TI的电动座椅芯片DRV8305-Q1学习笔记

这个电路图显示了TI的DRV8305-Q1芯片的内部结构和引脚功能。让我逐一详细解释这个电路的工作原理和引脚介绍。

DRV8305-Q1电路原理和内部引脚介绍

1. High Side Gate Drive 2-Stage Charge Pump（高侧栅极驱动两级电荷泵）

   • High Side Gate Drive：高侧驱动指的是驱动电路上方的功率MOSFET的栅极，这些MOSFET连接在负载的高电压端（相对于地）。高侧驱动需要提供足够的电压来开启高电压端的MOSFET。
   • 2-Stage Charge Pump：两级电荷泵是为了提供更高的电压来驱动高侧的MOSFET。电荷泵通过切换电容来提升电压，两级电荷泵能够提供更高和更稳定的栅极驱动电压。
   • CP2H和CP1H：这些引脚连接到电荷泵的电容。CP1H和CP2H在电荷泵的两个阶段中用于切换和提升电压。

2. INH_A, INH_B等引脚功能

   • INH_A, INH_B, INH_C</