模拟集成电路放大器总结（2）

模拟集成电路放大器总结（2）

在上一章中，我们讲述了最基本的带电阻的共源放大电路，这也是很多放大电路的基础，但是，对于带电阻的共源放大电路而言存在不少缺点，主要有：

1. 电阻制作工艺不能制造出一个具有绝对精确阻值的电阻
2. 电阻的阻值并不是稳定的，而是随温度等外界因素的变化而变化的
3. 使用带电阻的放大器功耗高，增益低

随着带电阻共源级的缺点日益增多，为了解决上述不同的问题，我们提出来不同的电路结构，今天就来讲讲针对问题1所提出的结构——二极管连接的共源放大器(Common Source Stage with Dioded-connected device)
在此结构中，电路将使用MOS管构成二极管相连的器件，从而取代电阻，成为一更为精确电阻的阻值，下面就以NMOS管构成的元件进行分析，此器件的结构如下：

在此结构中，我们可以得到其小信号模型，但是，在此之间，我们对结构进行一些观察，得到一个重要的结论：该结构只有饱和和亚阈值两种工作状态，而不存在线性工作状态，证明很简单，注意观察，该结构的栅级和漏极相连接，此时强制使得栅极电压(Gate Voltage)和漏极电压(Drain Voltage)相等，那么，当管子导通后，此时显然有：
Drain Voltage>Gate Voltage - Vth