STM32学习

st意法半导体
m微控制器
32三十二位

一、STM32与ARM的关系
1.ARM做内核设计
内核：处理器、ARM11、Cortex-Mx/Ax、指令集、Thumb、Thumb-2

2.ST做IC设计/流片做芯片设计
芯片：内核、总线、外设

3.用户做嵌入式开发，做产品设计 软/硬件开发
产品：芯片（软件）、外围电路（硬件）

二、STM32命名规则 STM32F103ZET6
STM32产品
F产品类型(L超低功耗)
103特性（基础型芯片）
Z引脚数量144pin，C=48pin
8flash存储容量Kbytes，64KB E=512KB
T封装QFP
6温度范围=-40 to +85

三、STM32芯片资源
1.内核：32位Cortex-M3处理器，时钟高达72M
2.IO口：144引脚 112个IO，大部分IO都耐5V（模拟通道除外），支持调试：SWD和JTAG，SWD只要2根数据线。
3.存储器容量：512K FLASH，64K SRAM
4.时钟，复位和电源管理
5.低功耗
6.ADC
7.DAC
8.DMA
9.定时器
10.通信接口
IIC-2
USART-5
SPI-3
CAN-1
USB从机-1
SDIO

液晶模块的操作程序
sbit RS=P2^6;寄存器选择位
sbit RW=P2^5;读写选择位
sbit E=P2^7;使能信号位
sbit BF=P0^7;忙碌标志位

延时1ms
3j+2*i

函数功能：判断液晶模块的忙碌状态
返回值：result

bit BusyTest（void）
bit result；
rs=0； 根据规定，rs为低电平，rw为高电平，可以读状态
rw=1
e=1 e=1，才允许读写
nop（） 空操作
nop（）
nop（）
nop（） 空操作四个机器周期，给硬件反应时间
result=bf；将忙碌标志电平赋给result
e=0 将E恢复低电平
return result；

函数功能：将模式设置指令或显示地址写入液晶模块
入口参数：dictate
void WriteInstruction（unsigned char dictate）
while（busytest（）==1）；
rs=0 根据规定，RS和R/W同时为低电平时，可以写入指令
rw=0
e=0 e置低电平（根据表8-6，写指令时，E为高脉冲，就是让E从0到1发生正跳变，所以应先置0

nop（）
nop（） 空操作两个机器周期，给硬件反应时间
p0=dictate；将数据送入P0口，即写入指令或地址
nop（）
nop（）
nop（）
nop（）
nop（） 空操作四个机器周期，给硬件反应时间
e=1； E置高电平
nop（）
nop（）
nop（）
nop（） 空操作四个机器周期，给硬件反应时间
E=0； 当E由高电平跳变成低电平时，液晶模块开始执行命令

函数功能：指定字符显示的实际地址
入口参数：x
void writeAddress（unsigned char x）
writeinstruction（x|0x80） 显示未知的确定方法规定为80H+地址码

函数功能：将数据（字符的标准ASCII码）写入液晶模块
入口参数：y（为字符常量）
void WriteData（unsigned char y）
while（BusyTest（）==1）；
RS=1； RS为高电平，RW为低电平时，可以写入数据
RW=0;
E=0; E置低电平（根据表8-6，写指令时，E为高脉冲，就是让E从0到1发生正跳变，所以应先置0）

P0=y； 将数据送入p0口，即将数据写入液晶模块
nop（）
nop（）
nop（）
nop（） 空操作四个机器周期，给硬件反应时间
E=1； E置高电平
nop（）
nop（）
nop（）
nop（）
E=0； 当E由高电