circ 文件中，再点击评测按钮即可进行本关测试，平台会对你设计的电路进行自动测试，为方便测试，请勿修改子电路封装，本关测试用例如下:
CNT