hdu1069 Monkey and Banana(dp/最长上升子序列)

博客围绕给出的n个箱子,要解决叠起来的最大高度问题,条件是小箱子两维长宽小于大箱子。思路是把每个箱子的六种不同长宽组合全部列出,再依据最长上升子序列思想来求出最大高度。

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题目描述

题意:给出n个箱子,及他们的长宽高,求他们叠起来的最大高度(小箱子叠在大箱子上,其两维长宽小于大箱子的两维长款)
思路:一个箱子,可以有六种不同的长宽组合。将其全部列出,再根据最长上升子序列的思想求出最大高度。

#include<cstdio>
#include<algorithm>
#include<cstring>
using namespace std;
struct cube
{
    int x,y,z;
}c[180];
int n;
int k=0;
int dp[180];

bool cmp(cube c1,cube c2)
{
    if(c1.x==c2.x){
        if(c1.y==c2.y)
            return c1.z<c2.z;
        else
            return c1.y<c2.y;
    }
    return c1.x<c2.x;

}
void order(int x,int y,int z)
{
    c[k].x=x;
    c[k].y=y;
    c[k++].z=z;
}
int main()
{
    int no=1;
    while(scanf("%d",&n)!=EOF&&n)
    {
        memset(dp,0,sizeof(dp));
        int x,y,z;
        k=0;
        for(int i=0;i<n;i++){
            scanf("%d%d%d",&x,&y,&z);
            order(x,y,z);
            order(x,z,y);
            order(y,x,z);
            order(y,z,x);
            order(z,x,y);
            order(z,y,x);
        }
        sort(c,c+k,cmp);
        int ans=0;
        for(int i=0;i<k;i++)
        {
            dp[i]=c[i].z;
            for(int j=0;j<i;j++)
            {
                if(c[j].x<c[i].x&&c[j].y<c[i].y)
                    dp[i]=max(dp[i],dp[j]+c[i].z);
            }
            ans=max(ans,dp[i]);
        }
        printf("Case %d: maximum height = %d\n",no++,ans);
    }
}

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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